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（648）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
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71V65703S80BG	26.6900	RFQ	1	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	119-BGA	71v65703	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	9Mbit	8 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
71V3556S166PFG	7.9600	RFQ	3	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v3556	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1	166 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71v632s6pfg	-	RFQ	4015	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v632	sram-同步，sdr	3.135V〜3.63V	100-TQFP（14x14）	下载	rohs3符合条件			3A991B2A	8542.32.0041	144	83 MHz	易挥发的	2Mbit	6 ns	SRAM	64k x 32	平行线	-
71T75802S100PFI8	-	RFQ	2110	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71T75802	sram-同步，SDR（ZBT）	2.375V〜2.625V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	18mbit	5 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
71V416S15PH	2.3100	RFQ	5227	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	71v416s	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	15 ns	SRAM	256K x 16	平行线	15ns
71T75902S75BGG	55.7200	RFQ	2062	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	119-BGA	71T75902	sram-同步，SDR（ZBT）	2.375V〜2.625V	119-PBGA（14x22）	下载				3A991B2A	8542.32.0041	4		易挥发的	18mbit	7.5 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
71V35761SA166BGGI	-	RFQ	6710	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	119-BGA	71v35761	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载					0000.00.0000	1	166 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71V256SA10PZ	-	RFQ	7474	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	28-tssop （0.465英寸，11.80mm宽度）	71v256	sram-异步	3v〜3.6V	28-tsop	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	256kbit	10 ns	SRAM	32K x 8	平行线	10NS
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71V2576S150PFI	-	RFQ	4540	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v2576	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1	150 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.8 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71V3559S75PF	-	RFQ	2755	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v3559	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4.5mbit	7.5 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
71V3577S75BG	8.6800	RFQ	5324	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	119-BGA	71v3577	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1	117 MHz	易挥发的	4.5mbit	7.5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71016S20PHI	1.5100	RFQ	4436	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	71016	sram-异步	4.5V〜5.5V	44-TSOP II	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	20 ns	SRAM	64k x 16	平行线	20NS
71V3559S75PFGI	2.0100	RFQ	262	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v3559	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	rohs3符合条件			3A991B2A	8542.32.0041	72		易挥发的	4.5mbit	7.5 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
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71V2576S150PF	1.5000	RFQ	3	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v2576	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1	150 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.8 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
7MBV4153S50CB	66.6600	RFQ	120	IDT，Integrated Device Technology Inc	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定	3A991B2A	8542.32.0041	1
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71v124sa10phg	-	RFQ	6346	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.400英寸，10.16毫米宽）	71v124	sram-异步	3.15v〜3.6V	32-TSOP II	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	128K x 8	平行线	10NS
71v416vs15phg	2.0100	RFQ	231	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	71v416v	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定	3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	15 ns	SRAM	256K x 16	平行线	15ns
71V65903S85BQ	26.6900	RFQ	21	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	71v65903	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	9Mbit	8.5 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
71V256SA20YI	-	RFQ	2676	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	71v256	sram-异步	3v〜3.6V	28-soj	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	256kbit	20 ns	SRAM	32K x 8	平行线	20NS
71V2546S100PF	-	RFQ	4822	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v2546	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	4.5mbit	5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71V67803S150PFGI	15.8700	RFQ	24	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v67803	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1	150 MHz	易挥发的	9Mbit	3.8 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
71V547S100PF	1.6600	RFQ	4	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v547	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4.5mbit	10 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
6116LA20TPGI	-	RFQ	9891	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	24- 浸（0.300英寸，7.62mm）	6116LA	sram-异步	4.5V〜5.5V	24-PDIP	下载				Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	16kbit	20 ns	SRAM	2k x 8	平行线	20NS
71V35761S200BGGI	3.3300	RFQ	4009	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	119-BGA	71v35761	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载	rohs3符合条件			3A991B2A	8542.32.0041	84	200 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.1 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71T75802S200PFGI	55.1700	RFQ	10	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71T75802	sram-同步，SDR（ZBT）	2.375V〜2.625V	100-TQFP（14x14）	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1	200 MHz	易挥发的	18mbit	3.2 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（648）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²