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参考图片	产品编号	（（（）	数量	ECAD	可用数量	（kg）	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
	71V67703S85BQG	26.6900	RFQ		65	0.00000000	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	71v67703	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1	87 MHz	易挥发的	9Mbit	8.5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
	71V65603S100BGI	29.1800	RFQ		181	0.00000000	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	119-BGA	71v65603	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	9Mbit	5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
	71V3559S80BQI	10.8200	RFQ		746	0.00000000	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	71v3559	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4.5mbit	8 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
	71V3556SA133BGG	11.1600	RFQ		35	0.00000000	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	119-BGA	71v3556	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	4.5mbit	4.2 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
	71T75802S100PFI8	-	RFQ		2110	0.00000000	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71T75802	sram-同步，SDR（ZBT）	2.375V〜2.625V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	18mbit	5 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
	71V256SA10YG	-	RFQ		4281	0.00000000	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	28-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	71v256	sram-异步	3v〜3.6V	28-soj	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	256kbit	10 ns	SRAM	32K x 8	平行线	10NS
	71v547x5s80pfg	-	RFQ		1200	0.00000000	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v547	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	-	不适用	3（168））	供应商不确定	3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4.5mbit	8 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
	71V3578S133PFGI	11.9100	RFQ		26	0.00000000	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v3578	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	4.5mbit	4.2 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
	71V3579SA75BQG	-	RFQ		1897年	0.00000000	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	71v3579	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定	3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4.5mbit	7.5 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
	71V424S15PHGI	7.7000	RFQ		176	0.00000000	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	71v424	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	15 ns	SRAM	512k x 8	平行线	15ns
	71V3577S75BQG	8.6800	RFQ		259	0.00000000	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	71v3577	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1	117 MHz	易挥发的	4.5mbit	7.5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
	71V016SA15PH	1.0700	RFQ		8373	0.00000000	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	71v016	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	15 ns	SRAM	64k x 16	平行线	15ns
	71V547S80PFG	7.1700	RFQ		1	0.00000000	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v547	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4.5mbit	8 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
	71V016SA15Y	1.0700	RFQ		5121	0.00000000	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	71v016	sram-异步	3v〜3.6V	44-SOJ	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	15 ns	SRAM	64k x 16	平行线	15ns
	71v424l10phg	-	RFQ		6286	0.00000000	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	71v424	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	512k x 8	平行线	10NS
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	71v546xs133pfg	1.6600	RFQ		337	0.00000000	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v546	sram-同步，ZBT	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x20）	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	4.5mbit	4.2 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
	71V35761S200BG	3.3300	RFQ		170	0.00000000	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	119-BGA	71v35761	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载	Rohs不合规			3A991B2A	8542.32.0041	84	200 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.1 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-

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