SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
71V67603S133PFI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V67603S133PFI -
RFQ
ECAD 1523年 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v67603 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 易挥发的 9Mbit 4.2 ns SRAM 256K x 36 平行线 -
71256L25YGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71256L25YGI -
RFQ
ECAD 6415 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 28-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) 71256L sram-异步 4.5V〜5.5V 28-soj 下载 Ear99 8542.32.0041 1 易挥发的 256kbit 25 ns SRAM 32K x 8 平行线 25ns
71V67603ZS133PF IDT, Integrated Device Technology Inc 71v67603zs133pf 6.0000
RFQ
ECAD 120 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v67603 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 易挥发的 9Mbit 4.2 ns SRAM 256K x 36 平行线 -
71V424S12YI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V424S12YI -
RFQ
ECAD 9351 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 36-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) 71v424 sram-异步 3v〜3.6V 36-SOJ - Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4Mbit 12 ns SRAM 512k x 8 平行线 12ns
71T75602S166BGG IDT, Integrated Device Technology Inc 71T75602S166BGG 44.5700
RFQ
ECAD 11 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 119-BGA 71T75602 sram-同步,SDR(ZBT) 2.375V〜2.625V 119-PBGA(14x22) 下载 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 易挥发的 18mbit 3.5 ns SRAM 512k x 36 平行线 -
71V124SA10PHG IDT, Integrated Device Technology Inc 71v124sa10phg -
RFQ
ECAD 6346 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 32-SOIC (0.400英寸,10.16毫米宽) 71v124 sram-异步 3.15v〜3.6V 32-TSOP II 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 1Mbit 10 ns SRAM 128K x 8 平行线 10NS
71V416L10BEI IDT, Integrated Device Technology Inc 71v416l10bei 2.6600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA 71v416l sram-异步 3v〜3.6V 48-cabga(9x9) 下载 Rohs不合规 4 (72小时) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4Mbit 10 ns SRAM 256K x 16 平行线 10NS
71016S20YGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71016S20YGI 2.0100
RFQ
ECAD 8408 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) 71016 sram-异步 4.5V〜5.5V 44-SOJ 下载 3A991B2B 8542.32.0041 1 易挥发的 1Mbit 20 ns SRAM 64k x 16 平行线 20NS
71V35761SA166BGGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V35761SA166BGGI -
RFQ
ECAD 6710 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 119-BGA 71v35761 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 119-PBGA(14x22) 下载 0000.00.0000 1 166 MHz 易挥发的 4.5mbit 3.5 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
71V3557S75BGG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3557S75BGG -
RFQ
ECAD 2764 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 119-BGA 71v3557 sram-同步,SDR(ZBT) 3.135V〜3.465V 119-PBGA(14x22) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4.5mbit 7.5 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
71V416YS10PHI IDT, Integrated Device Technology Inc 71v416ys10phi -
RFQ
ECAD 1510 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) 71v416y sram-异步 3v〜3.6V 44-TSOP II 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4Mbit 10 ns SRAM 256K x 16 平行线 10NS
71V416S12YG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V416S12YG -
RFQ
ECAD 4633 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) 71v416s sram-异步 3v〜3.6V 44-SOJ - 0000.00.0000 1 易挥发的 4Mbit 12 ns SRAM 256K x 16 平行线 12ns
71V67903S80PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V67903S80PFG 14.7400
RFQ
ECAD 534 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v67903 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 易挥发的 9Mbit 8 ns SRAM 512k x 18 平行线 -
71V547S80PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V547S80PFG 7.1700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v547 sram-同步,SDR(ZBT) 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4.5mbit 8 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
71V35761S200BGG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V35761S200BGG -
RFQ
ECAD 7196 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 119-BGA 71v35761 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 119-PBGA(14x22) 下载 rohs3符合条件 3A991B2A 8542.32.0041 84 200 MHz 易挥发的 4.5mbit 3.1 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
71V416YS10PHG IDT, Integrated Device Technology Inc 71v416ys10phg -
RFQ
