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内存（（5713）

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IS25WP512M-RHLA3-Tr	7.6342	RFQ	1424	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	24-TBGA		闪存-SLC）	1.7V〜1.95V	24-tfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS25WP512M-RHLA3-Tr			2,500	112 MHz	非易失性	512Mbit	7.5 ns	闪光	64m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	50µs，1ms
IS46QR16512A-083TBLA2	22.1643	RFQ	3600	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-TWBGA（10x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46QR16512A-083TBLA2			136	1.2 GHz	易挥发的	8Gbit	18 ns	德拉姆	512m x 16	平行线	15ns
IS43TR82560CL-15HBLI-TR	6.0087	RFQ	9140	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS43TR82560	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	667 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 8	平行线	15ns
IS46LQ16256AL-062BLA2-TR	-	RFQ	7439	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	200-VFBGA		sdram- lpddr4x	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-VFBGA（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46LQ16256AL-062BLA2-TR			2,500	1.6 GHz	易挥发的	4Gbit	3.5 ns	德拉姆	256m x 16	lvstl	18NS
IS49NLC36160-33Bli	-	RFQ	9009	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	144-TFBGA	IS49NLC36160	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-FCBGA （11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	104	300 MHz	易挥发的	576Mbit	20 ns	德拉姆	16m x 36	平行线	-
IS64WV25616EFBLL-10CTLA3	6.4867	RFQ	3002	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）		sram-异步	2.4v〜3.6V	44-TSOP II	-	rohs3符合条件	3（168））		706-IS64WV25616EFBLL-10CTLA3			135		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS
IS62WV51216BLL-55BI	-	RFQ	9324	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS62WV51216	sram-异步	2.5V〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	312		易挥发的	8mbit	55 ns	SRAM	512k x 16	平行线	55ns
IS46LQ16256AL-062BLA1-TR	-	RFQ	9472	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-VFBGA		sdram- lpddr4x	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-VFBGA（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46LQ16256AL-062BLA1-TR			2,500	1.6 GHz	易挥发的	4Gbit	3.5 ns	德拉姆	256m x 16	lvstl	18NS
IS61WV10248BLL-10MLI-TR	12.7500	RFQ	8985	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS61WV10248	sram-异步	2.4v〜3.6V	48-Minibga（9x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000		易挥发的	8mbit	10 ns	SRAM	1m x 8	平行线	10NS
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IS61WV10248EEBLL-10B2LI	6.9125	RFQ	5145	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA		sram-异步	2.4v〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS61WV10248EEBLL-10B2LI			480		易挥发的	8mbit	10 ns	SRAM	1m x 8	平行线	10NS
IS43TR82560DL-107MBLI-TR	4.5617	RFQ	3285	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43TR82560DL-107MBLI-TR			2,000	933 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 8	平行线	15ns
IS45S16800F-6BLA1-Tr	4.8260	RFQ	3191	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS45S16800	Sdram	3v〜3.6V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	166 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	-
IS62WV25616EALL-55TLI	4.4684	RFQ	9715	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS62WV25616	sram-异步	1.65V〜2.2V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	135		易挥发的	4Mbit	55 ns	SRAM	256K x 16	平行线	55ns
IS61LV2568L-10TL-Tr	-	RFQ	1910	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS61LV2568	sram-异步	3.135v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	2Mbit	10 ns	SRAM	256K x 8	平行线	10NS
IS46LR16320C-6BLA1	10.6720	RFQ	1133	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS46LR16320	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-tfbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	300	166 MHz	易挥发的	512Mbit	5.5 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
IS46TR85120AL-107MBLA2	-	RFQ	5051	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	托盘	过时的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS46TR85120	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA（9x10.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46TR85120AL-107MBLA2	Ear99	8542.32.0036	136	933 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 8	平行线	15ns
IS43R16320E-6BI	-	RFQ	8785	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS43R16320	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	60-tfbga（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	190	166 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
IS61C64AL-10JLI	1.3059	RFQ	7629	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	IS61C64	sram-异步	4.75V〜5.25V	28-soj	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	25		易挥发的	64kbit	10 ns	SRAM	8k x 8	平行线	10NS
IS25LQ016B-JNLE-TR	-	RFQ	8919	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IS25LQ016	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	3,000	104 MHz	非易失性	16mbit		闪光	2m x 8	Spi -Quad I/O。	1ms
IS21TF08G-JQLI-TR	-	RFQ	5695	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LBGA	IS21TF08G	Flash -nand（tlc）	2.7V〜3.6V	100-LFBGA（14x18）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS21TF08G-JQLI-TR	3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200 MHz	非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	MMC	-
IS62WV51216EFBLL-45BLI-TR	4.6281	RFQ	6802	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-VFBGA	IS62WV51216	sram-异步	2.2v〜3.6V	48-VFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,500		易挥发的	8mbit	45 ns	SRAM	512k x 16	平行线	55ns
IS43TR85120BL-125KBL	6.4066	RFQ	7251	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS43TR85120	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43TR85120BL-125KBL	Ear99	8542.32.0036	220	800 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 8	平行线	15ns
IS45S16320F-6TLA1	13.3133	RFQ	4679	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS45S16320	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	108	167 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	-
IS61NLP25672-250B1	-	RFQ	4554	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	209-BGA	IS61NLP25672	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	209-LFBGA（14x22）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	84	250 MHz	易挥发的	18mbit	2.6 ns	SRAM	256K x 72	平行线	-
IS43R16160D-6BLI-TR	5.5050	RFQ	3422	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS43R16160	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	60-tfbga（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,500	166 MHz	易挥发的	256Mbit	700 ps	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
IS62WV25616BLL-55TLI-TR	4.4700	RFQ	45	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS62WV25616	sram-异步	2.5V〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	4Mbit	55 ns	SRAM	256K x 16	平行线	55ns
IS46QR81024A-083TBLA2	21.5457	RFQ	5636	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-TWBGA（10x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46QR81024A-083TBLA2			136	1.2 GHz	易挥发的	8Gbit	18 ns	德拉姆	1G x 8	平行线	15ns
IS62WV51216ALL-70BLI-TR	6.5100	RFQ	6595	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS62WV51216	sram-异步	2.5V〜3.6V	48-Minibga（7.2x8.7）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,500		易挥发的	8mbit	70 ns	SRAM	512k x 16	平行线	70NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（5713）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²