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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
71V67903S80BQI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V67903S80BQI 29.1800
RFQ
ECAD 499 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-TBGA 71v67903 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 165-CABGA(13x15) 下载 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 易挥发的 9Mbit 8 ns SRAM 512k x 18 平行线 -
71V35761S200PF IDT, Integrated Device Technology Inc 71v35761s200pf 2.0100
RFQ
ECAD 280 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v35761 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 200 MHz 易挥发的 4.5mbit 3.1 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
71V416VS15PHG IDT, Integrated Device Technology Inc 71v416vs15phg 2.0100
RFQ
ECAD 231 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) 71v416v sram-异步 3v〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4Mbit 15 ns SRAM 256K x 16 平行线 15ns
71V416S15Y IDT, Integrated Device Technology Inc 71V416S15Y 2.0100
RFQ
ECAD 8061 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) 71v416s sram-异步 3v〜3.6V 44-SOJ 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4Mbit 15 ns SRAM 256K x 16 平行线 15ns
71V016SA15Y IDT, Integrated Device Technology Inc 71V016SA15Y 1.0700
RFQ
ECAD 5121 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) 71v016 sram-异步 3v〜3.6V 44-SOJ 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2B 8542.32.0041 1 易挥发的 1Mbit 15 ns SRAM 64k x 16 平行线 15ns
7164L25TDB IDT, Integrated Device Technology Inc 7164L25TDB -
RFQ
ECAD 5347 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -55°C〜125°C(TA) 通过洞 28-CDIP (0.300英寸,7.62mm) 7164L sram-异步 4.5V〜5.5V 28-CDIP 下载 3A001A2C 8542.32.0041 1 易挥发的 64kbit 25 ns SRAM 8k x 8 平行线 25ns
71V547XS80PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71v547xs80pfg 1.6600
RFQ
ECAD 680 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v547 sram-同步,SDR(ZBT) 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) - 不适用 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4.5mbit 8 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
7164S25TPG IDT, Integrated Device Technology Inc 7164S25TPG 7.3700
RFQ
ECAD 131 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 通过洞 28- 浸(0.300英寸,7.62mm) 7164 sram-异步 4.5V〜5.5V 28-pdip 下载 Ear99 8542.32.0041 1 易挥发的 64kbit 25 ns SRAM 8k x 8 平行线 25ns
71V3578YS133PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71v3578ys133pfg 2.0100
RFQ
ECAD 450 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v3578 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3A991B2A 8542.32.0041 72 133 MHz 易挥发的 4.5mbit 4.2 ns SRAM 256K x 18 平行线 -
71V256SA10YG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V256SA10YG -
RFQ
ECAD 4281 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 28-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) 71v256 sram-异步 3v〜3.6V 28-soj 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0041 1 易挥发的 256kbit 10 ns SRAM 32K x 8 平行线 10NS
71V3579SA75BQG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3579SA75BQG -
RFQ
ECAD 1897年 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-TBGA 71v3579 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 165-CABGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4.5mbit 7.5 ns SRAM 256K x 18 平行线 -
71V67602S166BQG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V67602S166BQG -
RFQ
ECAD 7364 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-TBGA 71v67602 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 165-CABGA(13x15) 下载 不适用 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 易挥发的 9Mbit 3.5 ns SRAM 256K x 36 平行线 -
71V416L12PH IDT, Integrated Device Technology Inc 71V416L12PH -
RFQ
ECAD 2535 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) 71v416l sram-异步 3v〜3.6V 44-TSOP II 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4Mbit 12 ns SRAM 256K x 16 平行线 12ns
71V124SA10TYG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V124SA10TYG 2.9800
RFQ
ECAD 1294 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 32-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) 71v124 sram-异步 3.15v〜3.6V 32-soj 下载 3A991B2B 8542.32.0041 1 易挥发的 1Mbit 10 ns SRAM 128K x 8 平行线 10NS
7164S20TPGI IDT, Integrated Device Technology Inc 7164S20TPGI 7.6600
RFQ
ECAD 48 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 通过洞 28- 浸(0.300英寸,7.62mm) 7164 sram-异步 4.5V〜5.5V 28-pdip 下载 Ear99 8542.32.0041 1 易挥发的 64kbit 20 ns SRAM 8k x 8 平行线 20NS
