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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 |
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![]() | IS61QDB42M18C-250M3L | - | ![]() | 7927 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | IS61QDB42 | sram-同步,四边形 | 1.71V〜1.89V | 165-LFBGA(15x17) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 MHz | 易挥发的 | 36mbit | 8.4 ns | SRAM | 2m x 18 | 平行线 | - | ||
![]() | IS25LQ010B-JNLE | - | ![]() | 4301 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IS25LQ010 | 闪光灯 -也不 | 2.3v〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-1322 | Ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | 非易失性 | 1Mbit | 闪光 | 128K x 8 | Spi -Quad I/O。 | 800µs | ||
![]() | IS42S16160B-7T | - | ![]() | 6643 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS42S16160 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 143 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | - | ||
![]() | IS61NVF25672-6.5B1I | - | ![]() | 3918 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 209-BGA | IS61NVF25672 | sram-同步,sdr | 2.375V〜2.625V | 209-LFBGA(14x22) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 133 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 6.5 ns | SRAM | 256K x 72 | 平行线 | - | ||
IS61WV51216EDALL-20TLI | 12.2476 | ![]() | 6509 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS61WV51216 | sram-异步 | 1.65V〜2.2V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 易挥发的 | 8mbit | 20 ns | SRAM | 512k x 16 | 平行线 | 20NS | ||||
![]() | IS42S16100F-6TLI-TR | - | ![]() | 4936 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 50-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽) | IS42S16100 | Sdram | 3v〜3.6V | 50-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 166 MHz | 易挥发的 | 16mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 1m x 16 | 平行线 | - | ||
![]() | IS62WVS2568FBLL-20NLI-TR | 2.3595 | ![]() | 6567 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IS62WVS2568 | sram-同步,sdr | 2.2v〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 3,000 | 20 MHz | 易挥发的 | 2Mbit | SRAM | 256K x 8 | Spi -Quad I/O,SDI,Dtr | - | |||
![]() | IS43LD32800B-25BLI-TR | 5.1543 | ![]() | 8436 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 134-TFBGA | sdram- lpddr2 -S4 | 1.14v〜1.3v,1.7v〜1.95v | 134-TFBGA(10x11.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS43LD32800B-25BLI-TR | 2,000 | 400 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 8m x 32 | HSUL_12 | 15ns | |||||
![]() | IS42VM16320D-75BLI | - | ![]() | 9406 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-TFBGA | IS42VM16320 | sdram-移动 | 1.7V〜1.95V | 54-TFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 240 | 133 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 6 ns | 德拉姆 | 32m x 16 | 平行线 | - | ||
![]() | IS66WVO16M8DALL-200BLI-TR | 3.6017 | ![]() | 9281 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | PSRAM (伪 SRAM) | 1.7V〜1.95V | 24-tfbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS66WVO16M8DALL-200BLI-TR | 2,500 | 200 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 5 ns | PSRAM | 16m x 8 | spi -octal I/o | 35ns | |||||
![]() | IS49NLC93200-25Bli | - | ![]() | 9156 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 144-TFBGA | IS49NLC93200 | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-FCBGA (11x18.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 104 | 400 MHz | 易挥发的 | 288Mbit | 20 ns | 德拉姆 | 32m x 9 | 平行线 | - | ||
![]() | IS42S16400D-7BL | - | ![]() | 8155 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 60-TFBGA | IS42S16400 | Sdram | 3v〜3.6V | 60 minibga(6.4x10.1) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 286 | 143 MHz | 易挥发的 | 64mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 4m x 16 | 平行线 | - | ||
![]() | IS42S16400D-7T | - | ![]() | 3257 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 在sic中停产 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS42S16400 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | 易挥发的 | 64mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 4m x 16 | 平行线 | - | ||
![]() | IS42S32160C-75BLI-TR | - | ![]() | 6125 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 90-LFBGA | IS42S32160 | Sdram | 3v〜3.6V | 90-WBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 133 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 6 ns | 德拉姆 | 16m x 32 | 平行线 | - | ||
