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（648）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
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71256TTSA15YG	-	RFQ	9040	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	28-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	71256TT	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-soj	下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.32.0041	27		易挥发的	256kbit	15 ns	SRAM	32K x 8	平行线	15ns
6116LA45TPG	-	RFQ	8996	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	24- 浸（0.300英寸，7.62mm）	6116LA	sram-异步	4.5V〜5.5V	24-PDIP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	16kbit	45 ns	SRAM	2k x 8	平行线	45ns
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71V016SA12BFI	4.4700	RFQ	149	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-LFBGA	71v016	sram-异步	3v〜3.6V	48-cabga（7x7）	下载					3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	64k x 16	平行线	12ns
71V67903S75PFGI	16.2900	RFQ	67	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v67903	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1	117 MHz	易挥发的	9Mbit	7.5 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
71V3578S150PFG	7.6600	RFQ	141	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v3578	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1	150 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.8 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
71V016SA15BF	4.1000	RFQ	783	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-LFBGA	71v016	sram-异步	3v〜3.6V	48-cabga（7x7）	下载					3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	15 ns	SRAM	64k x 16	平行线	15ns
71T75802S150BG	42.2200	RFQ	17	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	119-BGA	71T75802	sram-同步，SDR（ZBT）	2.375V〜2.625V	119-PBGA（14x22）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1	150 MHz	易挥发的	18mbit	3.8 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
71V65803S100PFI	6.0000	RFQ	155	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v65803	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	9Mbit	5 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
71V424L15YG	4.5600	RFQ	6347	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	36-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	71v424	sram-异步	3v〜3.6V	36-SOJ	下载					3A991B2A	8542.32.0041	46		易挥发的	4Mbit	15 ns	SRAM	512k x 8	平行线	15ns
71V3557S75BG	10.1900	RFQ	10	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	119-BGA	71v3557	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4.5mbit	7.5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71V124HSA10PH	-	RFQ	2739	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.400英寸，10.16毫米宽）	71v124	sram-异步	3.15v〜3.6V	32-TSOP II	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	128K x 8	平行线	10NS
71V3577S80BQI	-	RFQ	9610	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	71v3577	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	4.5mbit	8 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71T75802S133PFI	-	RFQ	3429	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71T75802	sram-同步，SDR（ZBT）	2.375V〜2.625V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	18mbit	4.2 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
71V416L15PHI	2.2600	RFQ	7799	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	71v416l	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	15 ns	SRAM	256K x 16	平行线	15ns
71V25761S183PFI	2.0100	RFQ	7372	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v25761	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x20）	-	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	2156-71V25761S183PFI	3A991B2A	8542.32.0041	1	183 MHz	易挥发的	4.5mbit	5.5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-	未行业行业经验证
71v416vs10bei	-	RFQ	1920年	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	71v416v	sram-异步	3v〜3.6V	48-cabga（9x9）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS
71V67603S133PFG	-	RFQ	4148	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v67603	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	9Mbit	4.2 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
6116LA20SOGI	-	RFQ	3676	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	6116LA	sram-异步	4.5V〜5.5V	24-Soic	下载					Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	16kbit	20 ns	SRAM	2k x 8	平行线	20NS
71V546S133PFI	-	RFQ	2667	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v546	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	4.5mbit	4.2 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
7164S55DB	-	RFQ	6833	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	28-CDIP （0.600英寸，15.24毫米）	7164	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-CDIP	下载					3A001A2C	8542.32.0041	1		易挥发的	64kbit	55 ns	SRAM	8k x 8	平行线	55ns
7164l20ygi	3.8100	RFQ	2	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	7164L	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-soj	下载					Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	64kbit	20 ns	SRAM	8k x 8	平行线	20NS
71V35761SA166BQGI	-	RFQ	5149	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	71v35761	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1	166 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71V124SA10TY	-	RFQ	4684	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	71v124	sram-异步	3.15v〜3.6V	32-soj	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	128K x 8	平行线	10NS
7164S20DB	33.6800	RFQ	13	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	28-CDIP （0.600英寸，15.24毫米）	7164	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-CDIP	下载					3A001A2C	8542.32.0041	1		易挥发的	64kbit	20 ns	SRAM	8k x 8	平行线	20NS
71v424l10yg	4.5600	RFQ	1049	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	36-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	71v424	sram-异步	3v〜3.6V	36-SOJ	下载					3A991B2A	8542.32.0041	46		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	512k x 8	平行线	10NS
71V3558S133PFG	7.6600	RFQ	633	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v3558	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	4.5mbit	4.2 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
71v424yl10yi	-	RFQ	4435	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	36-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	71v424	sram-异步	3v〜3.6V	36-SOJ	-	不适用	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	512k x 8	平行线	10NS
71V67603S150BQ	-	RFQ	6658	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	71v67603	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	150 MHz	易挥发的	9Mbit	3.8 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

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2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²