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（648）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
71V67803S166PFG	17.3400	RFQ	38	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v67803	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1	166 MHz	易挥发的	9Mbit	3.5 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
71256L100TDB	39.7300	RFQ	23	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	28-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	71256L	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-CDIP	下载				3A001A2C	8542.32.0041	1		易挥发的	256kbit	100 ns	SRAM	32K x 8	平行线	100ns
71v632s7pfi	-	RFQ	6094	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v632	sram-同步，sdr	3.135V〜3.63V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1	66 MHz	易挥发的	2Mbit	7 ns	SRAM	64k x 32	平行线	-
71V3559S85PFG	-	RFQ	6879	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v3559	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4.5mbit	8.5 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
7164l20ygi	3.8100	RFQ	2	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	7164L	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-soj	下载				Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	64kbit	20 ns	SRAM	8k x 8	平行线	20NS
71V3578S133PF	-	RFQ	8688	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v3578	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	4.5mbit	4.2 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
71v432s7pfg	1.6600	RFQ	661	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v432	sram-同步，sdr	3.135V〜3.63V	100-TQFP（14x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定	3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	7 ns	SRAM	32K x 32	平行线	-
71T75802S100PFI	-	RFQ	5233	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71T75802	sram-同步，SDR（ZBT）	2.375V〜2.625V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	18mbit	5 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
71V3558S133PF	2.0100	RFQ	163	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v3558	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	4.5mbit	4.2 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
71T75602S200BG	8.6600	RFQ	46	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	119-BGA	71T75602	sram-同步，SDR（ZBT）	2.375V〜2.625V	119-PBGA（14x22）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1	200 MHz	易挥发的	18mbit	3.2 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
71V424S12PH	-	RFQ	9045	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	71v424	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	12 ns	SRAM	512k x 8	平行线	12ns
71V65803S150PFGI	27.5600	RFQ	2	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v65803	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1	150 MHz	易挥发的	9Mbit	3.8 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
71v632s8pfg	1.6600	RFQ	299	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v632	sram-同步，sdr	3.135V〜3.63V	100-TQFP（14x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定	3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	2Mbit	8 ns	SRAM	64k x 32	平行线	-
71v546x5s133pfg	-	RFQ	5205	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v546	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x20）	-	不适用	3（168））	供应商不确定			1	133 MHz	易挥发的	4.5mbit	4.2 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71v416vl15beg	2.6600	RFQ	494	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	71v416v	sram-异步	3v〜3.6V	48-cabga（9x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定	3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	15 ns	SRAM	256K x 16	平行线	15ns
6116LA20SOGI	-	RFQ	3676	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	6116LA	sram-异步	4.5V〜5.5V	24-Soic	下载				Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	16kbit	20 ns	SRAM	2k x 8	平行线	20NS
71V3579S85PF	1.5000	RFQ	2	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v3579	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4.5mbit	8.5 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
71V2556S133BG	2.0100	RFQ	192	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	119-BGA	71v2556	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	4.5mbit	4.2 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71V3579S85PFI	2.0100	RFQ	342	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v3579	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4.5mbit	8.5 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
71v65603zs133pfg	6.0000	RFQ	121	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v65603	SRAM -ZBT	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x20）	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	9Mbit	4.2 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
71V67603S133PFG	-	RFQ	4148	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v67603	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	9Mbit	4.2 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
71v416vs10bei	-	RFQ	1920年	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	71v416v	sram-异步	3v〜3.6V	48-cabga（9x9）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS
71V3558S133PFG	7.6600	RFQ	633	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v3558	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	4.5mbit	4.2 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
6116SA20SOI	2.9400	RFQ	326	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	6116SA	sram-异步	4.5V〜5.5V	24-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	16kbit	20 ns	SRAM	2k x 8	平行线	20NS
6116LA45TPG	-	RFQ	8996	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	24- 浸（0.300英寸，7.62mm）	6116LA	sram-异步	4.5V〜5.5V	24-PDIP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	16kbit	45 ns	SRAM	2k x 8	平行线	45ns
71V67803S166PF	-	RFQ	5075	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v67803	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1	166 MHz	易挥发的	9Mbit	3.5 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
7M4048L85N	-	RFQ	3866	IDT，Integrated Device Technology Inc	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1
71V3559S80PF	-	RFQ	5095	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v3559	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4.5mbit	8 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
71v3576ys150pf	1.5000	RFQ	2	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v3576	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x20）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1	150 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.8 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71V3557S85PF	2.0100	RFQ	1	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v3557	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4.5mbit	8.5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（648）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²