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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
71V65803S133BQG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V65803S133BQG -
RFQ
ECAD 5519 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-TBGA 71v65803 sram-同步,SDR(ZBT) 3.135V〜3.465V 165-CABGA(13x15) 下载 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 易挥发的 9Mbit 4.2 ns SRAM 512k x 18 平行线 -
71016S15PHG IDT, Integrated Device Technology Inc 71016S15PHG 3.3600
RFQ
ECAD 528 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) 71016 sram-异步 4.5V〜5.5V 44-TSOP II 下载 3A991B2B 8542.32.0041 1 易挥发的 1Mbit 15 ns SRAM 64k x 16 平行线 15ns
71256SA15TPGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71256SA15TPGI -
RFQ
ECAD 1513年 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 通过洞 28- 浸(0.300英寸,7.62mm) 71256SA sram-异步 4.5V〜5.5V 28-pdip 下载 3A991B2B 8542.32.0041 1 易挥发的 256kbit 15 ns SRAM 32K x 8 平行线 15ns
71V3577S80PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3577S80PFG -
RFQ
ECAD 5329 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v3577 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 易挥发的 4.5mbit 8 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
6116SA25TPG IDT, Integrated Device Technology Inc 6116SA25TPG -
RFQ
ECAD 6186 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 通过洞 24- 浸(0.300英寸,7.62mm) 6116SA sram-异步 4.5V〜5.5V 24-PDIP 下载 Ear99 8542.32.0041 1 易挥发的 16kbit 25 ns SRAM 2k x 8 平行线 25ns
71V124SA12YG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V124SA12YG -
RFQ
ECAD 1116 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 32-bsoj(0.400英寸,10.16毫米宽) 71v124 sram-异步 3v〜3.6V 32-soj 下载 3A991B2B 8542.32.0041 1 易挥发的 1Mbit 12 ns SRAM 128K x 8 平行线 12ns
71016S20PHGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71016S20PHGI 3.7300
RFQ
ECAD 139 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) 71016 sram-异步 4.5V〜5.5V 44-TSOP II 下载 3A991B2B 8542.32.0041 1 易挥发的 1Mbit 20 ns SRAM 64k x 16 平行线 20NS
71V416S15YGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V416S15YGI -
RFQ
ECAD 8272 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) 71v416s sram-异步 3v〜3.6V 44-SOJ 下载 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4Mbit 15 ns SRAM 256K x 16 平行线 15ns
71T75602S166PFGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71T75602S166PFGI -
RFQ
ECAD 1012 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71T75602 sram-同步,SDR(ZBT) 2.375V〜2.625V 100-TQFP(14x20) 下载 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 易挥发的 18mbit 3.5 ns SRAM 512k x 36 平行线 -
71V2546S100PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71v2546s100pfg 7.6600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v2546 sram-同步,SDR(ZBT) 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 8542.32.0041 1 100 MHz 易挥发的 4.5mbit 5 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
71T75602S100BG IDT, Integrated Device Technology Inc 71T75602S100BG 42.2200
RFQ
ECAD 132 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 119-BGA 71T75602 sram-同步,SDR(ZBT) 2.375V〜2.625V 119-PBGA(14x22) 下载 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 易挥发的 18mbit 5 ns SRAM 512k x 36 平行线 -
71V256SA15Y IDT, Integrated Device Technology Inc 71V256SA15Y 0.8000
RFQ
ECAD 7889 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 28-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) 71v256 sram-异步 3v〜3.6V 28-soj 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 Ear99 8542.32.0041 1 易挥发的 256kbit 15 ns SRAM 32K x 8 平行线 15ns
71124S15Y IDT, Integrated Device Technology Inc 71124S15Y 1.3400
RFQ
ECAD 7040 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 32-bsoj(0.400英寸,10.16毫米宽) 71124 sram-异步 4.5V〜5.5V 32-soj 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2B 8542.32.0041 1 易挥发的 1Mbit 15 ns SRAM 128K x 8 平行线 15ns
71V016SA12BFGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V016SA12BFGI 5.2700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-LFBGA 71v016 sram-异步 3v〜3.6V 48-cabga(7x7) 下载 3A991B2B 8542.32.0041 1 易挥发的 1Mbit 12 ns SRAM 64k x 16 平行线 12ns
71T75602S166BGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71T75602S166BGI 46.5600
RFQ
ECAD 17 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 119-BGA 71T75602 sram-同步,SDR(ZBT) 2.375V〜2.625V 119-PBGA(14x22) 下载 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 易挥发的 18mbit 3.5 ns SRAM 512k x 36 平行线 -
