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内存（（5713）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
IS61WV102416EDALL-12BLI	12.2789	RFQ	5540	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA		sram-异步	1.65V〜2.2V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS61WV102416EDALL-12BLI			480		易挥发的	16mbit	12 ns	SRAM	1m x 16	平行线	12ns
IS64WV10248EEBLL-10CTLA3	12.3619	RFQ	3028	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）		sram-异步	2.4v〜3.6V	44-TSOP II	-	rohs3符合条件	3（168））		706-IS64WV10248EEBLL-10CTLA3			135		易挥发的	8mbit	10 ns	SRAM	1m x 8	平行线	10NS
IS46TR16128CL-125KBLA2	7.9393	RFQ	7381	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS46TR16128	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	190	800 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
IS46TR16640ED-125KBLA1-TR	6.9565	RFQ	4565	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	-	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46TR16640ED-125KBLA1-TR			1,500	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	SSTL_15	15ns
IS46TR16640CL-125JBLA2-TR	3.8573	RFQ	3065	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS46TR16640	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46TR16640CL-125JBLA2-TR	Ear99	8542.32.0032	1,500	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS46LQ32128AL-062TBLA2	-	RFQ	5854	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	200-VFBGA		sdram- lpddr4x	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-VFBGA（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46LQ32128AL-062TBLA2			136	1.6 GHz	易挥发的	4Gbit	3.5 ns	德拉姆	128m x 32	lvstl	18NS
IS61LV6416-10TLI	-	RFQ	8079	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS61LV6416	sram-异步	3.135v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	135		易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	64k x 16	平行线	10NS
IS62WV25616DBLL-55TLI	-	RFQ	9730	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS62WV25616	sram-异步	2.3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	55 ns	SRAM	256K x 16	平行线	55ns
IS46DR16320E-3DBLA2	5.8923	RFQ	2259	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	84-TFBGA	IS46DR16320	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	209	333 MHz	易挥发的	512Mbit	450 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
IS21TF128G-JQLI	66.7335	RFQ	6805	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LBGA		Flash -nand（tlc）	2.7V〜3.6V	100-LFBGA（14x18）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS21TF128G-JQLI			98	200 MHz	非易失性	1Tbit		闪光	128g x 8	EMMC_5.1	-
IS42RM32800K-75BLI	5.8888	RFQ	4512	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42RM32800	sdram-移动	2.3V〜3V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	240	133 MHz	易挥发的	256Mbit	6 ns	德拉姆	8m x 32	平行线	-
IS61WV51216EDBLL-10BLI-TR	8.9971	RFQ	6624	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS61WV51216	sram-异步	2.4v〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,500		易挥发的	8mbit	10 ns	SRAM	512k x 16	平行线	10NS
IS61NLF25672-6.5B1I-Tr	-	RFQ	5827	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	209-BGA	IS61NLF25672	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	209-LFBGA（14x22）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000	133 MHz	易挥发的	18mbit	6.5 ns	SRAM	256K x 72	平行线	-
IS43TR16640B-125JBL-Tr	-	RFQ	8643	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS43TR16640	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,500	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS45S16160J-7BLA2-Tr	4.2171	RFQ	8141	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS45S16160	Sdram	3v〜3.6V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,500	143 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	-
IS61NVF51236-7.5TQI-Tr	-	RFQ	7597	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61NVF51236	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800	117 MHz	易挥发的	18mbit	7.5 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS43TR16128B-107MBLI	-	RFQ	2772	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS43TR16128	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	190	933 MHz	易挥发的	2Gbit	195 PS	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
IS42S16800D-75EBL-Tr	-	RFQ	9882	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-VFBGA	IS42S16800	Sdram	3v〜3.6V	54-Minibga（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	133 MHz	易挥发的	128mbit	6.5 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	-
IS66WVO32M8DBLL-133BLI	4.8440	RFQ	7509	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA		PSRAM （伪 SRAM）	2.7V〜3.6V	24-tfbga（6x8）	-	rohs3符合条件	3（168））		706-IS66WVO32M8DBLL-133BLI			480	133 MHz	易挥发的	256Mbit		PSRAM	32m x 8	spi -octal I/o	37.5ns
IS61WV3216BLL-12TLI	1.8965	RFQ	1083	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS61WV3216	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	135		易挥发的	512kbit	12 ns	SRAM	32k x 16	平行线	12ns
IS61LV51216-10TLI	-	RFQ	5947	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS61LV51216	sram-异步	3.135v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	135		易挥发的	8mbit	10 ns	SRAM	512k x 16	平行线	10NS
IS43LR32800G-6BL	5.8058	RFQ	1254	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS43LR32800	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	240	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.5 ns	德拉姆	8m x 32	平行线	15ns
IS62WVS1288FBLL-20NLI	2.5017	RFQ	6604	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IS62WVS1288	sram-同步，sdr	2.2v〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	100	20 MHz	易挥发的	1Mbit		SRAM	128K x 8	Spi -Quad I/O，SDI	-
IS63LV1024-8KL-Tr	-	RFQ	2079	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS63LV1024	sram-异步	3v〜3.6V	32-soj	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	800		易挥发的	1Mbit	8 ns	SRAM	128K x 8	平行线	8ns
IS45S16320D-7TLA1-Tr	18.1050	RFQ	1079	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS45S16320	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,500	143 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	-
IS61VPS102418B-250TQL	17.7869	RFQ	3061	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61VPS102418	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	250 MHz	易挥发的	18mbit	2.6 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
IS61DDPB44M18A-400M3L	100.1770	RFQ	3310	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	IS61DDPB44	sram-同步，ddr iip	1.71V〜1.89V	165-LFBGA（15x17）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0002	105	400 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	4m x 18	平行线	-
IS64LF25636B-7.5B3LA3	19.4937	RFQ	4730	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	165-TBGA		sram-标准	3.135V〜3.465V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS64LF25636B-7.5B3LA3			144	117 MHz	易挥发的	9Mbit	7.5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
IS61WV204816BLL-10BLI-TR	19.5750	RFQ	4050	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS61WV204816	sram-异步	2.4v〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,500		易挥发的	32Mbit	10 ns	SRAM	2m x 16	平行线	10NS
IS25LQ512A-JDLE-TR	-	RFQ	9132	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	IS25LQ512	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-tssop	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	3,500	80 MHz	非易失性	512kbit		闪光	64k x 8	Spi -Quad I/O。	400µs

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（5713）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²