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（648）

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71V416S10PH	-	RFQ	1688年	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	71v416s	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS
71V124SA10Y	-	RFQ	1780年	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.400英寸，10.16毫米宽）	71v124	sram-异步	3.15v〜3.6V	32-soj	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	128K x 8	平行线	10NS
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71V65903S85BQG	26.6900	RFQ	67	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	71v65903	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	9Mbit	8.5 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
7164S35YGI	-	RFQ	5191	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	7164	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-soj	下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定	Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	64kbit	35 ns	SRAM	8k x 8	平行线	35ns
71V424S12PH	-	RFQ	9045	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	71v424	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	12 ns	SRAM	512k x 8	平行线	12ns
71V67803S166PFG	17.3400	RFQ	38	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v67803	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1	166 MHz	易挥发的	9Mbit	3.5 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
6116SA25SOG	5.2200	RFQ	159	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	24-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	6116SA	sram-异步	4.5V〜5.5V	24-Soic	下载				Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	16kbit	25 ns	SRAM	2k x 8	平行线	25ns
71V25761Y5S200PFG	-	RFQ	4459	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v25761	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x20）	-	不适用	3（168））	供应商不确定	3A991B2A	8542.32.0041	1	200 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.1 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71V416S12PH	-	RFQ	9847	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	71v416s	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	12 ns	SRAM	256K x 16	平行线	12ns
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71V65603S100PFI	4.5000	RFQ	1	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v65603	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	9Mbit	5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
71V2556S133PFGI	-	RFQ	7460	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v2556	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载					8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	4.5mbit	4.2 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
7164L45TDB	-	RFQ	5295	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	28-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	7164L	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-CDIP	下载				3A001A2C	8542.32.0041	1		易挥发的	64kbit	45 ns	SRAM	8k x 8	平行线	45ns
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71V3556S166PFI	-	RFQ	5019	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v3556	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1	166 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71V124SA15YGI	-	RFQ	1885年	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.400英寸，10.16毫米宽）	71v124	sram-异步	3v〜3.6V	32-soj	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	15 ns	SRAM	128K x 8	平行线	15ns
71V35761SA166BGI	11.7900	RFQ	34	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	119-BGA	71v35761	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1	166 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71124S12Y	-	RFQ	9034	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.400英寸，10.16毫米宽）	71124	sram-异步	4.5V〜5.5V	32-soj	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	128K x 8	平行线	12ns
71V3579S85PFI	2.0100	RFQ	342	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v3579	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4.5mbit	8.5 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
71256L35YI	-	RFQ	3034	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	71256L	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-soj	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	256kbit	35 ns	SRAM	32K x 8	平行线	35ns
71v3576S150pf	-	RFQ	6532	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v3576	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1	150 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.8 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71256L100TDB	39.7300	RFQ	23	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	28-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	71256L	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-CDIP	下载				3A001A2C	8542.32.0041	1		易挥发的	256kbit	100 ns	SRAM	32K x 8	平行线	100ns
71v416vs10phg	-	RFQ	9886	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	71v416v	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定	3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS
71v416l15yg	2.0100	RFQ	159	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	71v416l	sram-异步	3v〜3.6V	44-SOJ	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	15 ns	SRAM	256K x 16	平行线	15ns
71v3577Syzc3g	-	RFQ	4316	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	-	-	71v3577	sram-标准	3.135V〜3.465V	-	下载	不适用	3（168））	供应商不确定	3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4.5mbit		SRAM	128K x 36	平行线	-
7164S20Y	-	RFQ	6838	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	28-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	7164	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-soj	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	64kbit	20 ns	SRAM	8k x 8	平行线	20NS
71v416vs10ph	-	RFQ	8608	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	71v416v	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

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2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²