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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
71V3577YS85PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71v3577ys85pfg 2.0100
RFQ
ECAD 906 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v3577 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3A991B2A 8542.32.0041 72 87 MHz 易挥发的 4.5mbit 8.5 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
7164L25DB IDT, Integrated Device Technology Inc 7164L25DB -
RFQ
ECAD 7568 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -55°C〜125°C(TA) 通过洞 28-CDIP (0.600英寸,15.24毫米) 7164L sram-异步 4.5V〜5.5V 28-CDIP 下载 3A001A2C 8542.32.0041 1 易挥发的 64kbit 25 ns SRAM 8k x 8 平行线 25ns
71T75602S100PF IDT, Integrated Device Technology Inc 71T75602S100PF 6.6800
RFQ
ECAD 428 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71T75602 sram-同步,SDR(ZBT) 2.375V〜2.625V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 易挥发的 18mbit 5 ns SRAM 512k x 36 平行线 -
71V424YS15PHGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71v424ys15phgi -
RFQ
ECAD 7011 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 管子 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) 71v424 sram-异步 3v〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3A991B2A 8542.32.0041 26 易挥发的 4Mbit 15 ns SRAM 512k x 8 平行线 15ns
71V67603S133PF IDT, Integrated Device Technology Inc 71V67603S133PF 6.0000
RFQ
ECAD 219 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v67603 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 易挥发的 9Mbit 4.2 ns SRAM 256K x 36 平行线 -
71V2556S100PF IDT, Integrated Device Technology Inc 71V2556S100PF 1.5000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v2556 sram-同步,SDR(ZBT) 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 易挥发的 4.5mbit 5 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
71V3559S80BQI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3559S80BQI 10.8200
RFQ
ECAD 746 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-TBGA 71v3559 sram-同步,SDR(ZBT) 3.135V〜3.465V 165-CABGA(13x15) 下载 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4.5mbit 8 ns SRAM 256K x 18 平行线 -
71V3577S80PFI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3577S80PFI 1.5000
RFQ
ECAD 379 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v3577 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4.5mbit 8 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
71V67603ZS133PF IDT, Integrated Device Technology Inc 71v67603zs133pf 6.0000
RFQ
ECAD 120 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v67603 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 易挥发的 9Mbit 4.2 ns SRAM 256K x 36 平行线 -
71V65903S80PFI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V65903S80PFI 6.0000
RFQ
ECAD 155 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v65903 sram-同步,SDR(ZBT) 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 9Mbit 8 ns SRAM 512k x 18 平行线 -
71T75802S200PFGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71T75802S200PFGI 55.1700
RFQ
ECAD 10 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71T75802 sram-同步,SDR(ZBT) 2.375V〜2.625V 100-TQFP(14x14) 下载 3A991B2A 8542.32.0041 1 200 MHz 易挥发的 18mbit 3.2 ns SRAM 1m x 18 平行线 -
71V424L10PHG IDT, Integrated Device Technology Inc 71v424l10phg -
RFQ
ECAD 6286 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) 71v424 sram-异步 3v〜3.6V 44-TSOP II 下载 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4Mbit 10 ns SRAM 512k x 8 平行线 10NS
71V67703S85BQI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V67703S85BQI 29.1800
RFQ
ECAD 28 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-TBGA 71v67703 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 165-CABGA(13x15) 下载 3A991B2A 8542.32.0041 1 87 MHz 易挥发的 9Mbit 8.5 ns SRAM 256K x 36 平行线 -
71V67602S166BQG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V67602S166BQG -
RFQ
ECAD 7364 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-TBGA 71v67602 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 165-CABGA(13x15) 下载 不适用 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 易挥发的 9Mbit 3.5 ns SRAM 256K x 36 平行线 -
71V65602S133PF IDT, Integrated Device Technology Inc 71V65602S133PF -
RFQ
ECAD 8770 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v65602 sram-同步,SDR(ZBT) 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 易挥发的 9Mbit 4.2 ns SRAM 256K x 36 平行线 -
