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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 |
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![]() | 71v416vs15phg | 2.0100 | ![]() | 231 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | 71v416v | sram-异步 | 3v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4Mbit | 15 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | 71V416S15Y | 2.0100 | ![]() | 8061 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 44-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) | 71v416s | sram-异步 | 3v〜3.6V | 44-SOJ | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4Mbit | 15 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | 71V016SA15Y | 1.0700 | ![]() | 5121 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 44-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) | 71v016 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 44-SOJ | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 1Mbit | 15 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 15ns | ||
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![]() | 7164S25TPG | 7.3700 | ![]() | 131 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 通过洞 | 28- 浸(0.300英寸,7.62mm) | 7164 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-pdip | 下载 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 64kbit | 25 ns | SRAM | 8k x 8 | 平行线 | 25ns | |||||
![]() | 71v3578ys133pfg | 2.0100 | ![]() | 450 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 71v3578 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 133 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 4.2 ns | SRAM | 256K x 18 | 平行线 | - | |||
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![]() | 71V3579SA75BQG | - | ![]() | 1897年 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | 71v3579 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 165-CABGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4.5mbit | 7.5 ns | SRAM | 256K x 18 | 平行线 | - | ||
![]() | 71V67602S166BQG | - | ![]() | 7364 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | 71v67602 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 165-CABGA(13x15) | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 3.5 ns | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | |
![]() | 71V416L12PH | - | ![]() | 2535 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | 71v416l | sram-异步 | 3v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4Mbit | 12 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 12ns | ||
![]() | 71V124SA10TYG | 2.9800 | ![]() | 1294 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 32-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) | 71v124 | sram-异步 | 3.15v〜3.6V | 32-soj | 下载 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 1Mbit | 10 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 10NS | |||||
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![]() | 71v416ys15yg | - | ![]() | 7827 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 44-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) | 71v416y | sram-异步 | 3v〜3.6V | 44-SOJ | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 16 | 易挥发的 | 4Mbit | 15 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 15ns | ||||
![]() | 71v416l10begi | 2.6600 | ![]() | 122 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | 71v416l | sram-异步 | 3v〜3.6V | 48-cabga(9x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 10NS | ||
![]() | 6116SA25TPG | - | ![]() | 6186 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 通过洞 | 24- 浸(0.300英寸,7.62mm) | 6116SA | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 24-PDIP | 下载 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 16kbit | 25 ns | SRAM | 2k x 8 | 平行线 | 25ns | |||||
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![]() | 6116SA25SO | 2.8000 | ![]() | 165 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 24-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | 6116SA | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 24-Soic | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 16kbit | 25 ns | SRAM | 2k x 8 | 平行线 | 25ns | ||
![]() | 71V3577S85PF | 1.5000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 71v3577 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4.5mbit | 8.5 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | ||
![]() | 71256L25YGI | - | ![]() | 6415 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 28-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) | 71256L | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-soj | 下载 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 256kbit | 25 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 25ns | |||||
![]() | 71V416S10PHI | - | ![]() | 7071 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | 71v416s | sram-异步 | 3v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 10NS | ||
![]() | 71V424S12YI | - | ![]() | 9351 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 36-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) | 71v424 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 36-SOJ | - | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4Mbit | 12 ns | SRAM | 512k x 8 | 平行线 | 12ns | ||
![]() | 71V3556SA133BGG | 11.1600 | ![]() | 35 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 119-BGA | 71v3556 | sram-同步,SDR(ZBT) | 3.135V〜3.465V | 119-PBGA(14x22) | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 4.2 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | ||||
![]() | 71v67603zs133pf | 6.0000 | ![]() | 120 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 71v67603 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 4.2 ns | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | |
![]() | 71V67603S133PFI | - | ![]() | 1523年 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 71v67603 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 4.2 ns | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | |
![]() | 71V67903S85BQI | 29.1800 | ![]() | 294 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | 71v67903 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 165-CABGA(13x15) | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 87 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 8.5 ns | SRAM | 512k x 18 | 平行线 | - | ||||
![]() | 71V016SA12YG | - | ![]() | 9511 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 44-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) | 71v016 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 44-SOJ | 下载 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 1Mbit | 12 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 12ns | |||||
![]() | 71256SA20PZ | - | ![]() | 6559 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 28-tssop (0.465英寸,11.80mm宽度) | 71256SA | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-tsop | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 256kbit | 20 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 20NS |
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