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（648）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
71T75802S133PFI	-	RFQ	3429	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71T75802	sram-同步，SDR（ZBT）	2.375V〜2.625V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	18mbit	4.2 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
7164S20Y	-	RFQ	6838	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	28-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	7164	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-soj	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	64kbit	20 ns	SRAM	8k x 8	平行线	20NS
71v632s8pfg	1.6600	RFQ	299	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v632	sram-同步，sdr	3.135V〜3.63V	100-TQFP（14x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	2Mbit	8 ns	SRAM	64k x 32	平行线	-
71V65703S75PFI	6.0000	RFQ	128	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v65703	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	9Mbit	7.5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
71v547xs100pf	1.6600	RFQ	598	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v547	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4.5mbit	10 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71V65603S100PFI	4.5000	RFQ	1	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v65603	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	9Mbit	5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
71V547S100PFI	-	RFQ	2380	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v547	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4.5mbit	10 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71V65603S133PF	4.5000	RFQ	2	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v65603	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	9Mbit	4.2 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
71v632s7pfi	-	RFQ	6094	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v632	sram-同步，sdr	3.135V〜3.63V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	66 MHz	易挥发的	2Mbit	7 ns	SRAM	64k x 32	平行线	-
71V67603S166PF	4.5000	RFQ	5	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v67603	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	166 MHz	易挥发的	9Mbit	3.5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
71V65803S100PFI	6.0000	RFQ	155	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v65803	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	9Mbit	5 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
71V25761S183PFI	2.0100	RFQ	7372	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v25761	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x20）	-	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	2156-71V25761S183PFI	3A991B2A	8542.32.0041	1	183 MHz	易挥发的	4.5mbit	5.5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-	未行业行业经验证
71V016SA15PHI	-	RFQ	2929	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	71v016	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	15 ns	SRAM	64k x 16	平行线	15ns
71V2556S133BG	2.0100	RFQ	192	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	119-BGA	71v2556	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	4.5mbit	4.2 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71V124SA12PHI	-	RFQ	4853	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.400英寸，10.16毫米宽）	71v124	sram-异步	3v〜3.6V	32-TSOP II	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	128K x 8	平行线	12ns
71V25761S166PF	-	RFQ	5709	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v25761	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x20）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	166 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71T75802S100PFI	-	RFQ	5233	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71T75802	sram-同步，SDR（ZBT）	2.375V〜2.625V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	18mbit	5 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
71V124SA10Y	-	RFQ	1780年	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.400英寸，10.16毫米宽）	71v124	sram-异步	3.15v〜3.6V	32-soj	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	128K x 8	平行线	10NS
71V25761Y5S200PFG	-	RFQ	4459	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v25761	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x20）	-	不适用	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	200 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.1 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
6116SA20SOI	2.9400	RFQ	326	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	6116SA	sram-异步	4.5V〜5.5V	24-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	16kbit	20 ns	SRAM	2k x 8	平行线	20NS
71256L35YI	-	RFQ	3034	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	71256L	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-soj	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	256kbit	35 ns	SRAM	32K x 8	平行线	35ns
71016S20Y	-	RFQ	2796	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	71016	sram-异步	4.5V〜5.5V	44-SOJ	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	20 ns	SRAM	64k x 16	平行线	20NS
71024S15TY	-	RFQ	2071	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	71024	sram-异步	4.5V〜5.5V	32-soj	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	15 ns	SRAM	128K x 8	平行线	15ns
71016S12PHGI	-	RFQ	4117	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	71016	sram-异步	4.5V〜5.5V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	64k x 16	平行线	12ns
71016S12PH	1.3400	RFQ	373	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	71016	sram-异步	4.5V〜5.5V	44-TSOP II	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	64k x 16	平行线	12ns
71256L25YI	-	RFQ	4050	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	71256L	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-soj	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	256kbit	25 ns	SRAM	32K x 8	平行线	25ns
71256SA12YI	-	RFQ	7687	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	71256SA	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-soj	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	256kbit	12 ns	SRAM	32K x 8	平行线	12ns
6116SA35TP	2.8000	RFQ	778	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	24- 浸（0.300英寸，7.62mm）	6116SA	sram-异步	4.5V〜5.5V	24-PDIP	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	16kbit	35 ns	SRAM	2k x 8	平行线	35ns
71016S15PHI	-	RFQ	9649	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	71016	sram-异步	4.5V〜5.5V	44-TSOP II	-	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	15 ns	SRAM	64k x 16	平行线	15ns
6116SA45TPG	2.8000	RFQ	8289	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	24- 浸（0.300英寸，7.62mm）	6116SA	sram-异步	4.5V〜5.5V	24-PDIP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	16kbit	45 ns	SRAM	2k x 8	平行线	45ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（648）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²