ECAD 6884 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 管子 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) 71v416y sram-异步 3v〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3A991B2A 8542.32.0041 26 易挥发的 4Mbit 10 ns SRAM 256K x 16 平行线 10NS
71016S15YI IDT, Integrated Device Technology Inc 71016S15YI 1.5100
RFQ
ECAD 7435 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) 71016 sram-异步 4.5V〜5.5V 44-SOJ 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 Ear99 8542.32.0041 1 易挥发的 1Mbit 15 ns SRAM 64k x 16 平行线 15ns
71V67903S85BQI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V67903S85BQI 29.1800
RFQ
ECAD 294 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-TBGA 71v67903 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 165-CABGA(13x15) 下载 3A991B2A 8542.32.0041 1 87 MHz 易挥发的 9Mbit 8.5 ns SRAM 512k x 18 平行线 -
71V124SA10TYG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V124SA10TYG 2.9800
RFQ
ECAD 1294 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 32-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) 71v124 sram-异步 3.15v〜3.6V 32-soj 下载 3A991B2B 8542.32.0041 1 易挥发的 1Mbit 10 ns SRAM 128K x 8 平行线 10NS
71V416YS15YG IDT, Integrated Device Technology Inc 71v416ys15yg -
RFQ
ECAD 7827 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 管子 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) 71v416y sram-异步 3v〜3.6V 44-SOJ 下载 rohs3符合条件 3A991B2A 8542.32.0041 16 易挥发的 4Mbit 15 ns SRAM 256K x 16 平行线 15ns
6116SA25TPG IDT, Integrated Device Technology Inc 6116SA25TPG -
RFQ
ECAD 6186 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 通过洞 24- 浸(0.300英寸,7.62mm) 6116SA sram-异步 4.5V〜5.5V 24-PDIP 下载 Ear99 8542.32.0041 1 易挥发的 16kbit 25 ns SRAM 2k x 8 平行线 25ns
71V416L10BEGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71v416l10begi 2.6600
RFQ
ECAD 122 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA 71v416l sram-异步 3v〜3.6V 48-cabga(9x9) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4Mbit 10 ns SRAM 256K x 16 平行线 10NS
71V67703S85BQG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V67703S85BQG 26.6900
RFQ
ECAD 65 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-TBGA 71v67703 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 165-CABGA(13x15) 下载 3A991B2A 8542.32.0041 1 87 MHz 易挥发的 9Mbit 8.5 ns SRAM 256K x 36 平行线 -
71V546XS133PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71v546xs133pfg 1.6600
RFQ
ECAD 337 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v546 sram-同步,ZBT 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x20) 下载 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 易挥发的 4.5mbit 4.2 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
7MB4048S25P IDT, Integrated Device Technology Inc 7MB4048S25P 69.9900
RFQ
ECAD 20 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 通过洞 32 滴(0.600英寸,15.24毫米) 7MB4048 sram-异步 4.5V〜5.5V 32-PDIP 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4Mbit 25 ns SRAM 512k x 8 平行线 25ns
6116LA15SOG IDT, Integrated Device Technology Inc 6116LA15SOG 2.8000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 24-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) 6116LA sram-异步 4.5V〜5.5V 24-Soic 下载 不适用 3(168)) 供应商不确定 Ear99 8542.32.0041 1 易挥发的 16kbit 15 ns SRAM 2k x 8 平行线 15ns
71V2556XS133PF IDT, Integrated Device Technology Inc 71V2556XS133PF 2.0100
RFQ
ECAD 4546 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v2556 sram-同步,SDR(ZBT) 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 易挥发的 4.5mbit 4.2 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
71V424L12PH IDT, Integrated Device Technology Inc 71V424L12PH -
RFQ
ECAD 7405 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) 71v424 sram-异步 3v〜3.6V 44-TSOP II 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4Mbit 12 ns SRAM 512k x 8 平行线 12ns
71P72804S167BQG IDT, Integrated Device Technology Inc 71P72804S167BQG 4.9900
RFQ
ECAD 16 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-TBGA 71p72 Sram-同步,QDR II 1.7V〜1.9V 165-CABGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 1 167 MHz 易挥发的 18mbit 8.4 ns SRAM 1m x 18 平行线 -
71V416S12YI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V416S12YI -
RFQ
ECAD 5143 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) 71v416s sram-异步 3v〜3.6V 44-SOJ 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4Mbit 12 ns SRAM 256K x 16 平行线 12ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库