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5712）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
IS25LP512MH-RHLE-TR	6.3532	RFQ	3079	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-TBGA		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	24-tfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS25LP512MH-RHLE-TR	2,500	166 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	50µs，1ms
IS61WV51216EEALL-20TLI-TR	6.6714	RFQ	2503	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）		sram-异步	1.65V〜2.2V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS61WV51216EEALL-20TLI-TR	1,000		易挥发的	8mbit	20 ns	SRAM	512k x 16	平行线	20NS
IS49NLC18160A-25EWBLI	31.9177	RFQ	2710	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	144-TFBGA	IS49NLC18160	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-twbga（11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS49NLC18160A-25EWBLI	104	400 MHz	易挥发的	288Mbit	15 ns	德拉姆	16m x 18	HSTL	-
IS43TR16128D-107MBL-TR	4.2567	RFQ	2092	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43TR16128D-107MBL-TR	1,500	933 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
IS43LR32320C-6BLI	8.7116	RFQ	9083	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA		sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43LR32320C-6BLI	240	166 MHz	易挥发的	1Gbit	5 ns	德拉姆	32m x 32	平行线	15ns
IS43QR16512A-083TBLI-TR	17.2767	RFQ	6410	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-TWBGA（10x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43QR16512A-083TBLI-TR	2,000	1.2 GHz	易挥发的	8Gbit	18 ns	德拉姆	512m x 16	平行线	15ns
IS66WVH32M8DBLL-100B1LI	4.8440	RFQ	7449	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA		PSRAM （伪 SRAM）	2.7V〜3.6V	24-tfbga（6x8）	-	rohs3符合条件	3（168））		706-IS66WVH32M8DBLL-100B1LI	480	100 MHz	易挥发的	256Mbit	40 ns	PSRAM	32m x 8	平行线	40ns
IS64WV51216EEBLL-10BLA3-TR	11.9035	RFQ	3640	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	48-TFBGA		sram-异步	2.4v〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	-	rohs3符合条件	3（168））		706-IS64WV51216EEBLL-10BLA3-TR	2,500		易挥发的	8mbit	10 ns	SRAM	512k x 16	平行线	10NS
IS66WVQ8M4DBLL-133BLI-TR	2.6055	RFQ	9912	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA		PSRAM （伪 SRAM）	2.7V〜3.6V	24-tfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS66WVQ8M4DBLL-133BLI-TR	2,500	133 MHz	易挥发的	32Mbit		PSRAM	8m x 4	Spi -Quad I/O。	45ns
IS43TR16512S1DL-125KBLI-TR	-	RFQ	1513年	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-LFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-LFBGA（9x13）	-	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43TR16512S1DL-125KBLI-TR	1,500	800 MHz	易挥发的	8Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 16	平行线	15ns
IS49RL36320-107EBLI	120.0345	RFQ	3984	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	168-LBGA		rldram 3	1.28V〜1.42V	168-FBGA（（13.5x13.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS49RL36320-107EBLI	119	933 MHz	易挥发的	1.152Gbit	8 ns	德拉姆	32m x 36	平行线	-
IS43QR85120B-075Bubli	10.9618	RFQ	8876	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-TWBGA（10x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43QR85120B-075BUBLI	136	1.333 GHz	易挥发的	4Gbit	19 ns	德拉姆	512m x 8	荚	15ns
IS61WV102416FBLL-8BLI	9.7363	RFQ	1319	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA		sram-异步	2.4v〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS61WV102416FBLL-8BLI	480		易挥发的	16mbit	8 ns	SRAM	1m x 16	平行线	8ns
IS66WVO16M8DBLL-133BLI-TR	3.6017	RFQ	1064	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA		PSRAM （伪 SRAM）	2.7V〜3.6V	24-tfbga（6x8）	-	rohs3符合条件	3（168））		706-IS66WVO16M8DBLL-133BLI-TR	2,500	133 MHz	易挥发的	128mbit		PSRAM	16m x 8	spi -octal I/o	37.5ns
IS43TR81024B-125KBLI-TR	20.9076	RFQ	4867	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-TWBGA（10x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43TR81024B-125KBLI-TR	2,000	800 MHz	易挥发的	8Gbit	20 ns	德拉姆	1G x 8	平行线	15ns
