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（648）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
71V67703S80PFG	19.8800	RFQ	95	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v67703	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	9Mbit	8 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
71024S20YG	-	RFQ	3310	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.400英寸，10.16毫米宽）	71024	sram-异步	4.5V〜5.5V	32-soj	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	20 ns	SRAM	128K x 8	平行线	20NS
71T75602S200BG	8.6600	RFQ	46	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	119-BGA	71T75602	sram-同步，SDR（ZBT）	2.375V〜2.625V	119-PBGA（14x22）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	200 MHz	易挥发的	18mbit	3.2 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
71V016SA15PHI	-	RFQ	2929	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	71v016	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	15 ns	SRAM	64k x 16	平行线	15ns
71V2546S150PFG	7.6600	RFQ	612	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v2546	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载						8542.32.0041	1	150 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.8 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
6116SA35TP	2.8000	RFQ	778	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	24- 浸（0.300英寸，7.62mm）	6116SA	sram-异步	4.5V〜5.5V	24-PDIP	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	16kbit	35 ns	SRAM	2k x 8	平行线	35ns
71V67703S80BQ	26.6900	RFQ	216	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	71v67703	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	9Mbit	8 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
71P72804S200BQG	6.6800	RFQ	161	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	71p72	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-CABGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	200 MHz	易挥发的	18mbit	7.88 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
71V65603S100PFI	4.5000	RFQ	1	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v65603	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	9Mbit	5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
71V2556S133PFGI	-	RFQ	7460	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v2556	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载						8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	4.5mbit	4.2 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71V416S12PH	-	RFQ	9847	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	71v416s	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	12 ns	SRAM	256K x 16	平行线	12ns
71V547S80PF	1.6600	RFQ	360	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v547	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4.5mbit	8 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71V35761SA200BG	14.7800	RFQ	29	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	119-BGA	71v35761	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1	200 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.1 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
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71V2556S133BG	2.0100	RFQ	192	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	119-BGA	71v2556	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	4.5mbit	4.2 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71V65603S133BGGI	29.1800	RFQ	84	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	119-BGA	71v65603	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	9Mbit	4.2 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
71256S85DB	37.2500	RFQ	135	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	28-CDIP （0.600英寸，15.24毫米）	71256	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-CDIP	下载					3A001A2C	8542.32.0041	1		易挥发的	256kbit	85 ns	SRAM	32K x 8	平行线	85ns
71V016SA10BFG	5.0600	RFQ	2522	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-LFBGA	71v016	sram-异步	3.15v〜3.6V	48-cabga（7x7）	下载					3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	64k x 16	平行线	10NS
71V3557S85PFGI	9.4300	RFQ	372	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v3557	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4.5mbit	8.5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71V67603S166PF	4.5000	RFQ	5	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v67603	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	166 MHz	易挥发的	9Mbit	3.5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
71V3558S133PF	2.0100	RFQ	163	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v3558	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	4.5mbit	4.2 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
71V416L15BEG8	-	RFQ	4673	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	71v416l	sram-异步	3v〜3.6V	48-cabga（9x9）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	15 ns	SRAM	256K x 16	平行线	15ns
71V3559S85BQG	10.1900	RFQ	6566	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	71v3559	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4.5mbit	8.5 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
71V124SA12PHI	-	RFQ	4853	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.400英寸，10.16毫米宽）	71v124	sram-异步	3v〜3.6V	32-TSOP II	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	128K x 8	平行线	12ns
71V3577S85BGI	10.8200	RFQ	740	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	119-BGA	71v3577	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1	87 MHz	易挥发的	4.5mbit	8.5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71v432s6pfg	3.4000	RFQ	1	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v432	sram-同步，sdr	3.135V〜3.63V	100-TQFP（14x14）	下载	rohs3符合条件				3A991B2A	8542.32.0041	72	83 MHz	易挥发的	1Mbit	6 ns	SRAM	32K x 32	平行线	-
71V3559S80PFG	7.6600	RFQ	338	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v3559	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4.5mbit	8 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
71V67602S166PFG	26.6900	RFQ	211	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v67602	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1	166 MHz	易挥发的	9Mbit	3.5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
71V124SA12TYGI	-	RFQ	4152	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	71v124	sram-异步	3v〜3.6V	32-soj	下载					3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	128K x 8	平行线	12ns
IDT71016S-15PH	3.5000	RFQ	619	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）		sram-异步	4.5V〜5.5V	44-TSOP II	-				3277-IDT71016S-15PH	Ear99	8542.32.0041	100		易挥发的	1Mbit		SRAM	64k x 16	平行线	15ns	未行业行业经验证

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

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2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²