电话: +86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 71V35761SA166BGG | - | ![]() | 6162 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 119-BGA | 71v35761 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 119-PBGA(14x22) | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | 166 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 3.5 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | |||
![]() | 71256SA12TPG | 2.8500 | ![]() | 139 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 通过洞 | 28- 浸(0.300英寸,7.62mm) | 71256SA | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-pdip | 下载 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 139 | 易挥发的 | 256kbit | 12 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 12ns | 未行业行业经验证 | ||
![]() | 7164L20TDB | 30.3800 | ![]() | 28 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜125°C(TA) | 通过洞 | 28-CDIP (0.300英寸,7.62mm) | 7164L | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-CDIP | 下载 | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 64kbit | 20 ns | SRAM | 8k x 8 | 平行线 | 20NS | |||
![]() | 71v016sa10phg | - | ![]() | 8764 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | 71v016 | sram-异步 | 3.15v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 1Mbit | 10 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 10NS | |||
![]() | 71V3577S75BQ | - | ![]() | 5562 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | 71v3577 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 165-CABGA(13x15) | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 117 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 7.5 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | ||
![]() | 71024S20TYG | 2.8500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 32-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) | 71024 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 32-soj | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 106 | 易挥发的 | 1Mbit | 20 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 20NS | 未行业行业经验证 | ||
![]() | 71256SA12PZG | - | ![]() | 5638 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 28-tssop (0.465英寸,11.80mm宽度) | 71256SA | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-tsop | 下载 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 256kbit | 12 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 12ns | |||
![]() | 71T75802S200BGG | 44.5700 | ![]() | 30 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 119-BGA | 71T75802 | sram-同步,SDR(ZBT) | 2.375V〜2.625V | 119-PBGA(14x22) | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 3.2 ns | SRAM | 1m x 18 | 平行线 | - | ||
![]() | 71256SA20PZG | 5.2200 | ![]() | 113 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 28-tssop (0.465英寸,11.80mm宽度) | 71256SA | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-tsop | 下载 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 256kbit | 20 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 20NS | |||
![]() | 71V3577S80BQ | 8.6800 | ![]() | 8798 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | 71v3577 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 165-CABGA(13x15) | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 8 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | ||
![]() | 71V3558S133PFGI | 11.0800 | ![]() | 7 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 71v3558 | sram-同步,SDR(ZBT) | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 4.2 ns | SRAM | 256K x 18 | 平行线 | - | ||
![]() | 71V3577S80BGI | 10.8200 | ![]() | 192 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 119-BGA | 71v3577 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 119-PBGA(14x22) | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 8 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | ||
![]() | 71V3559S75PFG | 7.9600 | ![]() | 142 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 71v3559 | sram-同步,SDR(ZBT) | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4.5mbit | 7.5 ns | SRAM | 256K x 18 | 平行线 | - | |||
![]() | 71v424l12ygi | - | ![]() | 7383 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 36-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) | 71v424 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 36-SOJ | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4Mbit | 12 ns | SRAM | 512k x 8 | 平行线 | 12ns | |||
![]() | 71v416l15begi | 8.8700 | ![]() | 487 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | 71v416l | sram-异步 | 3v〜3.6V | 48-cabga(9x9) | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4Mbit | 15 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | 71v416l15beg | 8.0900 | ![]() | 345 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | 71v416l | sram-异步 | 3v〜3.6V | 48-cabga(9x9) | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4Mbit | 15 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | 71024S12YGI | - | ![]() | 8395 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-bsoj(0.400英寸,10.16毫米宽) | 71024 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 32-soj | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 1Mbit | 12 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 12ns | |||
![]() | 7164S20TPG | 6.2600 | ![]() | 181 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 通过洞 | 28- 浸(0.300英寸,7.62mm) | 7164 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-pdip | 下载 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 64kbit | 20 ns | SRAM | 8k x 8 | 平行线 | 20NS | |||
![]() | 71v416l10beg | - | ![]() | 7345 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | 71v416l | sram-异步 | 3v〜3.6V | 48-cabga(9x9) | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 10NS | |||
![]() | 71V546S133PFGI | - | ![]() | 1909年 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 71v546 | sram-同步,SDR(ZBT) | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 4.2 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | ||
![]() | 7164S35DB | 31.2500 | ![]() | 77 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜125°C(TA) | 通过洞 | 28-CDIP (0.600英寸,15.24毫米) | 7164 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-CDIP | 下载 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 64kbit | 35 ns | SRAM | 8k x 8 | 平行线 | 35ns | |||
![]() | 6116LA15TPG | 2.8000 | ![]() | 470 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 24- 浸(0.300英寸,7.62mm) | 6116LA | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 24-PDIP | 下载 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 16kbit | 15 ns | SRAM | 2k x 8 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | 71V67603S133BQGI | 26.6900 | ![]() | 16 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | 71v67603 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 165-CABGA(13x15) | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 4.2 ns | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | ||
![]() | 71V65803S100PFGI | 27.5600 | ![]() | 75 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 71v65803 | sram-同步,SDR(ZBT) | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 5 ns | SRAM | 512k x 18 | 平行线 | - | ||
![]() | 71V65903S85PFGI | 27.5600 | ![]() | 16 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 71v65903 | sram-同步,SDR(ZBT) | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 9Mbit | 8.5 ns | SRAM | 512k x 18 | 平行线 | - | |||
![]() | 71T75602S150BGI | 44.0900 | ![]() | 42 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 119-BGA | 71T75602 | sram-同步,SDR(ZBT) | 2.375V〜2.625V | 119-PBGA(14x22) | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 150 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 3.8 ns | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | ||
![]() | 6116SA45TDB | 22.3600 | ![]() | 35 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜125°C(TA) | 通过洞 | 24-CDIP (0.300英寸,7.62mm) | 6116SA | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 24-CDIP | 下载 | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 16kbit | 45 ns | SRAM | 2k x 8 | 平行线 | 45ns | |||
![]() | 7164L70TDB | 30.3800 | ![]() | 177 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜125°C(TA) | 通过洞 | 28-CDIP (0.300英寸,7.62mm) | 7164L | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-CDIP | 下载 | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 64kbit | 70 ns | SRAM | 8k x 8 | 平行线 | 70NS | |||
![]() | 71V124SA15PHG | - | ![]() | 5038 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 32-SOIC(0.400英寸,10.16毫米宽) | 71v124 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 32-TSOP II | 下载 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 1Mbit | 15 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | 71V3577S85BQG | 8.6800 | ![]() | 8914 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | 71v3577 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 165-CABGA(13x15) | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 87 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 8.5 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - |
每日平均RFQ量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库