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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 71T75802S133PFI | - | ![]() | 3429 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 71T75802 | sram-同步,SDR(ZBT) | 2.375V〜2.625V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 4.2 ns | SRAM | 1m x 18 | 平行线 | - | ||
![]() | 71T75802S100PFI | - | ![]() | 5233 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 71T75802 | sram-同步,SDR(ZBT) | 2.375V〜2.625V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 5 ns | SRAM | 1m x 18 | 平行线 | - | ||
![]() | 71T75602S200BG | 8.6600 | ![]() | 46 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 119-BGA | 71T75602 | sram-同步,SDR(ZBT) | 2.375V〜2.625V | 119-PBGA(14x22) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 3.2 ns | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | ||
![]() | 6116SA25SOGI | 5.4600 | ![]() | 89 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | 6116SA | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 24-Soic | 下载 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 16kbit | 25 ns | SRAM | 2k x 8 | 平行线 | 25ns | ||||||
![]() | 71016S20PHG | - | ![]() | 4405 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | 71016 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 44-TSOP II | 下载 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 1Mbit | 20 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 20NS | ||||||
![]() | 71V67803S166PFG | 17.3400 | ![]() | 38 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 71v67803 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 3.5 ns | SRAM | 512k x 18 | 平行线 | - | |||||
![]() | 71V67603S133PFG | - | ![]() | 4148 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 71v67603 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 4.2 ns | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | |||||
![]() | 71024S12YG | 1.9600 | ![]() | 989 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 32-bsoj(0.400英寸,10.16毫米宽) | 71024 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 32-soj | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 154 | 易挥发的 | 1Mbit | 12 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 12ns | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | 71V256SA12PZG8 | 3.6200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 28-tssop (0.465英寸,11.80mm宽度) | 71v256 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 28-tsop | 下载 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 256kbit | 12 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 12ns | ||||||
![]() | 71024S12YG8 | - | ![]() | 3264 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 32-bsoj(0.400英寸,10.16毫米宽) | 71024 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 32-soj | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 1Mbit | 12 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 12ns | ||||||
![]() | 71256L100TDB | 39.7300 | ![]() | 23 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜125°C(TA) | 通过洞 | 28-CDIP (0.300英寸,7.62mm) | 71256L | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-CDIP | 下载 | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 256kbit | 100 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 100ns | ||||||
![]() | 7164S55DB | - | ![]() | 6833 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜125°C(TA) | 通过洞 | 28-CDIP (0.600英寸,15.24毫米) | 7164 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-CDIP | 下载 | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 64kbit | 55 ns | SRAM | 8k x 8 | 平行线 | 55ns | ||||||
![]() | 71V3559S85BQG | 10.1900 | ![]() | 6566 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | 71v3559 | sram-同步,SDR(ZBT) | 3.135V〜3.465V | 165-CABGA(13x15) | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4.5mbit | 8.5 ns | SRAM | 256K x 18 | 平行线 | - | ||||||
![]() | 71V3577S85BGI | 10.8200 | ![]() | 740 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 119-BGA | 71v3577 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 119-PBGA(14x22) | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 87 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 8.5 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | |||||
![]() | 7164L45TDB | - | ![]() | 5295 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜125°C(TA) | 通过洞 | 28-CDIP (0.300英寸,7.62mm) | 7164L | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-CDIP | 下载 | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 64kbit | 45 ns | SRAM | 8k x 8 | 平行线 | 45ns | ||||||
![]() | 7164S25TDB | - | ![]() | 7133 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜125°C(TA) | 通过洞 | 28-CDIP (0.300英寸,7.62mm) | 7164 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-CDIP | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | 易挥发的 | 64kbit | 25 ns | SRAM | 8k x 8 | 平行线 | 25ns | |||||||
![]() | 7164S55TDB | - | ![]() | 2841 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜125°C(TA) | 通过洞 | 28-CDIP (0.300英寸,7.62mm) | 7164 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-CDIP | 下载 | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 64kbit | 55 ns | SRAM | 8k x 8 | 平行线 | 55ns | ||||||
![]() | 6116SA25SOG | 5.2200 | ![]() | 159 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 24-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | 6116SA | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 24-Soic | 下载 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 16kbit | 25 ns | SRAM | 2k x 8 | 平行线 | 25ns | ||||||
![]() | 71V35761SA166BQGI | - | ![]() | 5149 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | 71v35761 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 165-CABGA(13x15) | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 3.5 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | |||||
![]() | 71V3556SA133BG | 10.1900 | ![]() | 527 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 119-BGA | 71v3556 | sram-同步,SDR(ZBT) | 3.135V〜3.465V | 119-PBGA(14x22) | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 4.2 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | |||||
![]() | 71V016SA10YG | - | ![]() | 7664 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 44-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) | 71v016 | sram-异步 | 3.15v〜3.6V | 44-SOJ | 下载 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 1Mbit | 10 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 10NS | ||||||
![]() | 71V65703S85BQG | 26.6900 | ![]() | 104 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | 71v65703 | sram-同步,SDR(ZBT) | 3.135V〜3.465V | 165-CABGA(13x15) | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 9Mbit | 8.5 ns | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | ||||||
![]() | 71V65903S85BQG | 26.6900 | ![]() | 67 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | 71v65903 | sram-同步,SDR(ZBT) | 3.135V〜3.465V | 165-CABGA(13x15) | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 9Mbit | 8.5 ns | SRAM | 512k x 18 | 平行线 | - | ||||||
![]() | 6116SA150DB | - | ![]() | 7482 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜125°C(TA) | 通过洞 | 24-CDIP (0.600英寸,15.24毫米) | 6116SA | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 24-CDIP | 下载 | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 16kbit | 150 ns | SRAM | 2k x 8 | 平行线 | 150ns | ||||||
![]() | 71124S15YG | 4.1000 | ![]() | 676 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 32-bsoj(0.400英寸,10.16毫米宽) | 71124 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 32-soj | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 1Mbit | 15 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 15ns | ||||||
![]() | 71256S35DB | 37.2500 | ![]() | 37 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜125°C(TA) | 通过洞 | 28-CDIP (0.600英寸,15.24毫米) | 71256 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-CDIP | 下载 | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 256kbit | 35 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 35ns | ||||||
![]() | 71V2556S133PFGI | - | ![]() | 7460 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 71v2556 | sram-同步,SDR(ZBT) | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 4.2 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | ||||||
![]() | 71V016SA12YGI | - | ![]() | 7666 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) | 71v016 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 44-SOJ | 下载 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 1Mbit | 12 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 12ns | ||||||
![]() | 7164S25YG | 3.8100 | ![]() | 6975 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 28-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) | 7164 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-soj | 下载 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 64kbit | 25 ns | SRAM | 8k x 8 | 平行线 | 25ns | ||||||
![]() | 71V65703S75BQ | 26.6900 | ![]() | 183 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | 71v65703 | sram-同步,SDR(ZBT) | 3.135V〜3.465V | 165-CABGA(13x15) | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 9Mbit | 7.5 ns | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - |
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