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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
71V65602S133BQ IDT, Integrated Device Technology Inc 71V65602S133BQ -
RFQ
ECAD 9908 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 119-BGA 71v65602 sram-同步,SDR(ZBT) 3.135V〜3.465V 119-PBGA(14x22) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 易挥发的 9Mbit 4.2 ns SRAM 256K x 36 平行线 -
71V632S7PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71v632s7pfg 3.8500
RFQ
ECAD 140 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v632 sram-同步,sdr 3.135V〜3.63V 100-TQFP(14x14) 下载 3A991B2A 8542.32.0041 1 66 MHz 易挥发的 2Mbit 7 ns SRAM 64k x 32 平行线 -
71V546X5S133PFGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71v546x5s133pfgi -
RFQ
ECAD 4304 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v546 sram-同步,SDR(ZBT) 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x20) - 不适用 3(168)) 供应商不确定 1 133 MHz 易挥发的 4.5mbit 4.2 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
6116LA45DB IDT, Integrated Device Technology Inc 6116LA45DB 22.3600
RFQ
ECAD 58 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -55°C〜125°C(TA) 通过洞 24-CDIP (0.600英寸,15.24毫米) 6116LA sram-异步 4.5V〜5.5V 24-CDIP 下载 3A001A2C 8542.32.0041 1 易挥发的 16kbit 45 ns SRAM 2k x 8 平行线 45ns
6116LA15TPG IDT, Integrated Device Technology Inc 6116LA15TPG 2.8000
RFQ
ECAD 470 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 通过洞 24- 浸(0.300英寸,7.62mm) 6116LA sram-异步 4.5V〜5.5V 24-PDIP 下载 Ear99 8542.32.0041 1 易挥发的 16kbit 15 ns SRAM 2k x 8 平行线 15ns
71256L35Y IDT, Integrated Device Technology Inc 71256L35Y -
RFQ
ECAD 8336 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 28-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) 71256L sram-异步 4.5V〜5.5V 28-soj 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 Ear99 8542.32.0041 1 易挥发的 256kbit 35 ns SRAM 32K x 8 平行线 35ns
71T75702S85BGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71T75702S85BGI -
RFQ
ECAD 9186 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 119-BGA 71T75702 sram-同步,SDR(ZBT) 2.375V〜2.625V 119-PBGA(14x22) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 18mbit 8.5 ns SRAM 512k x 36 平行线 -
71V65703S85PF IDT, Integrated Device Technology Inc 71V65703S85PF -
RFQ
ECAD 7100 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v65703 sram-同步,SDR(ZBT) 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 9Mbit 8.5 ns SRAM 256K x 36 平行线 -
71V25761S200PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71v25761s200pfg 12.3000
RFQ
ECAD 62 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v25761 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 3A991B2A 8542.32.0041 1 200 MHz 易挥发的 4.5mbit 3.1 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
71V124SA15Y IDT, Integrated Device Technology Inc 71V124SA15Y -
RFQ
ECAD 2241 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 32-bsoj(0.400英寸,10.16毫米宽) 71v124 sram-异步 3v〜3.6V 32-soj 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2B 8542.32.0041 1 易挥发的 1Mbit 15 ns SRAM 128K x 8 平行线 15ns
71V3577S75BQ IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3577S75BQ -
RFQ
ECAD 5562 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-TBGA 71v3577 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 165-CABGA(13x15) 下载 3A991B2A 8542.32.0041 1 117 MHz 易挥发的 4.5mbit 7.5 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
71V416S12Y IDT, Integrated Device Technology Inc 71V416S12Y -
RFQ
ECAD 1189 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) 71v416s sram-异步 3v〜3.6V 44-SOJ 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4Mbit 12 ns SRAM 256K x 16 平行线 12ns
6116SA120TDB IDT, Integrated Device Technology Inc 6116SA120TDB 22.3600
RFQ
ECAD 45 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -55°C〜125°C(TA) 通过洞 24-CDIP (0.300英寸,7.62mm) 6116SA sram-异步 4.5V〜5.5V 24-CDIP 下载 3A001A2C 8542.32.0041 1 易挥发的 16kbit 120 ns SRAM 2k x 8 平行线 120ns
71T75602S133PF IDT, Integrated Device Technology Inc 71T75602S133PF -
RFQ
ECAD 6802 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71T75602 sram-同步,SDR(ZBT) 2.375V〜2.625V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 易挥发的 18mbit 4.2 ns SRAM 512k x 36 平行线 -
71V424YS12PH IDT, Integrated Device Technology Inc 71v424ys12ph -
RFQ
ECAD 8570 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) 71v424 sram-异步 3v〜3.6V 44-TSOP II 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4Mbit 12 ns SRAM 512k x 8 平行线 12ns
