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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
71124S15Y IDT, Integrated Device Technology Inc 71124S15Y 1.3400
RFQ
ECAD 7040 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 32-bsoj(0.400英寸,10.16毫米宽) 71124 sram-异步 4.5V〜5.5V 32-soj 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2B 8542.32.0041 1 易挥发的 1Mbit 15 ns SRAM 128K x 8 平行线 15ns
7164S25PDG IDT, Integrated Device Technology Inc 7164S25PDG -
RFQ
ECAD 5068 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 7164 sram-异步 4.5V〜5.5V 下载 不适用 3(168)) 供应商不确定 Ear99 8542.32.0041 1 易挥发的 64kbit 25 ns SRAM 8k x 8 平行线 25ns
71V65602S133PF IDT, Integrated Device Technology Inc 71V65602S133PF -
RFQ
ECAD 8770 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v65602 sram-同步,SDR(ZBT) 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 易挥发的 9Mbit 4.2 ns SRAM 256K x 36 平行线 -
71V547X5S80PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71v547x5s80pfg -
RFQ
ECAD 1200 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v547 sram-同步,SDR(ZBT) 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) - 不适用 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4.5mbit 8 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
71V547XS100PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71v547xs100pfg 1.6600
RFQ
ECAD 238 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v547 sram-同步,SDR(ZBT) 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) - 不适用 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4.5mbit 10 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
71V416S12YI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V416S12YI -
RFQ
ECAD 5143 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) 71v416s sram-异步 3v〜3.6V 44-SOJ 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4Mbit 12 ns SRAM 256K x 16 平行线 12ns
71V416S12PHI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V416S12PHI -
RFQ
ECAD 5412 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) 71v416s sram-异步 3v〜3.6V 44-TSOP II 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4Mbit 12 ns SRAM 256K x 16 平行线 12ns
71V416L10BEI IDT, Integrated Device Technology Inc 71v416l10bei 2.6600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA 71v416l sram-异步 3v〜3.6V 48-cabga(9x9) 下载 Rohs不合规 4 (72小时) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4Mbit 10 ns SRAM 256K x 16 平行线 10NS
71V416S10PHI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V416S10PHI -
RFQ
ECAD 7071 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) 71v416s sram-异步 3v〜3.6V 44-TSOP II 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4Mbit 10 ns SRAM 256K x 16 平行线 10NS
71V67602S166BQG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V67602S166BQG -
RFQ
ECAD 7364 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-TBGA 71v67602 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 165-CABGA(13x15) 下载 不适用 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 易挥发的 9Mbit 3.5 ns SRAM 256K x 36 平行线 -
71V67603S133PF IDT, Integrated Device Technology Inc 71V67603S133PF 6.0000
RFQ
ECAD 219 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v67603 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 易挥发的 9Mbit 4.2 ns SRAM 256K x 36 平行线 -
71V424S12YI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V424S12YI -
RFQ
ECAD 9351 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 36-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) 71v424 sram-异步 3v〜3.6V 36-SOJ - Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4Mbit 12 ns SRAM 512k x 8 平行线 12ns
71V124SA15TY IDT, Integrated Device Technology Inc 71V124SA15TY 1.6000
RFQ
ECAD 643 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 32-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) 71v124 sram-异步 3v〜3.6V 32-soj 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2B 8542.32.0041 1 易挥发的 1Mbit 15 ns SRAM 128K x 8 平行线 15ns
71V256SA15Y IDT, Integrated Device Technology Inc 71V256SA15Y 0.8000
RFQ
ECAD 7889 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 28-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) 71v256 sram-异步 3v〜3.6V 28-soj 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 Ear99 8542.32.0041 1 易挥发的 256kbit 15 ns SRAM 32K x 8 平行线 15ns
71V546XS133PFGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71v546xs133pfgi 1.6600
RFQ
ECAD 254 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v546 sram-同步,SDR(ZBT) 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 易挥发的 4.5mbit 4.2 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
71V65703S75PF IDT, Integrated Device Technology Inc 71V65703S75PF -
RFQ
ECAD 5707 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v65703 sram-同步,SDR(ZBT) 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 9Mbit 7.5 ns SRAM 256K x 36 平行线 -
71V65603S133PFI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V65603S133PFI -
RFQ
ECAD 8546 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v65603 sram-同步,SDR(ZBT) 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 易挥发的 9Mbit 4.2 ns SRAM 256K x 36 平行线 -
71V547XS80PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71v547xs80pfg 1.6600
RFQ
ECAD 680 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v547 sram-同步,SDR(ZBT) 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) - 不适用 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4.5mbit 8 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
71V65603S150PF IDT, Integrated Device Technology Inc 71V65603S150PF -
RFQ
ECAD 2818 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v65603 sram-同步,SDR(ZBT) 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 150 MHz 易挥发的 9Mbit 3.8 ns SRAM 256K x 36 平行线 -
71V416YS15PHI IDT, Integrated Device Technology Inc 71v416ys15phi 2.0100
RFQ
ECAD 275 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) 71v416y sram-异步 3v〜3.6V 44-TSOP II 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4Mbit 15 ns SRAM 256K x 16 平行线 15ns
71V424S15PH IDT, Integrated Device Technology Inc 71V424S15PH 2.0100
RFQ
ECAD 315 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) 71v424 sram-异步 3v〜3.6V 44-TSOP II 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4Mbit 15 ns SRAM 512k x 8 平行线 15ns
71V65703S80PF IDT, Integrated Device Technology Inc 71V65703S80PF -
RFQ
ECAD 2470 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v65703 sram-同步,SDR(ZBT) 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 9Mbit 8 ns SRAM 256K x 36 平行线 -
71V67603S133PFI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V67603S133PFI -
RFQ
ECAD 1523年 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v67603 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 易挥发的 9Mbit 4.2 ns SRAM 256K x 36 平行线 -
71V67602S166PF IDT, Integrated Device Technology Inc 71V67602S166PF -
RFQ
ECAD 7918 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v67602 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 易挥发的 9Mbit 3.5 ns SRAM 256K x 36 平行线 -
71P74604S200BQ IDT, Integrated Device Technology Inc 71P74604S200BQ 6.6800
RFQ
ECAD 389 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-TBGA 71p74 Sram-同步,QDR II 1.7V〜1.9V 165-CABGA(13x15) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 200 MHz 易挥发的 18mbit 8.4 ns SRAM 512k x 36 平行线 -
71V3578S150PF IDT, Integrated Device Technology Inc 71v3578S150pf -
RFQ
ECAD 6093 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v3578 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 150 MHz 易挥发的 4.5mbit 3.8 ns SRAM 256K x 18 平行线 -
71V3558XS133PFGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3558XS133PFGI 1.5000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v3558 sram-同步,SDR(ZBT) 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 易挥发的 4.5mbit 4.2 ns SRAM 256K x 18 平行线 -
71V35761S200BQ IDT, Integrated Device Technology Inc 71V35761S200BQ -
RFQ
ECAD 5573 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-TBGA 71v35761 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 165-CABGA(13x15) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 200 MHz 易挥发的 4.5mbit 3.1 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
71V3577S80PFI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3577S80PFI 1.5000
RFQ
ECAD 379 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v3577 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4.5mbit 8 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
71V3576S133PF IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3576S133PF 2.0100
RFQ
ECAD 548 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v3576 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 易挥发的 4.5mbit 4.2 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库