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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
71V432S5PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71v432s5pfg 3.4000
RFQ
ECAD 302 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v432 sram-同步,sdr 3.135V〜3.63V 100-TQFP(14x14) 下载 rohs3符合条件 3A991B2A 8542.32.0041 72 100 MHz 易挥发的 1Mbit 5 ns SRAM 32K x 32 平行线 -
71V416YS12PHG IDT, Integrated Device Technology Inc 71v416ys12phg -
RFQ
ECAD 8832 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 管子 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) 71v416y sram-异步 3v〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3A991B2A 8542.32.0041 26 易挥发的 4Mbit 12 ns SRAM 256K x 16 平行线 12ns
71V35761YSA200BG IDT, Integrated Device Technology Inc 71v35761ysa200bg 3.3300
RFQ
ECAD 156 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 119-BGA 71v35761y sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 119-PBGA(14x22) 下载 Rohs不合规 3A991B2A 8542.32.0041 84 200 MHz 易挥发的 4.5mbit 3.1 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
71V35761S166BGGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V35761S166BGGI -
RFQ
ECAD 2436 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 119-BGA 71v35761 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 119-PBGA(14x22) 下载 rohs3符合条件 3A991B2A 8542.32.0041 84 166 MHz 易挥发的 4.5mbit 3.5 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
71016NS15PHG IDT, Integrated Device Technology Inc 71016NS15PHG 1.3400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 管子 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) 71016n sram-异步 4.5V〜5.5V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3A991B2B 8542.32.0041 26 易挥发的 1Mbit 15 ns SRAM 64k x 16 平行线 15ns
71256TTSA15YG IDT, Integrated Device Technology Inc 71256TTSA15YG -
RFQ
ECAD 9040 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 管子 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 28-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) 71256TT sram-异步 4.5V〜5.5V 28-soj 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.32.0041 27 易挥发的 256kbit 15 ns SRAM 32K x 8 平行线 15ns
71V432S6PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71v432s6pfg 3.4000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v432 sram-同步,sdr 3.135V〜3.63V 100-TQFP(14x14) 下载 rohs3符合条件 3A991B2A 8542.32.0041 72 83 MHz 易挥发的 1Mbit 6 ns SRAM 32K x 32 平行线 -
71V416YL12PHG IDT, Integrated Device Technology Inc 71v416yl12phg 2.0100
RFQ
ECAD 161 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 管子 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) 71v416y sram-异步 3v〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3A991B2A 8542.32.0041 26 易挥发的 4Mbit 12 ns SRAM 256K x 16 平行线 12ns
71V424S12PH IDT, Integrated Device Technology Inc 71V424S12PH -
RFQ
ECAD 9045 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) 71v424 sram-异步 3v〜3.6V 44-TSOP II 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4Mbit 12 ns SRAM 512k x 8 平行线 12ns
71V424YL10YI IDT, Integrated Device Technology Inc 71v424yl10yi -
RFQ
ECAD 4435 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 36-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) 71v424 sram-异步 3v〜3.6V 36-SOJ - 不适用 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4Mbit 10 ns SRAM 512k x 8 平行线 10NS
71V546S133PFI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V546S133PFI -
RFQ
ECAD 2667 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v546 sram-同步,SDR(ZBT) 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 易挥发的 4.5mbit 4.2 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
71V424S15YI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V424S15YI -
RFQ
ECAD 2568 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 36-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) 71v424 sram-异步 3v〜3.6V 36-SOJ - Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4Mbit 15 ns SRAM 512k x 8 平行线 15ns
71V124SA10TY IDT, Integrated Device Technology Inc 71V124SA10TY -
RFQ
ECAD 4684 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 32-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) 71v124 sram-异步 3.15v〜3.6V 32-soj 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2B 8542.32.0041 1 易挥发的 1Mbit 10 ns SRAM 128K x 8 平行线 10NS
71V124SA12TYI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V124SA12TYI -
RFQ
ECAD 4630 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 32-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) 71v124 sram-异步 3v〜3.6V 32-soj 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2B 8542.32.0041 1 易挥发的 1Mbit 12 ns SRAM 128K x 8 平行线 12ns
