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（648）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
71V016SA10BF	4.4000	RFQ	1	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-LFBGA	71v016	sram-异步	3.15v〜3.6V	48-cabga（7x7）	下载				3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	64k x 16	平行线	10NS
71V256SA12PZGI	3.9400	RFQ	198	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-tssop （0.465英寸，11.80mm宽度）	71v256	sram-异步	3v〜3.6V	28-tsop	下载				3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	256kbit	12 ns	SRAM	32K x 8	平行线	12ns
71V3578S133PFI	-	RFQ	9079	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v3578	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	4.5mbit	4.2 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
71V2576S150PFG	-	RFQ	8187	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v2576	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	rohs3符合条件			3A991B2A	8542.32.0041	72	150 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.8 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71024S20TYGI	-	RFQ	4581	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	71024	sram-异步	4.5V〜5.5V	32-soj	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	20 ns	SRAM	128K x 8	平行线	20NS
71V3577S80BQ	8.6800	RFQ	8798	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	71v3577	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	4.5mbit	8 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71v416vs15begi	-	RFQ	5614	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	71v416v	sram-异步	3v〜3.6V	48-cabga（9x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定	3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	15 ns	SRAM	256K x 16	平行线	15ns
71V3557S80PFGI	9.4300	RFQ	140	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v3557	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4.5mbit	8 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71V65602S133BQ	-	RFQ	9908	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	119-BGA	71v65602	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	9Mbit	4.2 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
71V124SA15YGI8	2.6500	RFQ	303	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.400英寸，10.16毫米宽）	71v124	sram-异步	3v〜3.6V	32-soj	下载				3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	15 ns	SRAM	128K x 8	平行线	15ns
71v424ys12ph	-	RFQ	8570	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	71v424	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	12 ns	SRAM	512k x 8	平行线	12ns
71v416yl10phgi	2.0100	RFQ	5294	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	71v416y	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	不适用			3A991B2A	8542.32.0041	26		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS
71V67603S166PF8	6.0000	RFQ	500	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v67603	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1	166 MHz	易挥发的	9Mbit	3.5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
71V016SA12YGI8	-	RFQ	8615	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	71v016	sram-异步	3v〜3.6V	44-SOJ	下载				3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	64k x 16	平行线	12ns
71256SA20PZG8	-	RFQ	2533	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	28-tssop （0.465英寸，11.80mm宽度）	71256SA	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-tsop	下载				3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	256kbit	20 ns	SRAM	32K x 8	平行线	20NS
71V416L10PHGI8	-	RFQ	7826	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	71v416l	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS
71T75702S85BGI	-	RFQ	9186	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	119-BGA	71T75702	sram-同步，SDR（ZBT）	2.375V〜2.625V	119-PBGA（14x22）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	18mbit	8.5 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
71V3577S75BQ	-	RFQ	5562	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	71v3577	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1	117 MHz	易挥发的	4.5mbit	7.5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71V016SA12Y	-	RFQ	6232	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	71v016	sram-异步	3v〜3.6V	44-SOJ	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	64k x 16	平行线	12ns
71V67603S166BQG	32.9200	RFQ	15	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	71v67603	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1	166 MHz	易挥发的	9Mbit	3.5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
6116LA15TPG	2.8000	RFQ	470	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	24- 浸（0.300英寸，7.62mm）	6116LA	sram-异步	4.5V〜5.5V	24-PDIP	下载				Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	16kbit	15 ns	SRAM	2k x 8	平行线	15ns
71v124sa20phg	1.6600	RFQ	231	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.400英寸，10.16毫米宽）	71v124	sram-异步	3v〜3.6V	32-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定	3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	20 ns	SRAM	128K x 8	平行线	20NS
71V67903S85BQ	-	RFQ	9964	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	71v67903	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1	87 MHz	易挥发的	9Mbit	8.5 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
71V3559S85PF	2.0100	RFQ	564	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v3559	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4.5mbit	8.5 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
71V3577S85BQG	8.6800	RFQ	8914	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	71v3577	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1	87 MHz	易挥发的	4.5mbit	8.5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71256S55DB	44.7000	RFQ	4731	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	28-CDIP （0.600英寸，15.24毫米）	71256	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-CDIP	下载				3A001A2C	8542.32.0041	5		易挥发的	256kbit	55 ns	SRAM	32K x 8	平行线	55ns
71V124SA15YG	1.6000	RFQ	311	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.400英寸，10.16毫米宽）	71v124	sram-异步	3v〜3.6V	32-soj	下载				3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	15 ns	SRAM	128K x 8	平行线	15ns
71V3558S133PFGI	11.0800	RFQ	7	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v3558	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	4.5mbit	4.2 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
71v546s100pfi	-	RFQ	5483	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v546	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	4.5mbit	5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71v124sa10phgi	-	RFQ	3817	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.400英寸，10.16毫米宽）	71v124	sram-异步	3.15v〜3.6V	32-TSOP II	下载				3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	128K x 8	平行线	10NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（648）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²