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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 |
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![]() | IS25LQ040B-JULE | - | ![]() | 8169 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-UFDFN暴露垫 | IS25LQ040 | 闪光灯 -也不 | 2.3v〜3.6V | 8-uson(2x3) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS25LQ040B-JULETR | Ear99 | 8542.32.0071 | 5,000 | 104 MHz | 非易失性 | 4Mbit | 8 ns | 闪光 | 512k x 8 | Spi -Quad I/O。 | 800µs | |
![]() | IS43R16160D-5TLI | 4.1001 | ![]() | 1769年 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 不适合新设计 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) | IS43R16160 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 66-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 200 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | IS62C256-70U-Tr | - | ![]() | 6080 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 28 SOP | IS62C256 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28 SOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 256kbit | 70 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 70NS | |||
IS61LV25616AL-10TLI-TR | 5.0400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS61LV25616 | sram-异步 | 3.135v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 10NS | ||||
![]() | IS43LR32320B-5BLI | - | ![]() | 3659 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 90-LFBGA | IS43LR32320 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-LFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0032 | 240 | 200 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 德拉姆 | 32m x 32 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | IS25CD512-JNLE | - | ![]() | 9684 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IS25CD512 | 闪光 | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 100 MHz | 非易失性 | 512kbit | 闪光 | 64k x 8 | spi | 5ms | |||
![]() | IS42S16160D-75ETL-TR | - | ![]() | 3053 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS42S16160 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,500 | 133 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | - | ||
![]() | IS43R16160F-6BLI-TR | 4.0429 | ![]() | 5246 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 60-TFBGA | IS43R16160 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 60-tfbga(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 166 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | IS25LP032D-JBLA3-TR | 1.1438 | ![]() | 7180 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | 闪存-SLC) | 2.3v〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS25LP032D-JBLA3-TR | 2,000 | 133 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 7 ns | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 40µs,800µs | |||||
![]() | IS43TR16512AL-15HBL | 20.9281 | ![]() | 6613 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 不适合新设计 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-LFBGA | IS43TR16512 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-LFBGA(10x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 136 | 667 MHz | 易挥发的 | 8Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 512m x 16 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | IS42S16100C1-6TL | - | ![]() | 4567 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 50-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽) | IS42S16100 | Sdram | 3v〜3.6V | 50-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 117 | 166 MHz | 易挥发的 | 16mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 1m x 16 | 平行线 | - | ||
![]() | IS25LQ016B-JBLE | - | ![]() | 7586 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | IS25LQ016 | 闪光灯 -也不 | 2.3v〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-1332 | Ear99 | 8542.32.0071 | 90 | 104 MHz | 非易失性 | 16mbit | 闪光 | 2m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 1ms | ||
![]() | IS49NLC93200-33BI | - | ![]() | 7136 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 144-TFBGA | IS49NLC93200 | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-FCBGA (11x18.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 104 | 300 MHz | 易挥发的 | 288Mbit | 20 ns | 德拉姆 | 32m x 9 | 平行线 | - | ||
![]() | IS62C1024AL-35QI-TR | - | ![]() | 5310 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-SOIC (0.445“,11.30mm宽度) | IS62C1024 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 32 SOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 1Mbit | 35 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 35ns | |||
![]() | IS43LR32800G-6BL | 5.8058 | ![]() | 1254 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 90-TFBGA | IS43LR32800 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-TFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 240 | 166 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 8m x 32 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | IS62WV5128BLL-55HI-Tr | - | ![]() | 5559 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-tfsop (0.465英寸,11.80mm((11.80mm)) | IS62WV5128 | sram-异步 | 2.5V〜3.6V | 32-Stsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 易挥发的 | 4Mbit | 55 ns | SRAM | 512k x 8 | 平行线 | 55ns | |||
![]() | IS46TR16512BL-125KBLA1 | 22.9715 | ![]() | 1989 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA(10x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS46TR16512BL-125KBLA1 | 136 | 800 MHz | 易挥发的 | 8Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 512m x 16 | 平行线 | 15ns | |||||
![]() | IS49RL36160-125FBLI | - | ![]() | 3312 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 168-LBGA | rldram 3 | 1.28V〜1.42V | 168-FBGA((13.5x13.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS49RL36160-125FBLI | 过时的 | 1 | 800 MHz | 易挥发的 | 576Mbit | 8 ns | 德拉姆 | 16m x 36 | 平行线 | - | |||
![]() | IS61WV102416FBLL-10B2LI | 9.1946 | ![]() | 4645 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | sram-异步 | 2.4v〜3.6V | 48-TFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS61WV102416FBLL-10B2LI | 480 | 易挥发的 | 16mbit | 10 ns | SRAM | 1m x 16 | 平行线 | 10NS | ||||||
IS62WV25616DBLL-45TI | - | ![]() | 1700 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS62WV25616 | sram-异步 | 2.3v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4Mbit | 45 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 45ns | ||||
![]() | IS25LQ512B-JULE-TR | - | ![]() | 5781 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-UFDFN暴露垫 | IS25LQ512 | 闪光灯 -也不 | 2.3v〜3.6V | 8-uson(2x3) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 5,000 | 104 MHz | 非易失性 | 512kbit | 闪光 | 64k x 8 | Spi -Quad I/O。 | 800µs | |||
![]() | IS61LPS102418A-250B3 | - | ![]() | 6195 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | IS61LPS102418 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 250 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 2.6 ns | SRAM | 1m x 18 | 平行线 | - | ||
![]() | IS21TF32G-JQLI-TR | 36.0000 | ![]() | 7751 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LBGA | IS21TF32G | Flash -nand(tlc) | 2.7V〜3.6V | 100-LFBGA(14x18) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS21TF32G-JQLI-TR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | 非易失性 | 256Gbit | 闪光 | 32g x 8 | MMC | - | ||
![]() | IS66WVC4M16EALL-7010BLI | 4.6313 | ![]() | 1326 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 54-VFBGA | IS66WVC4M16 | PSRAM (伪 SRAM) | 1.7V〜1.95V | 54-vfbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 易挥发的 | 64mbit | 70 ns | PSRAM | 4m x 16 | 平行线 | 70NS | |||
![]() | IS42S16800E-7BL-TR | - | ![]() | 6355 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 54-TFBGA | IS42S16800 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-tfbga(8x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 143 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 8m x 16 | 平行线 | - | ||
![]() | IS43TR85120AL-107MBLI | - | ![]() | 4603 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | IS43TR85120 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-TWBGA(9x10.5) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS43TR85120AL-107MBLI | Ear99 | 8542.32.0036 | 220 | 933 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 512m x 8 | 平行线 | 15ns | |
![]() | IS42S16800F-5TLI | 4.2057 | ![]() | 3350 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS42S16800 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 200 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 5 ns | 德拉姆 | 8m x 16 | 平行线 | - | ||
![]() | IS43R86400F-5BLI-TR | 5.7900 | ![]() | 1415 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 60-TFBGA | IS43R86400 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 60-tfbga(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 2,500 | 200 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 64m x 8 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | IS42VM16200D-75BLI | 2.5287 | ![]() | 3029 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-TFBGA | IS42VM16200 | sdram-移动 | 1.7V〜1.95V | 54-tfbga(8x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 348 | 133 MHz | 易挥发的 | 32Mbit | 6 ns | 德拉姆 | 2m x 16 | 平行线 | - |
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