71024S12TYI IDT, Integrated Device Technology Inc 71024S12TYI -
RFQ
ECAD 3761 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 32-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) 71024 sram-异步 4.5V〜5.5V 32-soj 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2B 8542.32.0041 1 易挥发的 1Mbit 12 ns SRAM 128K x 8 平行线 12ns
71T75802S166PFI IDT, Integrated Device Technology Inc 71T75802S166PFI -
RFQ
ECAD 2091 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71T75802 sram-同步,SDR(ZBT) 2.375V〜2.625V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 易挥发的 18mbit 3.5 ns SRAM 1m x 18 平行线 -
71V632S6PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71v632s6pfg -
RFQ
ECAD 4015 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v632 sram-同步,sdr 3.135V〜3.63V 100-TQFP(14x14) 下载 rohs3符合条件 3A991B2A 8542.32.0041 144 83 MHz 易挥发的 2Mbit 6 ns SRAM 64k x 32 平行线 -
7164S25YGI IDT, Integrated Device Technology Inc 7164S25YGI 4.0000
RFQ
ECAD 2843 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 28-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) 7164 sram-异步 4.5V〜5.5V 28-soj 下载 Ear99 8542.32.0041 1 易挥发的 64kbit 25 ns SRAM 8k x 8 平行线 25ns
71V67803S150BG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V67803S150BG 26.6900
RFQ
ECAD 186 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 119-BGA 71v67803 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 119-PBGA(14x22) 下载 3A991B2A 8542.32.0041 1 150 MHz 易挥发的 9Mbit 3.8 ns SRAM 512k x 18 平行线 -
71V3578YS133PF IDT, Integrated Device Technology Inc 71v3578ys133pf 2.0100
RFQ
ECAD 359 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v3578 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x20) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 易挥发的 4.5mbit 4.2 ns SRAM 256K x 18 平行线 -
71V65603S133PFI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V65603S133PFI -
RFQ
ECAD 8546 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v65603 sram-同步,SDR(ZBT) 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 易挥发的 9Mbit 4.2 ns SRAM 256K x 36 平行线 -
71016S12PHI IDT, Integrated Device Technology Inc 71016S12PHI -
RFQ
ECAD 3951 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) 71016 sram-异步 4.5V〜5.5V 44-TSOP II 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 Ear99 8542.32.0041 1 易挥发的 1Mbit 12 ns SRAM 64k x 16 平行线 12ns
71T016SA15PH IDT, Integrated Device Technology Inc 71T016SA15PH 1.3400
RFQ
ECAD 520 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) 71T016 sram-异步 2.375V〜2.625V 44-TSOP II 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2B 8542.32.0041 1 易挥发的 1Mbit 15 ns SRAM 64k x 16 平行线 15ns
71V016SA20PHGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71v016sa20phgi -
RFQ
ECAD 3658 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) 71v016 sram-异步 3v〜3.6V 44-TSOP II 下载 3A991B2B 8542.32.0041 1 易挥发的 1Mbit 20 ns SRAM 64k x 16 平行线 20NS
71V67703S80PFI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V67703S80PFI -
RFQ
ECAD 8923 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v67703 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 易挥发的 9Mbit 8 ns SRAM 256K x 36 平行线 -
71V016SA20PHG1 IDT, Integrated Device Technology Inc 71V016SA20PHG1 -
RFQ
ECAD 5624 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) 71v016 sram-异步 3v〜3.6V 44-TSOP II 下载 不适用 3(168)) 供应商不确定 3A991B2B 8542.32.0041 1 易挥发的 1Mbit 20 ns SRAM 64k x 16 平行线 20NS
71V547XS100PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71v547xs100pfg 1.6600
RFQ
ECAD 238 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v547 sram-同步,SDR(ZBT) 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) - 不适用 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4.5mbit 10 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
71T75902S75BGG IDT, Integrated Device Technology Inc 71T75902S75BGG 55.7200
RFQ
ECAD 2062 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 119-BGA 71T75902 sram-同步,SDR(ZBT) 2.375V〜2.625V 119-PBGA(14x22) 下载 3A991B2A 8542.32.0041 4 易挥发的 18mbit 7.5 ns SRAM 1m x 18 平行线 -
71V124SA12PH IDT, Integrated Device Technology Inc 71V124SA12PH -
RFQ
ECAD 9815 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 32-SOIC(0.400英寸,10.16毫米宽) 71v124 sram-异步 3v〜3.6V 32-TSOP II 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2B 8542.32.0041 1 易挥发的 1Mbit 12 ns SRAM 128K x 8 平行线 12ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库