![]() | IS43LR32800G-6BL-TR | 5.3250 | ![]() | 1088 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 90-TFBGA | IS43LR32800 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-TFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 166 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 8m x 32 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | IS62WV1288BLL-55HI | - | ![]() | 2033 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-tfsop (0.465英寸,11.80mm((11.80mm)) | IS62WV1288 | sram-异步 | 2.5V〜3.6V | 32-Stsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 234 | 易挥发的 | 1Mbit | 55 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 55ns | |||
![]() | IS45S32400F-6BLA2 | 9.5190 | ![]() | 6414 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 90-TFBGA | IS45S32400 | Sdram | 3v〜3.6V | 90-TFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 240 | 166 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 4m x 32 | 平行线 | - | ||
![]() | IS45S16320D-7BLA1 | 19.4659 | ![]() | 2984 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 不适合新设计 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-TFBGA | IS45S16320 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0032 | 240 | 143 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 32m x 16 | 平行线 | - | ||
![]() | IS42RM32160C-75BL | - | ![]() | 8288 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 在sic中停产 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 90-LFBGA | IS42RM32160 | sdram-移动 | 2.3V〜3V | 90-WBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 240 | 133 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 16m x 32 | 平行线 | - | ||
![]() | IS49NLC18320-25BI | - | ![]() | 3776 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 144-TFBGA | IS49NLC18320 | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-FCBGA (11x18.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0032 | 104 | 400 MHz | 易挥发的 | 576Mbit | 20 ns | 德拉姆 | 32m x 18 | 平行线 | - | ||
IS43LR16320C-6BL-Tr | 5.9250 | ![]() | 3402 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 60-TFBGA | IS43LR16320 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-tfbga(8x10) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 2,000 | 166 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 32m x 16 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | IS62WVS0648FBLL-20NLI-TR | 2.0460 | ![]() | 6274 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IS62WVS0648 | sram-同步,sdr | 2.2v〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 3,000 | 20 MHz | 易挥发的 | 512kbit | SRAM | 64k x 8 | Spi -Quad I/O,SDI,Dtr | - | |||
![]() | IS43LD32128C-25BPLI-Tr | - | ![]() | 1550 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS43LD32128C-25BPLI-Tr | Ear99 | 8542.32.0036 | 1 | ||||||||||||||||
![]() | IS22TF128G-JQLA1-TR | 74.4800 | ![]() | 6033 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LBGA | Flash -nand(tlc) | 2.7V〜3.6V | 100-LFBGA(14x18) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS22TF128G-JQLA1-TR | 1,000 | 200 MHz | 非易失性 | 1Tbit | 闪光 | 128g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||||
![]() | IS49NLS18320A-25EWBLI | 54.4856 | ![]() | 1222 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 144-TFBGA | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-twbga(11x18.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS49NLS18320A-25EWBLI | 104 | 400 MHz | 易挥发的 | 576Mbit | 15 ns | 德拉姆 | 32m x 18 | HSTL | - | ||||
![]() | IS21TF08G-JQLI-TR | - | ![]() | 5695 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LBGA | IS21TF08G | Flash -nand(tlc) | 2.7V〜3.6V | 100-LFBGA(14x18) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS21TF08G-JQLI-TR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | 非易失性 | 64Gbit | 闪光 | 8g x 8 | MMC | - | ||
![]() | IS43TR16256AL-15HBLI | - | ![]() | 5204 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | IS43TR16256 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 667 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 256m x 16 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | IS34MW01G084-Bli | 3.6500 | ![]() | 5673 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | Flash -nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 63-vfbga(9x11) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS34MW01G084-BLI | 220 | 非易失性 | 1Gbit | 30 ns | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | 45ns | ||||||
![]() | IS61QDPB451236A-400M3LI | 45.0000 | ![]() | 5607 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | IS61QDPB451236 | sram-同步,Quadp | 1.71V〜1.89V | 165-LFBGA(15x17) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 400 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 8.4 ns | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | ||
![]() | IS66WVE2M16BLL-70BLI-TR | - | ![]() | 5976 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | IS66WVE2M16 | PSRAM (伪 SRAM) | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 2,500 | 易挥发的 | 32Mbit | 70 ns | PSRAM | 2m x 16 | 平行线 | 70NS |
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