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（648）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
71V016SA12BFG	5.0600	RFQ	421	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-LFBGA	71v016	sram-异步	3v〜3.6V	48-cabga（7x7）	下载				3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	64k x 16	平行线	12ns
71V124SA15YG	1.6000	RFQ	311	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.400英寸，10.16毫米宽）	71v124	sram-异步	3v〜3.6V	32-soj	下载				3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	15 ns	SRAM	128K x 8	平行线	15ns
71T75602S133PF	-	RFQ	6802	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71T75602	sram-同步，SDR（ZBT）	2.375V〜2.625V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	18mbit	4.2 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
71V3577S75BQ	-	RFQ	5562	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	71v3577	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1	117 MHz	易挥发的	4.5mbit	7.5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
6116LA45DB	22.3600	RFQ	58	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	24-CDIP （0.600英寸，15.24毫米）	6116LA	sram-异步	4.5V〜5.5V	24-CDIP	下载				3A001A2C	8542.32.0041	1		易挥发的	16kbit	45 ns	SRAM	2k x 8	平行线	45ns
71V3577S80PFG	-	RFQ	5329	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v3577	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	4.5mbit	8 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71124S15YGI	-	RFQ	7129	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.400英寸，10.16毫米宽）	71124	sram-异步	4.5V〜5.5V	32-soj	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	15 ns	SRAM	128K x 8	平行线	15ns
7164L20YG	3.3600	RFQ	1	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	28-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	7164L	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-soj	下载				Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	64kbit	20 ns	SRAM	8k x 8	平行线	20NS
71v424ys15phgi	-	RFQ	7011	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	71v424	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件			3A991B2A	8542.32.0041	26		易挥发的	4Mbit	15 ns	SRAM	512k x 8	平行线	15ns
71V65803S133BQG	-	RFQ	5519	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	71v65803	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	9Mbit	4.2 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
71T75602S166PFGI	-	RFQ	1012	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71T75602	sram-同步，SDR（ZBT）	2.375V〜2.625V	100-TQFP（14x20）	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1	166 MHz	易挥发的	18mbit	3.5 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
71v2546s100pfg	7.6600	RFQ	2	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v2546	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载					8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	4.5mbit	5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71016S15PHG	3.3600	RFQ	528	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	71016	sram-异步	4.5V〜5.5V	44-TSOP II	下载				3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	15 ns	SRAM	64k x 16	平行线	15ns
71V416S15YGI	-	RFQ	8272	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	71v416s	sram-异步	3v〜3.6V	44-SOJ	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	15 ns	SRAM	256K x 16	平行线	15ns
71016S20YG	-	RFQ	5400	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	71016	sram-异步	4.5V〜5.5V	44-SOJ	下载				3A991B2B	8542.32.0041	154		易挥发的	1Mbit	20 ns	SRAM	64k x 16	平行线	20NS	未行业行业经验证
71V67803S150BQ	26.6900	RFQ	133	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	71v67803	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1	150 MHz	易挥发的	9Mbit	3.8 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
71V256SA15YGI	-	RFQ	2925	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	71v256	sram-异步	3v〜3.6V	28-soj	下载				3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	256kbit	15 ns	SRAM	32K x 8	平行线	15ns
71V3559S80BG	7.6600	RFQ	677	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	119-BGA	71v3559	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4.5mbit	8 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
71V416L15PHGI8	-	RFQ	7039	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	71v416l	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	15 ns	SRAM	256K x 16	平行线	15ns
71V124SA12YG	-	RFQ	1116	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.400英寸，10.16毫米宽）	71v124	sram-异步	3v〜3.6V	32-soj	下载				3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	128K x 8	平行线	12ns
71016S20PHGI	3.7300	RFQ	139	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	71016	sram-异步	4.5V〜5.5V	44-TSOP II	下载				3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	20 ns	SRAM	64k x 16	平行线	20NS
71256L55TDB	39.7300	RFQ	107	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	28-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	71256L	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-CDIP	下载				3A001A2C	8542.32.0041	1		易挥发的	256kbit	55 ns	SRAM	32K x 8	平行线	55ns
71256SA15TPGI	-	RFQ	1513年	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	28- 浸（0.300英寸，7.62mm）	71256SA	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-pdip	下载				3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	256kbit	15 ns	SRAM	32K x 8	平行线	15ns
71V35761S200BGGI	3.3300	RFQ	4009	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	119-BGA	71v35761	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载	rohs3符合条件			3A991B2A	8542.32.0041	84	200 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.1 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71V2546S100PF	-	RFQ	4822	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v2546	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	4.5mbit	5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71V547S100PF	1.6600	RFQ	4	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v547	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4.5mbit	10 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71V67803S150PFGI	15.8700	RFQ	24	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v67803	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1	150 MHz	易挥发的	9Mbit	3.8 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
71T75802S200PFGI	55.1700	RFQ	10	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71T75802	sram-同步，SDR（ZBT）	2.375V〜2.625V	100-TQFP（14x14）	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1	200 MHz	易挥发的	18mbit	3.2 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
71V424L12PH	-	RFQ	7405	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	71v424	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	12 ns	SRAM	512k x 8	平行线	12ns
71v432s6pfi	-	RFQ	2801	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v432	sram-同步，sdr	3.135V〜3.63V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	6 ns	SRAM	32K x 32	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

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2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²