71V416S15YGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V416S15YGI -
RFQ
ECAD 8272 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) 71v416s sram-异步 3v〜3.6V 44-SOJ 下载 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4Mbit 15 ns SRAM 256K x 16 平行线 15ns
71V3579S80PFGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3579S80PFGI 11.0800
RFQ
ECAD 251 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v3579 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 易挥发的 4.5mbit 8 ns SRAM 256K x 18 平行线 -
71V3558S133PFI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3558S133PFI 1.5000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v3558 sram-同步,SDR(ZBT) 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 易挥发的 4.5mbit 4.2 ns SRAM 256K x 18 平行线 -
71V416S12PHI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V416S12PHI -
RFQ
ECAD 5412 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) 71v416s sram-异步 3v〜3.6V 44-TSOP II 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4Mbit 12 ns SRAM 256K x 16 平行线 12ns
71T75602S200BGG IDT, Integrated Device Technology Inc 71T75602S200BGG 8.6600
RFQ
ECAD 214 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 119-BGA 71T75602 sram-同步,SDR(ZBT) 2.375V〜2.625V 119-PBGA(14x22) 下载 3A991B2A 8542.32.0041 1 200 MHz 易挥发的 18mbit 3.2 ns SRAM 512k x 36 平行线 -
71T75602S166BGG IDT, Integrated Device Technology Inc 71T75602S166BGG 44.5700
RFQ
ECAD 11 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 119-BGA 71T75602 sram-同步,SDR(ZBT) 2.375V〜2.625V 119-PBGA(14x22) 下载 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 易挥发的 18mbit 3.5 ns SRAM 512k x 36 平行线 -
71V547S100PF IDT, Integrated Device Technology Inc 71V547S100PF 1.6600
RFQ
ECAD 4 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v547 sram-同步,SDR(ZBT) 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4.5mbit 10 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
71V3578Y5S133PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3578Y5S133PFG -
RFQ
ECAD 4063 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v3578 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x20) 下载 不适用 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 易挥发的 4.5mbit 4.2 ns SRAM 256K x 18 平行线 -
71V67603S150PF IDT, Integrated Device Technology Inc 71V67603S150PF -
RFQ
ECAD 9153 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v67603 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 150 MHz 易挥发的 9Mbit 3.8 ns SRAM 256K x 36 平行线 -
71V67803S150PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71v67803s150pfg 14.8000
RFQ
ECAD 28 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v67803 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 3A991B2A 8542.32.0041 1 150 MHz 易挥发的 9Mbit 3.8 ns SRAM 512k x 18 平行线 -
71256SA15TPGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71256SA15TPGI -
RFQ
ECAD 1513年 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 通过洞 28- 浸(0.300英寸,7.62mm) 71256SA sram-异步 4.5V〜5.5V 28-pdip 下载 3A991B2B 8542.32.0041 1 易挥发的 256kbit 15 ns SRAM 32K x 8 平行线 15ns
71V2556XS133PF IDT, Integrated Device Technology Inc 71V2556XS133PF 2.0100
RFQ
ECAD 4546 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v2556 sram-同步,SDR(ZBT) 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 易挥发的 4.5mbit 4.2 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
71V3559S75PFGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3559S75PFGI 2.0100
RFQ
ECAD 262 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v3559 sram-同步,SDR(ZBT) 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 rohs3符合条件 3A991B2A 8542.32.0041 72 易挥发的 4.5mbit 7.5 ns SRAM 256K x 18 平行线 -
71V3578YS133PF IDT, Integrated Device Technology Inc 71v3578ys133pf 2.0100
RFQ
ECAD 359 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v3578 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x20) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 易挥发的 4.5mbit 4.2 ns SRAM 256K x 18 平行线 -
71V547X5S80PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71v547x5s80pfg -
RFQ
ECAD 1200 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v547 sram-同步,SDR(ZBT) 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) - 不适用 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4.5mbit 8 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库