71V416YS15YG IDT, Integrated Device Technology Inc 71v416ys15yg -
RFQ
ECAD 7827 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 管子 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) 71v416y sram-异步 3v〜3.6V 44-SOJ 下载 rohs3符合条件 3A991B2A 8542.32.0041 16 易挥发的 4Mbit 15 ns SRAM 256K x 16 平行线 15ns
71V416L10BEGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71v416l10begi 2.6600
RFQ
ECAD 122 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA 71v416l sram-异步 3v〜3.6V 48-cabga(9x9) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4Mbit 10 ns SRAM 256K x 16 平行线 10NS
6116SA25TPG IDT, Integrated Device Technology Inc 6116SA25TPG -
RFQ
ECAD 6186 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 通过洞 24- 浸(0.300英寸,7.62mm) 6116SA sram-异步 4.5V〜5.5V 24-PDIP 下载 Ear99 8542.32.0041 1 易挥发的 16kbit 25 ns SRAM 2k x 8 平行线 25ns
71V124SA15TY IDT, Integrated Device Technology Inc 71V124SA15TY 1.6000
RFQ
ECAD 643 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 32-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) 71v124 sram-异步 3v〜3.6V 32-soj 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2B 8542.32.0041 1 易挥发的 1Mbit 15 ns SRAM 128K x 8 平行线 15ns
6116SA25SO IDT, Integrated Device Technology Inc 6116SA25SO 2.8000
RFQ
ECAD 165 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 24-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) 6116SA sram-异步 4.5V〜5.5V 24-Soic 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8542.32.0041 1 易挥发的 16kbit 25 ns SRAM 2k x 8 平行线 25ns
71V3577S85PF IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3577S85PF 1.5000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v3577 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4.5mbit 8.5 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
71256L25YGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71256L25YGI -
RFQ
ECAD 6415 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 28-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) 71256L sram-异步 4.5V〜5.5V 28-soj 下载 Ear99 8542.32.0041 1 易挥发的 256kbit 25 ns SRAM 32K x 8 平行线 25ns
71V416S10PHI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V416S10PHI -
RFQ
ECAD 7071 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) 71v416s sram-异步 3v〜3.6V 44-TSOP II 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4Mbit 10 ns SRAM 256K x 16 平行线 10NS
71V424S12YI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V424S12YI -
RFQ
ECAD 9351 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 36-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) 71v424 sram-异步 3v〜3.6V 36-SOJ - Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4Mbit 12 ns SRAM 512k x 8 平行线 12ns
71V3556SA133BGG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3556SA133BGG 11.1600
RFQ
ECAD 35 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 119-BGA 71v3556 sram-同步,SDR(ZBT) 3.135V〜3.465V 119-PBGA(14x22) 下载 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 易挥发的 4.5mbit 4.2 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
71V67603ZS133PF IDT, Integrated Device Technology Inc 71v67603zs133pf 6.0000
RFQ
ECAD 120 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v67603 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 易挥发的 9Mbit 4.2 ns SRAM 256K x 36 平行线 -
71V67603S133PFI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V67603S133PFI -
RFQ
ECAD 1523年 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v67603 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 易挥发的 9Mbit 4.2 ns SRAM 256K x 36 平行线 -
71V67903S85BQI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V67903S85BQI 29.1800
RFQ
ECAD 294 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-TBGA 71v67903 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 165-CABGA(13x15) 下载 3A991B2A 8542.32.0041 1 87 MHz 易挥发的 9Mbit 8.5 ns SRAM 512k x 18 平行线 -
71V016SA12YG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V016SA12YG -
RFQ
ECAD 9511 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) 71v016 sram-异步 3v〜3.6V 44-SOJ 下载 3A991B2B 8542.32.0041 1 易挥发的 1Mbit 12 ns SRAM 64k x 16 平行线 12ns
71256SA20PZ IDT, Integrated Device Technology Inc 71256SA20PZ -
RFQ
ECAD 6559 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 28-tssop (0.465英寸,11.80mm宽度) 71256SA sram-异步 4.5V〜5.5V 28-tsop 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 Ear99 8542.32.0041 1 易挥发的 256kbit 20 ns SRAM 32K x 8 平行线 20NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库