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（648）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
71V124SA10Y	-	RFQ	1780年	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.400英寸，10.16毫米宽）	71v124	sram-异步	3.15v〜3.6V	32-soj	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	128K x 8	平行线	10NS
71V25761Y5S200PFG	-	RFQ	4459	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v25761	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x20）	-	不适用	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	200 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.1 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71V3559S85BQG	10.1900	RFQ	6566	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	71v3559	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4.5mbit	8.5 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
71256SA15PZG	-	RFQ	7339	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	28-tssop （0.465英寸，11.80mm宽度）	71256SA	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-tsop	下载					3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	256kbit	15 ns	SRAM	32K x 8	平行线	15ns
71V67803S166PFG	17.3400	RFQ	38	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v67803	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1	166 MHz	易挥发的	9Mbit	3.5 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
71V016SA10BFG	5.0600	RFQ	2522	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-LFBGA	71v016	sram-异步	3.15v〜3.6V	48-cabga（7x7）	下载					3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	64k x 16	平行线	10NS
71V67703S80BQ	26.6900	RFQ	216	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	71v67703	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	9Mbit	8 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
71V67803S133PFGI	-	RFQ	2687	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v67803	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	9Mbit	4.2 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
71V2546S150PFG	7.6600	RFQ	612	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v2546	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载						8542.32.0041	1	150 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.8 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71V67903S80PFGI	-	RFQ	3599	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v67903	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	9Mbit	8 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
71V67603S166PFG	34.1500	RFQ	242	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v67603	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1	166 MHz	易挥发的	9Mbit	3.5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
71V256SA12PZG8	3.6200	RFQ	2	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	28-tssop （0.465英寸，11.80mm宽度）	71v256	sram-异步	3v〜3.6V	28-tsop	下载					3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	256kbit	12 ns	SRAM	32K x 8	平行线	12ns
71256L25YI	-	RFQ	4050	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	71256L	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-soj	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	256kbit	25 ns	SRAM	32K x 8	平行线	25ns
71T75802S200BGGI	25.0000	RFQ	98	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	119-BGA	71T75802	sram-同步，SDR（ZBT）	2.375V〜2.625V	119-PBGA（14x22）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1	200 MHz	易挥发的	18mbit	3.2 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
71016S20PHG	-	RFQ	4405	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	71016	sram-异步	4.5V〜5.5V	44-TSOP II	下载					3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	20 ns	SRAM	64k x 16	平行线	20NS
71V416L12YG8	4.1400	RFQ	430	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	71v416l	sram-异步	3v〜3.6V	44-SOJ	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	12 ns	SRAM	256K x 16	平行线	12ns
71V67603S150BQ	-	RFQ	6658	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	71v67603	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	150 MHz	易挥发的	9Mbit	3.8 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
71V65603S133BGGI	29.1800	RFQ	84	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	119-BGA	71v65603	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	9Mbit	4.2 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
IDT71016S-15PH	3.5000	RFQ	619	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）		sram-异步	4.5V〜5.5V	44-TSOP II	-				3277-IDT71016S-15PH	Ear99	8542.32.0041	100		易挥发的	1Mbit		SRAM	64k x 16	平行线	15ns	未行业行业经验证
71v546s100pf	1.6600	RFQ	676	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v432	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	4.5mbit	5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71v416ys12phg	-	RFQ	8832	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	71v416y	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件				3A991B2A	8542.32.0041	26		易挥发的	4Mbit	12 ns	SRAM	256K x 16	平行线	12ns
71V65703S75BQ	26.6900	RFQ	183	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	71v65703	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	9Mbit	7.5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
71v416l10phg	6.5100	RFQ	1	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	71v416l	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载					3A991B2A	8542.32.0041	47		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS	未行业行业经验证
71V2556S100PFG	7.6600	RFQ	416	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v2556	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载						8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	4.5mbit	5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71V124SA15YGI	-	RFQ	1885年	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.400英寸，10.16毫米宽）	71v124	sram-异步	3v〜3.6V	32-soj	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	15 ns	SRAM	128K x 8	平行线	15ns
6116LA45SOGI	-	RFQ	7517	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	6116LA	sram-异步	4.5V〜5.5V	24-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	16kbit	45 ns	SRAM	2k x 8	平行线	45ns
71V547S80PF	1.6600	RFQ	360	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v547	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4.5mbit	8 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71P72804S250BQG	4.9900	RFQ	1	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	71p72	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-CABGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	250 MHz	易挥发的	18mbit	6.3 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
71V124HSA10PH	-	RFQ	2739	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.400英寸，10.16毫米宽）	71v124	sram-异步	3.15v〜3.6V	32-TSOP II	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	128K x 8	平行线	10NS
71V016SA10PHGI8	-	RFQ	1024	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	71v016	sram-异步	3.15v〜3.6V	44-TSOP II	下载					3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	64k x 16	平行线	10NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（648）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²