RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

（648）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
71v416l12beg	8.0900	RFQ	49	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	71v416l	sram-异步	3v〜3.6V	48-cabga（9x9）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	12 ns	SRAM	256K x 16	平行线	12ns
71V65703S85PFG	-	RFQ	1060	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v65703	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	9Mbit	8.5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
71v416l12phg	6.5100	RFQ	50	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	71v416l	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载					3A991B2A	8542.32.0041	50		易挥发的	4Mbit	12 ns	SRAM	256K x 16	平行线	12ns	未行业行业经验证
71V416S12BEG	-	RFQ	6280	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	71v416s	sram-异步	3v〜3.6V	48-cabga（9x9）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	12 ns	SRAM	256K x 16	平行线	12ns
71V67803S133BQI	-	RFQ	3933	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	71v67803	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	9Mbit	4.2 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
71V124SA15YGI8	2.6500	RFQ	303	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.400英寸，10.16毫米宽）	71v124	sram-异步	3v〜3.6V	32-soj	下载					3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	15 ns	SRAM	128K x 8	平行线	15ns
71V65603S150BQG	-	RFQ	8413	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	71v65603	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1	150 MHz	易挥发的	9Mbit	3.8 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
71V016SA20BFI	4.4700	RFQ	859	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-LFBGA	71v016	sram-异步	3v〜3.6V	48-cabga（7x7）	下载					3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	20 ns	SRAM	64k x 16	平行线	20NS
71T75602S133BGGI	44.0900	RFQ	24	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	119-BGA	71T75602	sram-同步，SDR（ZBT）	2.375V〜2.625V	119-PBGA（14x22）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	18mbit	4.2 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
71V65903S80BQG	-	RFQ	9934	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	71v65903	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	9Mbit	8 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
71V2556SA133BGI	10.8200	RFQ	202	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	119-BGA	71v2556	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载						8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	4.5mbit	4.2 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71V3556SA100BQI	10.8200	RFQ	9730	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	71v3556	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	4.5mbit	5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
6116LA90TDB	22.3600	RFQ	71	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	24-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	6116LA	sram-异步	4.5V〜5.5V	24-CDIP	下载					3A001A2C	8542.32.0041	1		易挥发的	16kbit	90 ns	SRAM	2k x 8	平行线	90NS
71V016SA10BFGI	-	RFQ	1825年	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-LFBGA	71v016	sram-异步	3.15v〜3.6V	48-cabga（7x7）	下载					3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	64k x 16	平行线	10NS
6116SA120TDB	22.3600	RFQ	45	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	24-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	6116SA	sram-异步	4.5V〜5.5V	24-CDIP	下载					3A001A2C	8542.32.0041	1		易挥发的	16kbit	120 ns	SRAM	2k x 8	平行线	120ns
71V3577S80BGGI	10.8200	RFQ	619	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	119-BGA	71v3577	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	4.5mbit	8 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71V016SA15YG	1.7600	RFQ	2289	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	71v016	sram-异步	3v〜3.6V	44-SOJ	下载					3A991B2B	8542.32.0041	125		易挥发的	1Mbit	15 ns	SRAM	64k x 16	平行线	15ns
71V124SA15YG	1.6000	RFQ	311	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.400英寸，10.16毫米宽）	71v124	sram-异步	3v〜3.6V	32-soj	下载					3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	15 ns	SRAM	128K x 8	平行线	15ns
71v424ys12ygi	2.0100	RFQ	9720	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	36-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	71v424	sram-异步	3v〜3.6V	36-SOJ	下载	rohs3符合条件			2156-71V424YS12YGI-IDT	3A991B2A	8542.32.0041	20		易挥发的	4Mbit	12 ns	SRAM	512k x 8	平行线	12ns	未行业行业经验证
71V35761S166BGI	-	RFQ	8782	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	119-BGA	71v35761	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载	Rohs不合规				3A991B2A	8542.32.0041	84	166 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71v25761ys200pfg	2.0100	RFQ	163	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v25761	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件				3A991B2A	8542.32.0041	72	200 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.1 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71v416yl10be	-	RFQ	8364	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	71v416y	sram-异步	3v〜3.6V	48-cabga（9x9）	下载	Rohs不合规				3A991B2A	8542.32.0041	250		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS
71V2576S150PFG	-	RFQ	8187	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v2576	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	rohs3符合条件				3A991B2A	8542.32.0041	72	150 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.8 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71v416yl10phgi	2.0100	RFQ	5294	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	71v416y	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	不适用				3A991B2A	8542.32.0041	26		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS
71V547S75PFG	1.6600	RFQ	594	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v547	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	rohs3符合条件				3A991B2A	8542.32.0041	72		易挥发的	4.5mbit	7.5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
IDT71V416S15PHG	-	RFQ	5859	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）		sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	-				3277-IDT71V416S15PHG	Ear99	8542.32.0041	45		易挥发的	4Mbit		SRAM	256K x 16	平行线	15ns	未行业行业经验证
71V256SA12PZGI	3.9400	RFQ	198	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-tssop （0.465英寸，11.80mm宽度）	71v256	sram-异步	3v〜3.6V	28-tsop	下载					3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	256kbit	12 ns	SRAM	32K x 8	平行线	12ns
71V67803S133PFI	-	RFQ	3893	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v67803	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	9Mbit	4.2 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
71256SA12Y	-	RFQ	9587	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	28-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	71256SA	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-soj	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	256kbit	12 ns	SRAM	32K x 8	平行线	12ns
71V016SA12PHGI	-	RFQ	3306	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	71v016	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载					3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	64k x 16	平行线	12ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（648）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²