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内存（（5713）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
IS25LP020E-JNLE	0.4000	RFQ	825	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IS25LP020	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS25LP020E-JNLE	Ear99	8542.32.0071	100	104 MHz	非易失性	2Mbit	8 ns	闪光	256K x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	1.2ms
IS25LX256-JHLA3	4.5578	RFQ	7912	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	24-TBGA	IS25LX256	闪光	2.7V〜3.6V	24-tfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS25LX256-JHLA3	3A991B1A	8542.32.0071	480	133 MHz	非易失性	256Mbit		闪光	32m x 8	spi -octal I/o	-
IS43TR81280BL-107MBL-TR	-	RFQ	4283	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS43TR81280	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	2,000	933 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
IS64WV5128EDBLL-10CTLA3-TR	6.3941	RFQ	9499	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS64WV5128	sram-异步	2.4v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	512k x 8	平行线	10NS
IS42S16100C1-7BL	-	RFQ	5301	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS42S16100	Sdram	3v〜3.6V	60-TFBGA（6.4x10.1）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	286	143 MHz	易挥发的	16mbit	5.5 ns	德拉姆	1m x 16	平行线	-
IS42S32400E-7BLI	-	RFQ	2186	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42S32400	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	240	143 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 32	平行线	-
IS42S16100H-7TL	1.3300	RFQ	75	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	50-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS42S16100	Sdram	3v〜3.6V	50-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0002	117	143 MHz	易挥发的	16mbit	5.5 ns	德拉姆	1m x 16	平行线	-
IS66WVH8M8DALL-200B1LI	3.2589	RFQ	2440	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA		PSRAM （伪 SRAM）	1.7V〜1.95V	24-tfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS66WVH8M8DALL-200B1LI			480	200 MHz	易挥发的	64mbit	35 ns	PSRAM	8m x 8	超肥	35ns
IS49NLC96400A-18WBL	52.0065	RFQ	8723	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	144-TFBGA		rldram 2	1.7V〜1.9V	144-twbga（11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS49NLC96400A-18WBL			104	533 MHz	易挥发的	576Mbit	15 ns	德拉姆	64m x 9	HSTL	-
IS49NLS18160-25BL	-	RFQ	3069	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	144-TFBGA	IS49NLS18160	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-FCBGA （11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	104	400 MHz	易挥发的	288Mbit	20 ns	德拉姆	16m x 18	平行线	-
IS43LD16128C-25BLI	-	RFQ	4534	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	134-TFBGA		sdram- lpddr2 -S4	1.14v〜1.3v，1.7v〜1.95v	134-TFBGA（10x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43LD16128C-25BLI			171	400 MHz	易挥发的	2Gbit	5.5 ns	德拉姆	128m x 16	HSUL_12	15ns
IS43R32800D-5BLI-TR	-	RFQ	1208	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	144-LFBGA	IS43R32800	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	144-LFBGA（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,500	200 MHz	易挥发的	256Mbit	700 ps	德拉姆	8m x 32	平行线	15ns
IS61DDB22M18C-250M3L	31.5000	RFQ	7249	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	IS61DDB22	Sram-同步，DDR II	1.71V〜1.89V	165-LFBGA（15x17）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105	250 MHz	易挥发的	36mbit	8.4 ns	SRAM	2m x 18	平行线	-
IS61WV25616EDBLL-8TLI	4.3891	RFQ	9971	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS61WV25616	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	135		易挥发的	4Mbit	8 ns	SRAM	256K x 16	平行线	8ns
IS61WV51216EDBLL-10TLI	11.7000	RFQ	312	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS61WV51216	sram-异步	2.4v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	135		易挥发的	8mbit	10 ns	SRAM	512k x 16	平行线	10NS
IS64LPS204818B-166TQLA3-TR	116.5500	RFQ	1295	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS64LPS204818	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800	166 MHz	易挥发的	36mbit	3.8 ns	SRAM	2m x 18	平行线	-
IS42S16800E-75ETLI	-	RFQ	4326	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S16800	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	108	133 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	-
IS29GL064-70BLED-TR	2.8354	RFQ	5641	ISSI，综合硅解决方案	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-	rohs3符合条件	3（168））		706-IS29GL064-70BLED-TR			2,500
IS42S16400D-6T	-	RFQ	1916年	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	在sic中停产	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S16400	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	108	166 MHz	易挥发的	64mbit	5 ns	德拉姆	4m x 16	平行线	-
IS64WV102416BLL-10MA3-TR	-	RFQ	3772	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS64WV102416	sram-异步	2.4v〜3.6V	48-Minibga（9x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000		易挥发的	16mbit	10 ns	SRAM	1m x 16	平行线	10NS
IS46TR16128A-15HBLA1-Tr	-	RFQ	8182	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS46TR16128	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,500	667 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
IS43LQ32128A-062TBLI	18.4400	RFQ	136	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	200-tfbga	IS43LQ32128	sdram- lpddr4	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-tfbga（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43LQ32128A-062TBLI	Ear99	8542.32.0036	136	1.6 GHz	易挥发的	4Gbit		德拉姆	128m x 32	lvstl	-
IS25LP080D-JNLE	0.8200	RFQ	14	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IS25LP080	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-1580	Ear99	8542.32.0071	100	133 MHz	非易失性	8mbit		闪光	1m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	800µs
IS45S32400B-7BLA1	-	RFQ	4050	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS45S32400	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	144	143 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 32	平行线	-
IS61LPS12836A-200TQI	-	RFQ	7888	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61LPS12836	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	200 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.1 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
IS61WV1288EEBLL-10BLI	2.5908	RFQ	2576	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA		sram-异步	2.4v〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS61WV1288EEBLL-10BLI			480		易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	128K x 8	平行线	10NS
IS49NLS18320-33BL	-	RFQ	9948	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	144-TFBGA	IS49NLS18320	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-FCBGA （11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	104	300 MHz	易挥发的	576Mbit	20 ns	德拉姆	32m x 18	平行线	-
IS43R83200D-6TLI	6.1236	RFQ	4063	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS43R83200	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	108	166 MHz	易挥发的	256Mbit	700 ps	德拉姆	32m x 8	平行线	15ns
IS61VPD102418A-250B3I-Tr	-	RFQ	3106	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61VPD102418	sram-四边形端口，同步	2.375V〜2.625V	165-PBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	250 MHz	易挥发的	18mbit	2.6 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
IS43TR81280B-107MBL	5.9578	RFQ	9314	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	不适合新设计	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS43TR81280	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-TWBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	242	933 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（5713）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²