71V124SA15YGI8 IDT, Integrated Device Technology Inc 71V124SA15YGI8 2.6500
RFQ
ECAD 303 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 32-bsoj(0.400英寸,10.16毫米宽) 71v124 sram-异步 3v〜3.6V 32-soj 下载 3A991B2B 8542.32.0041 1 易挥发的 1Mbit 15 ns SRAM 128K x 8 平行线 15ns
71T75802S100PFGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71T75802S100PFGI 6.6800
RFQ
ECAD 209 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71T75802 sram-同步,SDR(ZBT) 2.375V〜2.625V 100-TQFP(14x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 易挥发的 18mbit 5 ns SRAM 1m x 18 平行线 -
71V65903S75PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V65903S75PFG -
RFQ
ECAD 2518 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v65903 sram-同步,SDR(ZBT) 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 9Mbit 7.5 ns SRAM 512k x 18 平行线 -
71V3558XS133PF IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3558XS133PF 2.0100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v3558 sram-同步,SDR(ZBT) 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 易挥发的 4.5mbit 4.2 ns SRAM 256K x 18 平行线 -
71V016SA10BF IDT, Integrated Device Technology Inc 71V016SA10BF 4.4000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-LFBGA 71v016 sram-异步 3.15v〜3.6V 48-cabga(7x7) 下载 3A991B2B 8542.32.0041 1 易挥发的 1Mbit 10 ns SRAM 64k x 16 平行线 10NS
71V3577S80BGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3577S80BGI 10.8200
RFQ
ECAD 192 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 119-BGA 71v3577 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 119-PBGA(14x22) 下载 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 易挥发的 4.5mbit 8 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
71T75802S100BG IDT, Integrated Device Technology Inc 71T75802S100BG 42.2200
RFQ
ECAD 159 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 119-BGA 71T75802 sram-同步,SDR(ZBT) 2.375V〜2.625V 119-PBGA(14x22) 下载 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 易挥发的 18mbit 5 ns SRAM 1m x 18 平行线 -
71V016SA12PHI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V016SA12PHI -
RFQ
ECAD 5260 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) 71v016 sram-异步 3v〜3.6V 44-TSOP II 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2B 8542.32.0041 1 易挥发的 1Mbit 12 ns SRAM 64k x 16 平行线 12ns
71V016SA12YGI8 IDT, Integrated Device Technology Inc 71V016SA12YGI8 -
RFQ
ECAD 8615 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) 71v016 sram-异步 3v〜3.6V 44-SOJ 下载 3A991B2B 8542.32.0041 1 易挥发的 1Mbit 12 ns SRAM 64k x 16 平行线 12ns
71V432S7PFGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71v432s7pfgi -
RFQ
ECAD 3198 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v432 sram-同步,sdr 3.135V〜3.63V 100-TQFP(14x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 供应商不确定 3A991B2B 8542.32.0041 1 易挥发的 1Mbit 7 ns SRAM 32K x 32 平行线 -
71V3556SA100BQI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3556SA100BQI 10.8200
RFQ
ECAD 9730 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-TBGA 71v3556 sram-同步,SDR(ZBT) 3.135V〜3.465V 165-CABGA(13x15) 下载 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 易挥发的 4.5mbit 5 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
71V25761S166PFI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V25761S166PFI 2.0100
RFQ
ECAD 582 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v25761 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x20) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 易挥发的 4.5mbit 3.5 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
71V3558S133BG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3558S133BG 3.3300
RFQ
ECAD 129 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 119-BGA 71v3558 sram-同步,SDR(ZBT) 3.135V〜3.465V 119-PBGA(14x22) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 易挥发的 4.5mbit 4.2 ns SRAM 256K x 18 平行线 -
71V424YL10PH IDT, Integrated Device Technology Inc 71v424yl10ph 2.0100
RFQ
ECAD 199 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) 71v424 sram-异步 3v〜3.6V 44-TSOP II 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4Mbit 10 ns SRAM 512k x 8 平行线 10NS
71V3556SA133BGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3556SA133BGI 10.8200
RFQ
ECAD 296 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 119-BGA 71v3556 sram-同步,SDR(ZBT) 3.135V〜3.465V 119-PBGA(14x22) 下载 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 易挥发的 4.5mbit 4.2 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库