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（648）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
71V124SA10PH	1.1100	RFQ	846	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.400英寸，10.16毫米宽）	71v124	sram-异步	3.15v〜3.6V	32-TSOP II	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	128K x 8	平行线	10NS
71V124SA12PH	-	RFQ	9815	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.400英寸，10.16毫米宽）	71v124	sram-异步	3v〜3.6V	32-TSOP II	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	128K x 8	平行线	12ns
71V3558XS133PFG	2.0100	RFQ	1	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v3558	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	4.5mbit	4.2 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
71T75602S200BGGI	-	RFQ	6420	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	119-BGA	71T75602	sram-同步，SDR（ZBT）	2.375V〜2.625V	119-PBGA（14x22）	下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	200 MHz	易挥发的	18mbit	3.2 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
71V3577S85PF	1.5000	RFQ	5	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v3577	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4.5mbit	8.5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
7007S55JI	45.1800	RFQ	4758	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	68-LCC（j-lead）	7007S55	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	68-PLCC （24.21x24.21）	-	Rohs不合规	不适用	供应商不确定	2832-7007S55JI	Ear99	8542.32.0040	10		易挥发的	256kbit	55 ns	SRAM	32K x 8	平行线	55ns
71V547S100PFG	7.1700	RFQ	1	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v547	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4.5mbit	10 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
7164S20TPGI	7.6600	RFQ	48	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	28- 浸（0.300英寸，7.62mm）	7164	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-pdip	下载					Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	64kbit	20 ns	SRAM	8k x 8	平行线	20NS
71V3579S80PFGI	11.0800	RFQ	251	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v3579	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	4.5mbit	8 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
71256S25DB	37.2500	RFQ	71	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	28-CDIP （0.600英寸，15.24毫米）	71256	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-CDIP	下载					3A001A2C	8542.32.0041	1		易挥发的	256kbit	25 ns	SRAM	32K x 8	平行线	25ns
71T75902S85BG	42.2200	RFQ	65	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	119-BGA	71T75902	sram-同步，SDR（ZBT）	2.375V〜2.625V	119-PBGA（14x22）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	18mbit	8.5 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
7164L20YG	3.3600	RFQ	1	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	28-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	7164L	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-soj	下载					Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	64kbit	20 ns	SRAM	8k x 8	平行线	20NS
7164L25TDB	-	RFQ	5347	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	28-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	7164L	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-CDIP	下载					3A001A2C	8542.32.0041	1		易挥发的	64kbit	25 ns	SRAM	8k x 8	平行线	25ns
71T75602S100BG	42.2200	RFQ	132	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	119-BGA	71T75602	sram-同步，SDR（ZBT）	2.375V〜2.625V	119-PBGA（14x22）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	18mbit	5 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
71V3579S65PFG	10.2400	RFQ	652	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v3579	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x20）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	4.5mbit	6.5 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
71V256SA15YGI	-	RFQ	2925	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	71v256	sram-异步	3v〜3.6V	28-soj	下载					3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	256kbit	15 ns	SRAM	32K x 8	平行线	15ns
71V67703S85BQI	29.1800	RFQ	28	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	71v67703	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1	87 MHz	易挥发的	9Mbit	8.5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
71V124SA10TYG	2.9800	RFQ	1294	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	71v124	sram-异步	3.15v〜3.6V	32-soj	下载					3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	128K x 8	平行线	10NS
71124S15YGI	-	RFQ	7129	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.400英寸，10.16毫米宽）	71124	sram-异步	4.5V〜5.5V	32-soj	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	15 ns	SRAM	128K x 8	平行线	15ns
71016S20YG	-	RFQ	5400	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	71016	sram-异步	4.5V〜5.5V	44-SOJ	下载					3A991B2B	8542.32.0041	154		易挥发的	1Mbit	20 ns	SRAM	64k x 16	平行线	20NS	未行业行业经验证
71V67803S150BQ	26.6900	RFQ	133	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	71v67803	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1	150 MHz	易挥发的	9Mbit	3.8 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
71V67803S150PFG	14.8000	RFQ	28	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v67803	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1	150 MHz	易挥发的	9Mbit	3.8 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
6116LA25TPG	-	RFQ	5643	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	24- 浸（0.300英寸，7.62mm）	6116LA	sram-异步	4.5V〜5.5V	24-PDIP	下载					Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	16kbit	25 ns	SRAM	2k x 8	平行线	25ns
71V424S15PHGI	7.7000	RFQ	176	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	71v424	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	15 ns	SRAM	512k x 8	平行线	15ns
71T75602S133BG	42.2200	RFQ	24	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	119-BGA	71T75602	sram-同步，SDR（ZBT）	2.375V〜2.625V	119-PBGA（14x22）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	18mbit	4.2 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
71V016SA12YG	-	RFQ	9511	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	71v016	sram-异步	3v〜3.6V	44-SOJ	下载					3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	64k x 16	平行线	12ns
71256L25TDB	39.7300	RFQ	5817	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	28-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	71256L	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-CDIP	下载					3A001A2C	8542.32.0041	1		易挥发的	256kbit	25 ns	SRAM	32K x 8	平行线	25ns
71V3559S80BG	7.6600	RFQ	677	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	119-BGA	71v3559	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4.5mbit	8 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
71V65603S100PFG	1.0000	RFQ	9555	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v65603	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x20）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	9Mbit	5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-	未行业行业经验证
71v67602s150pfg	-	RFQ	5142	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v67602	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1	150 MHz	易挥发的	9Mbit	3.8 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（648）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²