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5712）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
IS62WV1288BLL-55QLI	1.8062	RFQ	5568	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-SOIC （0.445“，11.30mm宽度）	IS62WV1288	sram-异步	2.5V〜3.6V	32 SOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	84		易挥发的	1Mbit	55 ns	SRAM	128K x 8	平行线	55ns
IS43QR16512A-083TBL	17.2512	RFQ	7388	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS43QR16512	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-TWBGA（10x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43QR16512A-083TBL	Ear99	8542.32.0036	136	1.2 GHz	易挥发的	8Gbit	19 ns	德拉姆	512m x 16	平行线	15ns
IS43DR16128B-3DBLI-TR	-	RFQ	6989	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	84-LFBGA	IS43DR16128	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-LFBGA（10.5x13.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,500	333 MHz	易挥发的	2Gbit	450 ps	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
IS42S32200L-7BLI	4.5385	RFQ	3556	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42S32200	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	240	143 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	2m x 32	平行线	-
IS61NLF25672-6.5B1I-Tr	-	RFQ	5827	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	209-BGA	IS61NLF25672	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	209-LFBGA（14x22）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000	133 MHz	易挥发的	18mbit	6.5 ns	SRAM	256K x 72	平行线	-
IS62WVS5128FALL-16NLI	-	RFQ	9524	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IS62WVS5128	sram-同步，sdr	1.65V〜2.2V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS62WVS5128FALL-16NLI	3A991B2A	8542.32.0041	100	16 MHz	易挥发的	4Mbit		SRAM	512k x 8	Spi -Quad I/O。	-
IS42RM32100D-75BLI-TR	2.3162	RFQ	7647	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42RM32100	sdram-移动	2.3v〜2.7V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	133 MHz	易挥发的	32Mbit	6 ns	德拉姆	1m x 32	平行线	-
IS43TR16256A-107MBLI	-	RFQ	4889	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS43TR16256	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	190	933 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	15ns
IS42RM16160K-75BLI-TR	5.0239	RFQ	1281	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42RM16160	sdram-移动	2.3V〜3V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,500	133 MHz	易挥发的	256Mbit	6 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	-
IS61NLP204836B-166TQLI	114.4219	RFQ	6098	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61NLP204836	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	166 MHz	易挥发的	72Mbit	3.8 ns	SRAM	2m x 36	平行线	-
IS61NVP51236-200B3I	-	RFQ	5606	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61NVP51236	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	144	200 MHz	易挥发的	18mbit	3.1 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS25LP032D-JTLA3-TR	1.1525	RFQ	8519	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-udfn裸露的垫子		闪存-SLC）	2.3v〜3.6V	8-uson （4x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS25LP032D-JTLA3-TR			5,000	133 MHz	非易失性	32Mbit	7 ns	闪光	4m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	40µs，800µs
IS43DR16320E-3DBLI-TR	4.1105	RFQ	1026	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	84-TFBGA	IS43DR16320	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	2,500	333 MHz	易挥发的	512Mbit	450 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
IS45S16160G-7CTLA2	8.5597	RFQ	7768	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	不适合新设计	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS45S16160	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	108	143 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	-
IS62WV1288BLL-55TI-TR	-	RFQ	8508	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.724英寸，宽度18.40mm）	IS62WV1288	sram-异步	2.5V〜3.6V	32-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	1,500		易挥发的	1Mbit	55 ns	SRAM	128K x 8	平行线	55ns
IS62WV25616DBLL-45TLI-TR	-	RFQ	8694	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS62WV25616	sram-异步	2.5V〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	4Mbit	45 ns	SRAM	256K x 16	平行线	45ns
IS42S16320B-7BLI	-	RFQ	3981	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42S16320	Sdram	3v〜3.6V	54-WBGA（11x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	144	143 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	-
IS45S16400F-7BLA2	-	RFQ	3416	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS45S16400	Sdram	3v〜3.6V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	348	143 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 16	平行线	-
IS43LR32800F-6BLI-TR	-	RFQ	2927	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS43LR32800	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,500	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.5 ns	德拉姆	8m x 32	平行线	15ns
IS43R16160F-5BL	4.1001	RFQ	4030	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS43R16160	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	60-tfbga（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	190	200 MHz	易挥发的	256Mbit	700 ps	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
IS25WQ020-JKLE	-	RFQ	2444	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	IS25WQ020	闪光灯 -也不	1.65V〜1.95V	8-wson（6x5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	570	104 MHz	非易失性	2Mbit		闪光	256K x 8	spi	1ms
IS43TR85120A-125KBLI-TR	-	RFQ	4878	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS43TR85120	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-TWBGA（9x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,500	800 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 8	平行线	15ns
IS46TR16512B-107MBLA1-TR	21.7056	RFQ	6712	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（10x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46TR16512B-107MBLA1-TR			2,000	933 MHz	易挥发的	8Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 16	平行线	15ns
IS61NVP102418-200TQLI-Tr	-	RFQ	9097	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61NVP102418	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800	200 MHz	易挥发的	18mbit	3.1 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
IS42S32160C-6BL	-	RFQ	3550	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	90-LFBGA	IS42S32160	Sdram	3v〜3.6V	90-WBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	240	166 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 32	平行线	-
IS61LV6416-10TL	-	RFQ	3625	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS61LV6416	sram-异步	3.135v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	135		易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	64k x 16	平行线	10NS
IS43LD16256A-18BPLI-Tr	-	RFQ	6530	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	168-VFBGA	IS43LD16256	sdram- lpddr2 -S4	1.14v〜1.3v，1.7v〜1.95v	168-VFBGA（12x12）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43LD16256A-18BPLI-Tr	过时的		1	533 MHz	易挥发的	4Gbit	5.5 ns	德拉姆	256m x 16	HSUL_12	15ns
IS46DR16320D-25DBA2	-	RFQ	2815	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	84-TFBGA	IS46DR16320	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46DR16320D-25DBA2	过时的		209	400 MHz	易挥发的	512Mbit	400 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
IS66WV51216DBLL-55BLI-TR	-	RFQ	9320	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS66WV51216	PSRAM （伪 SRAM）	2.5V〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	2,500		易挥发的	8mbit	55 ns	PSRAM	512k x 16	平行线	55ns
IS42S16320F-6BL-TR	10.7700	RFQ	8496	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42S16320	Sdram	3v〜3.6V	54-TW-BGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	2,500	167 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

5712）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²