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![]() | 71V416S15YGI | - | ![]() | 8272 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) | 71v416s | sram-异步 | 3v〜3.6V | 44-SOJ | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4Mbit | 15 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 15ns | |||||
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![]() | 71V3558S133PFI | 1.5000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 71v3558 | sram-同步,SDR(ZBT) | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 4.2 ns | SRAM | 256K x 18 | 平行线 | - | |
![]() | 71V416S12PHI | - | ![]() | 5412 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | 71v416s | sram-异步 | 3v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4Mbit | 12 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 12ns | ||
![]() | 71T75602S200BGG | 8.6600 | ![]() | 214 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 119-BGA | 71T75602 | sram-同步,SDR(ZBT) | 2.375V〜2.625V | 119-PBGA(14x22) | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 3.2 ns | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | ||||
![]() | 71T75602S166BGG | 44.5700 | ![]() | 11 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 119-BGA | 71T75602 | sram-同步,SDR(ZBT) | 2.375V〜2.625V | 119-PBGA(14x22) | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 3.5 ns | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | ||||
![]() | 71V547S100PF | 1.6600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 71v547 | sram-同步,SDR(ZBT) | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4.5mbit | 10 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | ||
![]() | 71V3578Y5S133PFG | - | ![]() | 4063 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 71v3578 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x20) | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 4.2 ns | SRAM | 256K x 18 | 平行线 | - | |
![]() | 71V67603S150PF | - | ![]() | 9153 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 71v67603 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 150 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 3.8 ns | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | |
![]() | 71v67803s150pfg | 14.8000 | ![]() | 28 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 71v67803 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 150 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 3.8 ns | SRAM | 512k x 18 | 平行线 | - | ||||
![]() | 71256SA15TPGI | - | ![]() | 1513年 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 28- 浸(0.300英寸,7.62mm) | 71256SA | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-pdip | 下载 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 256kbit | 15 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 15ns | |||||
![]() | 71V2556XS133PF | 2.0100 | ![]() | 4546 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 71v2556 | sram-同步,SDR(ZBT) | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 4.2 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | |
![]() | 71V3559S75PFGI | 2.0100 | ![]() | 262 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 71v3559 | sram-同步,SDR(ZBT) | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 易挥发的 | 4.5mbit | 7.5 ns | SRAM | 256K x 18 | 平行线 | - | ||||
![]() | 71v3578ys133pf | 2.0100 | ![]() | 359 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 71v3578 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x20) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 4.2 ns | SRAM | 256K x 18 | 平行线 | - | |
![]() | 71v547x5s80pfg | - | ![]() | 1200 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 71v547 | sram-同步,SDR(ZBT) | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14) | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4.5mbit | 8 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - |
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