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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 71256L25TDB | 39.7300 | ![]() | 5817 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜125°C(TA) | 通过洞 | 28-CDIP (0.300英寸,7.62mm) | 71256L | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-CDIP | 下载 | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 256kbit | 25 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 25ns | ||
![]() | 71T75602S133BG | 42.2200 | ![]() | 24 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 119-BGA | 71T75602 | sram-同步,SDR(ZBT) | 2.375V〜2.625V | 119-PBGA(14x22) | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 4.2 ns | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | |
![]() | 71V016SA12YG | - | ![]() | 9511 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 44-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) | 71v016 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 44-SOJ | 下载 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 1Mbit | 12 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 12ns | ||
![]() | 71256L25YGI | - | ![]() | 6415 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 28-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) | 71256L | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-soj | 下载 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 256kbit | 25 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 25ns | ||
![]() | 71V256SA12PZG | 3.6200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 28-tssop (0.465英寸,11.80mm宽度) | 71v256 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 28-tsop | 下载 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 256kbit | 12 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 12ns | ||
![]() | 71V3577S75BQG | 8.6800 | ![]() | 259 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | 71v3577 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 165-CABGA(13x15) | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 117 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 7.5 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | |
![]() | 71V3577S85PFG | 6.8200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 71v3577 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 87 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 8.5 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | |
![]() | 71V3556SA166BGGI | 12.0500 | ![]() | 458 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 119-BGA | 71v3556 | sram-同步,SDR(ZBT) | 3.135V〜3.465V | 119-PBGA(14x22) | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 3.5 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | |
![]() | 71V3577S80PFGI | 8.0900 | ![]() | 172 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 71v3577 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 8 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | |
![]() | 71V67903S80PFG | 14.7400 | ![]() | 534 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 71v67903 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 8 ns | SRAM | 512k x 18 | 平行线 | - | |
![]() | 71v67602s150pfg | - | ![]() | 5142 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 71v67602 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 150 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 3.8 ns | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | |
![]() | 71V256SA15YGI | - | ![]() | 2925 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 28-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) | 71v256 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 28-soj | 下载 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 256kbit | 15 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | 71V424S15PHGI | 7.7000 | ![]() | 176 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | 71v424 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4Mbit | 15 ns | SRAM | 512k x 8 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | 6116LA25SOG | - | ![]() | 6081 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 24-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | 6116LA | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 24-Soic | 下载 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 16kbit | 25 ns | SRAM | 2k x 8 | 平行线 | 25ns | ||
![]() | 71T75602S166BGI | 46.5600 | ![]() | 17 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 119-BGA | 71T75602 | sram-同步,SDR(ZBT) | 2.375V〜2.625V | 119-PBGA(14x22) | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 3.5 ns | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | |
![]() | 71V3579S85PFGI | - | ![]() | 8650 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 71v3579 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 87 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 8.5 ns | SRAM | 256K x 18 | 平行线 | - | |
![]() | 71V3559S80BG | 7.6600 | ![]() | 677 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 119-BGA | 71v3559 | sram-同步,SDR(ZBT) | 3.135V〜3.465V | 119-PBGA(14x22) | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4.5mbit | 8 ns | SRAM | 256K x 18 | 平行线 | - | ||
![]() | 7164L25TDB | - | ![]() | 5347 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜125°C(TA) | 通过洞 | 28-CDIP (0.300英寸,7.62mm) | 7164L | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-CDIP | 下载 | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 64kbit | 25 ns | SRAM | 8k x 8 | 平行线 | 25ns | ||
![]() | 71T75602S100BG | 42.2200 | ![]() | 132 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 119-BGA | 71T75602 | sram-同步,SDR(ZBT) | 2.375V〜2.625V | 119-PBGA(14x22) | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 5 ns | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | |
![]() | 71V3579S65PFG | 10.2400 | ![]() | 652 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 71v3579 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x20) | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 6.5 ns | SRAM | 256K x 18 | 平行线 | - | |
![]() | 7164L85DB | - | ![]() | 3485 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜125°C(TA) | 通过洞 | 28-CDIP (0.600英寸,15.24毫米) | 7164L | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-CDIP | 下载 | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 64kbit | 85 ns | SRAM | 8k x 8 | 平行线 | 85ns | ||
![]() | 71V416L15PHGI8 | - | ![]() | 7039 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | 71v416l | sram-异步 | 3v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4Mbit | 15 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | 71V3578S133PFGI | 11.9100 | ![]() | 26 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 71v3578 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 4.2 ns | SRAM | 256K x 18 | 平行线 | - | |
![]() | 71V124SA12YG | - | ![]() | 1116 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 32-bsoj(0.400英寸,10.16毫米宽) | 71v124 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 32-soj | 下载 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 1Mbit | 12 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 12ns | ||
![]() | 71016S20PHGI | 3.7300 | ![]() | 139 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | 71016 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 44-TSOP II | 下载 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 1Mbit | 20 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 20NS | ||
![]() | 71v016sa20phg | - | ![]() | 4290 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | 71v016 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 1Mbit | 20 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 20NS | ||
![]() | 71V67603S133BGGI | 35.0200 | ![]() | 4593 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 119-BGA | 71v67603 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 119-PBGA(14x22) | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 6 | 133 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 4.2 ns | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | |
![]() | 71256L55TDB | 39.7300 | ![]() | 107 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜125°C(TA) | 通过洞 | 28-CDIP (0.300英寸,7.62mm) | 71256L | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-CDIP | 下载 | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 256kbit | 55 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 55ns | ||
![]() | 71V3578S133PFG | 7.6600 | ![]() | 564 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 71v3578 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 4.2 ns | SRAM | 256K x 18 | 平行线 | - | |
![]() | 71256SA15TPGI | - | ![]() | 1513年 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 28- 浸(0.300英寸,7.62mm) | 71256SA | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-pdip | 下载 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 256kbit | 15 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 15ns |
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