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（648）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
71V25761S200BG	3.3300	RFQ	651	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	119-BGA	71v25761	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1	200 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.1 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71V25761S166PF	-	RFQ	5709	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v25761	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x20）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1	166 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
6116SA20TPGI	-	RFQ	8996	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	24- 浸（0.300英寸，7.62mm）	6116SA	sram-异步	4.5V〜5.5V	24-PDIP	下载				Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	16kbit	20 ns	SRAM	2k x 8	平行线	20NS
71V546S133PF	1.6600	RFQ	986	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v546	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	4.5mbit	4.2 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71V35761S166BGGI	-	RFQ	2436	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	119-BGA	71v35761	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载	rohs3符合条件			3A991B2A	8542.32.0041	84	166 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71256SA12YI	-	RFQ	7687	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	71256SA	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-soj	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	256kbit	12 ns	SRAM	32K x 8	平行线	12ns
71V3558SA166BQG	-	RFQ	9585	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	71v3558	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载				3A991B2A	8542.32.0041	17	166 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.5 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
71V3578S150PFI	-	RFQ	6319	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v3578	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1	150 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.8 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
71P72804S250BQG	4.9900	RFQ	1	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	71p72	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-CABGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定	3A991B2A	8542.32.0041	1	250 MHz	易挥发的	18mbit	6.3 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
71T75702S75PFGI	-	RFQ	5419	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71T75702	sram-同步，SDR（ZBT）	2.375V〜2.625V	100-TQFP（14x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定	3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	18mbit	7.5 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
71V016SA10YG	-	RFQ	7664	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	71v016	sram-异步	3.15v〜3.6V	44-SOJ	下载				3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	64k x 16	平行线	10NS
71v546x5s133pfg	-	RFQ	5205	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v546	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x20）	-	不适用	3（168））	供应商不确定			1	133 MHz	易挥发的	4.5mbit	4.2 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71V256SA15YI	-	RFQ	4257	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	71v256	sram-异步	3v〜3.6V	28-soj	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	256kbit	15 ns	SRAM	32K x 8	平行线	15ns
71v3576ys133pfg	2.0100	RFQ	226	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v3576	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定	3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	4.5mbit	4.2 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71V67903S80PFGI	-	RFQ	3599	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v67903	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	9Mbit	8 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
7M4048L85N	-	RFQ	3866	IDT，Integrated Device Technology Inc	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1
71T75702S75PFG	-	RFQ	8106	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71T75702	sram-同步，SDR（ZBT）	2.375V〜2.625V	100-TQFP（14x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定	3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	18mbit	7.5 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
71016S12PH	1.3400	RFQ	373	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	71016	sram-异步	4.5V〜5.5V	44-TSOP II	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	64k x 16	平行线	12ns
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71V3557S80PFI	2.0100	RFQ	439	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v3557	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4.5mbit	8 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71T75802S100PFI	-	RFQ	5233	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71T75802	sram-同步，SDR（ZBT）	2.375V〜2.625V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	18mbit	5 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
71v432s5pfg	3.4000	RFQ	302	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v432	sram-同步，sdr	3.135V〜3.63V	100-TQFP（14x14）	下载	rohs3符合条件			3A991B2A	8542.32.0041	72	100 MHz	易挥发的	1Mbit	5 ns	SRAM	32K x 32	平行线	-
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71T75802S166PFG	-	RFQ	6752	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71T75802	sram-同步，SDR（ZBT）	2.375V〜2.625V	100-TQFP（14x14）	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1	166 MHz	易挥发的	18mbit	3.5 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
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6116SA150DB	-	RFQ	7482	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	24-CDIP （0.600英寸，15.24毫米）	6116SA	sram-异步	4.5V〜5.5V	24-CDIP	下载				3A001A2C	8542.32.0041	1		易挥发的	16kbit	150 ns	SRAM	2k x 8	平行线	150ns
71016S12PHGI	-	RFQ	4117	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	71016	sram-异步	4.5V〜5.5V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定	Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	64k x 16	平行线	12ns
71V016SA12BFG8	5.0600	RFQ	4	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-LFBGA	71v016	sram-异步	3v〜3.6V	48-cabga（7x7）	下载				3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	64k x 16	平行线	12ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（648）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²