IS46QR16512A-083TBLA2-TR	20.8943	RFQ	1215	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-TWBGA（10x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46QR16512A-083TBLA2-TR	2,000	1.2 GHz	易挥发的	8Gbit	18 ns	德拉姆	512m x 16	平行线	15ns
IS61WV204816ALL-12TLI-TR	17.8353	RFQ	9975	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）		sram-异步	1.65V〜2.2V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS61WV204816ALL-12TLI-TR	1,500		易挥发的	32Mbit	12 ns	SRAM	2m x 16	平行线	12ns
IS46LQ16128A-062BLA2-TR	-	RFQ	1418	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	200-VFBGA		sdram- lpddr4	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-VFBGA（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46LQ16128A-062BLA2-TR	2,500	1.6 GHz	易挥发的	2Gbit	3.5 ns	德拉姆	128m x 16	lvstl	18NS
IS43LR16640C-6BLI	7.7181	RFQ	4633	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA		sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-tfbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43LR16640C-6BLI	300	166 MHz	易挥发的	1Gbit	5 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS46TR16256B-107MBLA2	10.1514	RFQ	8628	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46TR16256B-107MBLA2	190	933 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	15ns
IS25WE256E-RMLE-TR	4.2125	RFQ	6322	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）		闪存-SLC）	1.7V〜1.95V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS25WE256E-RMLE-TR	1,000	166 MHz	非易失性	256Mbit		闪光	32m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	50µs，1ms
IS25WP064D-JBLE-TR	1.2565	RFQ	3421	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）		闪存-SLC）	1.65V〜1.95V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS25WP064D-JBLE-TR	2,000	166 MHz	非易失性	64mbit		闪光	8m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	40µs，800µs
IS25WP128-JMLE-TY	-	RFQ	6659	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）		闪存-SLC）	1.65V〜1.95V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS25WP128-JMLE-TY	176	133 MHz	非易失性	128mbit	7 ns	闪光	16m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	40µs，800µs
IS25WP512M-RHLE	7.1192	RFQ	7879	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-TBGA		闪存-SLC）	1.7V〜1.95V	24-tfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS25WP512M-RHLE	480	112 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	50µs，1ms
IS29GL128-70GLEB	4.9552	RFQ	9994	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	56-TFBGA		闪存-SLC）	3v〜3.6V	56-TFBGA（7x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS29GL128-70GLEB	240		非易失性	128mbit	70 ns	闪光	16m x 8	CFI	70ns，200µs
IS43DR16128C-25DBL-TR	6.2016	RFQ	5623	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	84-TFBGA		SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43DR16128C-25DBL-TR	2,500	400 MHz	易挥发的	2Gbit	400 ns	德拉姆	128m x 16	SSTL_18	15ns
IS43DR82560C-3DBL-TR	6.3808	RFQ	3776	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	60-TFBGA		SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-TWBGA（8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43DR82560C-3DBL-TR	2,000	333 MHz	易挥发的	2Gbit	450 ps	德拉姆	256m x 8	SSTL_18	15ns
IS43LQ16128AL-062BLI-TR	-	RFQ	6849	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-VFBGA		sdram- lpddr4x	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-VFBGA（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43LQ16128AL-062BLI-TR	2,500	1.6 GHz	易挥发的	2Gbit	3.5 ns	德拉姆	128m x 16	lvstl	18NS
IS61WV51216EEALL-20TLI	7.4957	RFQ	7133	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）		sram-异步	1.65V〜2.2V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS61WV51216EEALL-20TLI	135		易挥发的	8mbit	20 ns	SRAM	512k x 16	平行线	20NS
IS43LQ32640A-062TBLI-TR	9.2036	RFQ	2418	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-tfbga（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43LQ32640A-062TBLI-TR	2,500	1.6 GHz	易挥发的	2Gbit	3.5 ns	德拉姆	64m x 32	lvstl	18NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

5712）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²