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内存（（5713）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
IS61LF6436A-8.5TQI-Tr	-	RFQ	4289	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61LF6436	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800	90 MHz	易挥发的	2Mbit	8.5 ns	SRAM	64k x 36	平行线	-
IS61NVF51236-6.5B3	-	RFQ	8165	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61NVF51236	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	144	133 MHz	易挥发的	18mbit	6.5 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS61LV12816L-10LQLI-TR	-	RFQ	9643	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-LQFP	IS61LV12816	sram-异步	3.135v〜3.6V	44-LQFP（10x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,500		易挥发的	2Mbit	10 ns	SRAM	128K x 16	平行线	10NS
IS25WP040E-JBLE	0.4261	RFQ	9254	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	IS25WP040	闪光灯 -也不	1.7V〜1.95V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS25WP040E-JBLE	Ear99	8542.32.0071	90	104 MHz	非易失性	4Mbit	8 ns	闪光	512k x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	1.2ms
IS42S16100H-6BL	1.4521	RFQ	5348	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS42S16100	Sdram	3v〜3.6V	60-TFBGA（6.4x10.1）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0002	286	166 MHz	易挥发的	16mbit	5.5 ns	德拉姆	1m x 16	平行线	-
IS66WVE1M16EBLL-70BLI	2.7843	RFQ	1052	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS66WVE1M16	PSRAM （伪 SRAM）	2.7V〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	480		易挥发的	16mbit	70 ns	PSRAM	1m x 16	平行线	70NS
IS61LV5128AL-10K	-	RFQ	8174	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	36-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	IS61LV5128	sram-异步	3.135v〜3.6V	36-SOJ	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	19		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	512k x 8	平行线	10NS
IS43LQ32256AL-062BLI	21.8535	RFQ	6801	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4x	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-tfbga（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43LQ32256AL-062BLI			136	1.6 GHz	易挥发的	8Gbit	3.5 ns	德拉姆	256m x 32	lvstl	18NS
IS61NLP51218B-200TQLI-TR	11.4000	RFQ	2440	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61NLP51218	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800	200 MHz	易挥发的	9Mbit	3.1 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
IS66WVQ4M4DALL-200BLI	3.4400	RFQ	480	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	IS66WVQ4M4	PSRAM （伪 SRAM）	1.7V〜1.95V	24-tfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS66WVQ4M4DALL-200BLI	3A991B2A	8542.32.0041	480	200 MHz	易挥发的	16mbit		PSRAM	4m x 4	Spi -Quad I/O。	40ns
IS41C16257C-35TLI	-	RFQ	6981	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽），40个铅	IS41C16257	DRAM -FP	4.5V〜5.5V	40-tsop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	135		易挥发的	4Mbit	18 ns	德拉姆	256K x 16	平行线	-
IS46TR16512S2DL-125KBLA1	-	RFQ	1535年	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-LFBGA	IS46TR16512	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-LWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46TR16512S2DL-125KBLA1	Ear99	8542.32.0036	136	800 MHz	易挥发的	8Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 16	平行线	15ns
IS46TR16128D-125KBLA2	6.0382	RFQ	5186	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS46TR16128	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46TR16128D-125KBLA2	Ear99	8542.32.0036	190	800 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
IS42S32160D-7BLI-TR	15.2850	RFQ	1208	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42S32160	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	2,500	143 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 32	平行线	-
IS42S81600E-7TLI-TR	-	RFQ	7679	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S81600	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,500	143 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 8	平行线	-
IS43LD32640B-18Bli-Tr	11.0850	RFQ	5098	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	134-TFBGA	IS43LD32640	sdram- lpddr2 -S4	1.14v〜1.95v	134-TFBGA（10x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	533 MHz	易挥发的	2Gbit		德拉姆	64m x 32	平行线	15ns
IS42S32200C1-7TL-Tr	-	RFQ	5089	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS42S32200	Sdram	3.15V〜3.45V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,500	143 MHz	易挥发的	64mbit	5.5 ns	德拉姆	2m x 32	平行线	-
IS29LV032B-70TLI	-	RFQ	1009	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	IS29LV032B	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-1353	3A991B1A	8542.32.0071	96		非易失性	32Mbit	70 ns	闪光	4m x 8，2m x 16	平行线	70NS
IS62WV2568DBLL-45HLI-TR	-	RFQ	6616	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.465英寸，11.80mm（（11.80mm））	IS62WV2568	sram-异步	2.5V〜3.6V	32-Stsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000		易挥发的	2Mbit	45 ns	SRAM	256K x 8	平行线	45ns
IS49RL18320-125EBL	-	RFQ	3923	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	168-LBGA	IS49RL18320	德拉姆	1.28V〜1.42V	168-FBGA（（13.5x13.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	119	800 MHz	易挥发的	576Mbit	10 ns	德拉姆	32m x 18	平行线	-
IS46TR16128DL-125KBLA2	6.2144	RFQ	8815	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS46TR16128	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46TR16128DL-125KBLA2	Ear99	8542.32.0036	190	800 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
IS43TR81280BL-107MBLI	6.0049	RFQ	6110	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	不适合新设计	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS43TR81280	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	242	933 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
IS34ML02G081-BLI	5.0397	RFQ	4745	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA		Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	63-vfbga（9x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS34ML02G081-BLI			220		非易失性	2Gbit	20 ns	闪光	256m x 8	平行线	25ns
IS25WP040E-JNLE-TR	0.3011	RFQ	1671年	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		闪存-SLC）	1.7V〜1.95V	8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS25WP040E-JNLE-TR			3,000	104 MHz	非易失性	4Mbit	8 ns	闪光	512k x 8	Spi -Quad I/O，QPI	40µs，1.2ms
IS61DDB22M18-250M3	-	RFQ	6872	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	在sic中停产	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	IS61DDB22	Sram-同步，DDR II	1.71V〜1.89V	165-LFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105	250 MHz	易挥发的	36mbit		SRAM	2m x 18	平行线	-
IS25WQ040-JULE-TR	0.2500	RFQ	6	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-UFDFN暴露垫	IS25WQ040	闪光灯 -也不	1.65V〜1.95V	8-uson（2x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	根据要求获得可用的信息		Ear99	8542.32.0071	1	104 MHz	非易失性	4Mbit		闪光	512k x 8	Spi -Quad I/O。	1ms
IS49RL18640-107EBL	109.1224	RFQ	1959年	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	168-LBGA		rldram 3	1.28V〜1.42V	168-FBGA（（13.5x13.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS49RL18640-107EBL			119	933 MHz	易挥发的	1.152Gbit	8 ns	德拉姆	64m x 18	平行线	-
IS61LF25636A-7.5TQLI-Tr	12.7500	RFQ	2223	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61LF25636	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800	117 MHz	易挥发的	9Mbit	7.5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
IS46R16160F-5TLA1	4.5028	RFQ	9585	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS46R16160	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	108	200 MHz	易挥发的	256Mbit	700 ps	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
IS61WV5128EDBLL-10BLI-TR	3.0281	RFQ	6308	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	36-TFBGA	IS61WV5128	sram-异步	2.4v〜3.6V	36-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,500		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	512k x 8	平行线	10NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（5713）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²