71V65603S133PF IDT, Integrated Device Technology Inc 71V65603S133PF 4.5000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v65603 sram-同步,SDR(ZBT) 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 易挥发的 9Mbit 4.2 ns SRAM 256K x 36 平行线 -
71V65803S100PFI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V65803S100PFI 6.0000
RFQ
ECAD 155 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v65803 sram-同步,SDR(ZBT) 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 易挥发的 9Mbit 5 ns SRAM 512k x 18 平行线 -
71V547X5S100PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71v547x5s100pfg -
RFQ
ECAD 4384 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v547 sram-同步,SDR(ZBT) 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) - 不适用 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4.5mbit 10 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
71V546S100PF IDT, Integrated Device Technology Inc 71v546s100pf 1.6600
RFQ
ECAD 676 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v432 sram-同步,SDR(ZBT) 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 易挥发的 4.5mbit 5 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
71V65603S100PFI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V65603S100PFI 4.5000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v65603 sram-同步,SDR(ZBT) 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 易挥发的 9Mbit 5 ns SRAM 256K x 36 平行线 -
71V547S100PFI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V547S100PFI -
RFQ
ECAD 2380 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v547 sram-同步,SDR(ZBT) 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4.5mbit 10 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
71V632S7PFI IDT, Integrated Device Technology Inc 71v632s7pfi -
RFQ
ECAD 6094 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v632 sram-同步,sdr 3.135V〜3.63V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 66 MHz 易挥发的 2Mbit 7 ns SRAM 64k x 32 平行线 -
71V632S8PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71v632s8pfg 1.6600
RFQ
ECAD 299 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v632 sram-同步,sdr 3.135V〜3.63V 100-TQFP(14x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 2Mbit 8 ns SRAM 64k x 32 平行线 -
71V65703S75PFI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V65703S75PFI 6.0000
RFQ
ECAD 128 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v65703 sram-同步,SDR(ZBT) 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 9Mbit 7.5 ns SRAM 256K x 36 平行线 -
71V547XS100PF IDT, Integrated Device Technology Inc 71v547xs100pf 1.6600
RFQ
ECAD 598 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v547 sram-同步,SDR(ZBT) 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4.5mbit 10 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
71V67603S166PF IDT, Integrated Device Technology Inc 71V67603S166PF 4.5000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v67603 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 易挥发的 9Mbit 3.5 ns SRAM 256K x 36 平行线 -
71V546S133PF IDT, Integrated Device Technology Inc 71V546S133PF 1.6600
RFQ
ECAD 986 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v546 sram-同步,SDR(ZBT) 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 易挥发的 4.5mbit 4.2 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
71V546X5S133PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71v546x5s133pfg -
RFQ
ECAD 5205 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v546 sram-同步,SDR(ZBT) 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x20) - 不适用 3(168)) 供应商不确定 1 133 MHz 易挥发的 4.5mbit 4.2 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
71V432S7PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71v432s7pfg 1.6600
RFQ
ECAD 661 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v432 sram-同步,sdr 3.135V〜3.63V 100-TQFP(14x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 供应商不确定 3A991B2B 8542.32.0041 1 易挥发的 1Mbit 7 ns SRAM 32K x 32 平行线 -
6116SA45TPG IDT, Integrated Device Technology Inc 6116SA45TPG 2.8000
RFQ
ECAD 8289 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 通过洞 24- 浸(0.300英寸,7.62mm) 6116SA sram-异步 4.5V〜5.5V 24-PDIP 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0041 1 易挥发的 16kbit 45 ns SRAM 2k x 8 平行线 45ns
6116SA35TP IDT, Integrated Device Technology Inc 6116SA35TP 2.8000
RFQ
ECAD 778 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 通过洞 24- 浸(0.300英寸,7.62mm) 6116SA sram-异步 4.5V〜5.5V 24-PDIP 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 Ear99 8542.32.0041 1 易挥发的 16kbit 35 ns SRAM 2k x 8 平行线 35ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库