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内存（（5713）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
IS29GL064-70TleB	4.6200	RFQ	242	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	IS29GL064	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS29GL064-70TleB	3A991B1A	8542.32.0071	96		非易失性	64mbit	70 ns	闪光	8m x 8	平行线	75ns
IS42VM32800E-75BLI-TR	-	RFQ	1505	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42VM32800	sdram-移动	1.7V〜1.95V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,500	133 MHz	易挥发的	256Mbit	6 ns	德拉姆	8m x 32	平行线	-
IS42S16400J-6TL	1.9200	RFQ	42	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S16400	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	108	166 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 16	平行线	-
IS64WV51216EEBLL-10BLA3	12.6754	RFQ	8159	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	48-TFBGA		sram-异步	2.4v〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	-	rohs3符合条件	3（168））		706-IS64WV51216EEBLL-10BLA3			480		易挥发的	8mbit	10 ns	SRAM	512k x 16	平行线	10NS
IS42S32160B-75TLI-Tr	-	RFQ	4682	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS42S32160	Sdram	3v〜3.6V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,500	133 MHz	易挥发的	512Mbit	5.5 ns	德拉姆	16m x 32	平行线	-
IS61LV12816L-10LQI	-	RFQ	3301	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-LQFP	IS61LV12816	sram-异步	3.135v〜3.6V	44-LQFP（10x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	160		易挥发的	2Mbit	10 ns	SRAM	128K x 16	平行线	10NS
IS22TF64G-JQLA1-TR	50.4735	RFQ	4208	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LBGA		Flash -nand（tlc）	2.7V〜3.6V	100-LFBGA（14x18）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS22TF64G-JQLA1-TR			1,000	200 MHz	非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	EMMC_5.1	-
IS25WX512M-JHLE	7.5600	RFQ	2414	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-TBGA	IS25WX512M	闪光	1.7V〜2V	24-tfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS25WX512M-JHLE	3A991B1A	8542.32.0071	480	200 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	spi -octal I/o	-
IS61WV25616EDALL-20BLI	5.1733	RFQ	8382	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS61WV25616	sram-异步	1.65V〜2.2V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	480		易挥发的	4Mbit	20 ns	SRAM	256K x 16	平行线	20NS
IS43TR16256A-093NBLI	-	RFQ	3435	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	托盘	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS43TR16256	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43TR16256A-093NBLI	Ear99	8542.32.0036	190	1.066 GHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	15ns
IS42S16320F-7BLI-TR	11.4900	RFQ	8251	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42S16320	Sdram	3v〜3.6V	54-TW-BGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	2,500	143 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	-
IS42S16100E-6BL	-	RFQ	2431	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS42S16100	Sdram	3v〜3.6V	60-TFBGA（6.4x10.1）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	117	166 MHz	易挥发的	16mbit	5.5 ns	德拉姆	1m x 16	平行线	-
IS46LQ32256A-062BLA2	24.8268	RFQ	5507	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-tfbga（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46LQ32256A-062BLA2			136	1.6 GHz	易挥发的	8Gbit	3.5 ns	德拉姆	256m x 32	lvstl	18NS
IS63WV1024BLL-12BLI-TR	2.2334	RFQ	4291	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS63WV1024	sram-异步	3v〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	2,500		易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	128K x 8	平行线	12ns
IS62WV12816ALL-70BLI	-	RFQ	1377年	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS62WV12816	sram-异步	1.65V〜2.2V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	480		易挥发的	2Mbit	70 ns	SRAM	128K x 16	平行线	70NS
IS43TR16640B-107MBL	-	RFQ	1063	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS43TR16640	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	190	933 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS25LP256D-JLLA3	4.0905	RFQ	6719	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫		闪存-SLC）	2.3v〜3.6V	8-wson（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS25LP256D-JLLA3			480	166 MHz	非易失性	256Mbit	6.5 ns	闪光	32m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	40µs，800µs
IS49NLC93200A-25EWBLI	31.9177	RFQ	4963	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	144-TFBGA		rldram 2	1.7V〜1.9V	144-twbga（11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS49NLC93200A-25EWBLI			104	400 MHz	易挥发的	288Mbit	15 ns	德拉姆	32m x 9	HSTL	-
IS43R16800E-5TL	2.4110	RFQ	1330	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS43R16800	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	108	200 MHz	易挥发的	128mbit	700 ps	德拉姆	8m x 16	平行线	15ns
IS63WV1024BLL-12HLI	1.8965	RFQ	5670	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.465英寸，11.80mm（（11.80mm））	IS63WV1024	sram-异步	3v〜3.6V	32-Stsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	234		易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	128K x 8	平行线	12ns
IS61LF102418A-7.5TQ	-	RFQ	4482	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61LF102418	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	117 MHz	易挥发的	18mbit	7.5 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
IS61WV12824-8BL-TR	8.2500	RFQ	1872年	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	119-BBGA	IS61WV12824	sram-异步	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	3Mbit	8 ns	SRAM	128K x 24	平行线	8ns
IS46R16320D-6BLA2	11.7704	RFQ	4394	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	不适合新设计	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS46R16320	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	60-tfbga（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	190	166 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
IS43TR82560C-15HBL-Tr	5.2507	RFQ	6806	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS43TR82560	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-TWBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	667 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 8	平行线	15ns
IS61WV5128EDBLL-10TLI	3.7500	RFQ	2	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS61WV5128	sram-异步	2.4v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	135		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	512k x 8	平行线	10NS
IS41LV16105D-50TLI-TR	5.3797	RFQ	1138	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	50-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽），44条线索	IS41LV16105	DRAM -FP	3v〜3.6V	50-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000		易挥发的	16mbit	25 ns	德拉姆	1m x 16	平行线	-
IS49NLC36800-33B	-	RFQ	2627	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	144-TFBGA	IS49NLC36800	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-FCBGA （11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	104	300 MHz	易挥发的	288Mbit	20 ns	德拉姆	8m x 36	平行线	-
IS61WV102416EDALL-12BLI	12.2789	RFQ	5540	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA		sram-异步	1.65V〜2.2V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS61WV102416EDALL-12BLI			480		易挥发的	16mbit	12 ns	SRAM	1m x 16	平行线	12ns
IS64WV10248EEBLL-10CTLA3	12.3619	RFQ	3028	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）		sram-异步	2.4v〜3.6V	44-TSOP II	-	rohs3符合条件	3（168））		706-IS64WV10248EEBLL-10CTLA3			135		易挥发的	8mbit	10 ns	SRAM	1m x 8	平行线	10NS
IS46TR16128CL-125KBLA2	7.9393	RFQ	7381	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS46TR16128	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	190	800 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（5713）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²