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（648）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
71V424S15PHG	7.7000	RFQ	63	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	71v424	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	15 ns	SRAM	512k x 8	平行线	15ns
6116SA45TPI	2.9400	RFQ	377	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	24- 浸（0.300英寸，7.62mm）	6116SA	sram-异步	4.5V〜5.5V	24-PDIP	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	16kbit	45 ns	SRAM	2k x 8	平行线	45ns
71V256SA10PZG	1.0700	RFQ	317	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	28-tssop （0.465英寸，11.80mm宽度）	71v256	sram-异步	3v〜3.6V	28-tsop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	256kbit	10 ns	SRAM	32K x 8	平行线	10NS
71v416l15beg	8.0900	RFQ	345	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	71v416l	sram-异步	3v〜3.6V	48-cabga（9x9）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	15 ns	SRAM	256K x 16	平行线	15ns
71v546s100pfi	-	RFQ	5483	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v546	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	4.5mbit	5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71V124SA15PHG	-	RFQ	5038	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.400英寸，10.16毫米宽）	71v124	sram-异步	3v〜3.6V	32-TSOP II	下载					3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	15 ns	SRAM	128K x 8	平行线	15ns
71256SA20PZG	5.2200	RFQ	113	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	28-tssop （0.465英寸，11.80mm宽度）	71256SA	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-tsop	下载					3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	256kbit	20 ns	SRAM	32K x 8	平行线	20NS
71v3558xs133pfi	2.0100	RFQ	641	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v3558	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	4.5mbit	4.2 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
71V67703S80PF	6.0000	RFQ	259	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v67703	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	9Mbit	8 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
71V3577S75BQ	-	RFQ	5562	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	71v3577	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1	117 MHz	易挥发的	4.5mbit	7.5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71V35761S166BGI	-	RFQ	8782	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	119-BGA	71v35761	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载	Rohs不合规				3A991B2A	8542.32.0041	84	166 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71V016SA12PHGI	-	RFQ	3306	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	71v016	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载					3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	64k x 16	平行线	12ns
71256SA12Y	-	RFQ	9587	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	28-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	71256SA	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-soj	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	256kbit	12 ns	SRAM	32K x 8	平行线	12ns
71v424ys12ygi	2.0100	RFQ	9720	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	36-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	71v424	sram-异步	3v〜3.6V	36-SOJ	下载	rohs3符合条件			2156-71V424YS12YGI-IDT	3A991B2A	8542.32.0041	20		易挥发的	4Mbit	12 ns	SRAM	512k x 8	平行线	12ns	未行业行业经验证
71v416yl10phgi	2.0100	RFQ	5294	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	71v416y	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	不适用				3A991B2A	8542.32.0041	26		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS
71V547S75PFG	1.6600	RFQ	594	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v547	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	rohs3符合条件				3A991B2A	8542.32.0041	72		易挥发的	4.5mbit	7.5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71v25761ys200pfg	2.0100	RFQ	163	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v25761	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件				3A991B2A	8542.32.0041	72	200 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.1 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71v546xs133pf	1.6600	RFQ	388	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v546	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	4.5mbit	4.2 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71v67602s150pfi	-	RFQ	6237	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v67602	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	150 MHz	易挥发的	9Mbit	3.8 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
71V67703S85PFI	-	RFQ	2539	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v67703	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	87 MHz	易挥发的	9Mbit	8.5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
71V3576S150PFI	-	RFQ	1214	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v3576	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	150 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.8 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71T75802S100PFG	6.6800	RFQ	882	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71T75802	sram-同步，SDR（ZBT）	2.375V〜2.625V	100-TQFP（14x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	18mbit	5 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
71v2576ys150pfg	1.5000	RFQ	2	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v2576	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	150 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.8 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71V3O58XS133PFG	-	RFQ	1067	IDT，Integrated Device Technology Inc	*	大部分	积极的								下载	不适用	3（168））	供应商不确定			0000.00.0000	1
71V25761S166PFI	2.0100	RFQ	582	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v25761	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x20）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	166 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71V124SA10YGI	1.6600	RFQ	226	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.400英寸，10.16毫米宽）	71v124	sram-异步	3.15v〜3.6V	32-soj	下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定		3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	128K x 8	平行线	10NS
71V3557S80PF	-	RFQ	4214	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v3557	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4.5mbit	8 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71v546xs133pfi	-	RFQ	6225	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v546	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	4.5mbit	4.2 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71v65602s150pf	-	RFQ	3642	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v65602	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	150 MHz	易挥发的	9Mbit	3.8 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
71V65602S133BQ	-	RFQ	9908	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	119-BGA	71v65602	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	9Mbit	4.2 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（648）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²