RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

（648）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
71V3559S85PF	2.0100	RFQ	564	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v3559	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4.5mbit	8.5 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
71P72804S167BQGI	6.6800	RFQ	7051	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	71p72	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-CABGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	167 MHz	易挥发的	18mbit	8.4 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
71V416L12YI	-	RFQ	3261	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	71v416l	sram-异步	3v〜3.6V	44-SOJ	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	12 ns	SRAM	256K x 16	平行线	12ns
71v416l12phg	6.5100	RFQ	50	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	71v416l	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载					3A991B2A	8542.32.0041	50		易挥发的	4Mbit	12 ns	SRAM	256K x 16	平行线	12ns	未行业行业经验证
71v67602s150pfi	-	RFQ	6237	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v67602	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	150 MHz	易挥发的	9Mbit	3.8 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
71v416vs12beg	5.0000	RFQ	1331	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	71v416v	sram-异步	3v〜3.6V	48-cabga（9x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	12 ns	SRAM	256K x 16	平行线	12ns
71v016sa20phi	-	RFQ	2944	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	71v016	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	20 ns	SRAM	64k x 16	平行线	20NS
71V124SA15PH	-	RFQ	3137	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.400英寸，10.16毫米宽）	71v124	sram-异步	3v〜3.6V	32-TSOP II	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	15 ns	SRAM	128K x 8	平行线	15ns
71256L25YG	-	RFQ	4019	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	28-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	71256L	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-soj	下载					Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	256kbit	25 ns	SRAM	32K x 8	平行线	25ns
71T75802S133PF	6.6800	RFQ	2431	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71T75802	sram-同步，SDR（ZBT）	2.375V〜2.625V	100-TQFP（14x14）	-	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	2156-71T75802S133PF	3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	18mbit	4.2 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-	未行业行业经验证
71V3577S80BQ	8.6800	RFQ	8798	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	71v3577	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	4.5mbit	8 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71T75802S100PFG	6.6800	RFQ	882	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71T75802	sram-同步，SDR（ZBT）	2.375V〜2.625V	100-TQFP（14x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	18mbit	5 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
71V3576S133BGI	-	RFQ	9442	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	119-BGA	71v3576	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	4.5mbit	4.2 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71V3558S133PFGI	11.0800	RFQ	7	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v3558	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	4.5mbit	4.2 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
71V3577S80BGGI	10.8200	RFQ	619	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	119-BGA	71v3577	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	4.5mbit	8 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71v546xs133pf	1.6600	RFQ	388	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v546	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	4.5mbit	4.2 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71v416vl15phg	4.3400	RFQ	130	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	71v416v	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	15 ns	SRAM	256K x 16	平行线	15ns
71v416vs15begi	-	RFQ	5614	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	71v416v	sram-异步	3v〜3.6V	48-cabga（9x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	15 ns	SRAM	256K x 16	平行线	15ns
6116SA45TDB	22.3600	RFQ	35	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	24-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	6116SA	sram-异步	4.5V〜5.5V	24-CDIP	下载					3A001A2C	8542.32.0041	1		易挥发的	16kbit	45 ns	SRAM	2k x 8	平行线	45ns
71V65803S100BG	26.6900	RFQ	107	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	119-BGA	71v65803	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	9Mbit	5 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
71V35761S166BGI	-	RFQ	8782	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	119-BGA	71v35761	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载	Rohs不合规				3A991B2A	8542.32.0041	84	166 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71V2556S166PFG	7.6600	RFQ	332	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v2556	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载						8542.32.0041	1	166 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71024S20TYI	-	RFQ	2383	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	71024	sram-异步	4.5V〜5.5V	32-soj	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	20 ns	SRAM	128K x 8	平行线	20NS
71v416yl10be	-	RFQ	8364	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	71v416y	sram-异步	3v〜3.6V	48-cabga（9x9）	下载	Rohs不合规				3A991B2A	8542.32.0041	250		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS
71V35761SA166BGG	-	RFQ	6162	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	119-BGA	71v35761	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载						0000.00.0000	1	166 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71v416l10beg	-	RFQ	7345	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	71v416l	sram-异步	3v〜3.6V	48-cabga（9x9）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS
71P79804S250BQI	-	RFQ	5469	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	71p79	Sram-同步，DDR II	1.7V〜1.9V	165-CABGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	250 MHz	易挥发的	18mbit	6.3 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
71256SA12Y	-	RFQ	9587	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	28-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	71256SA	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-soj	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	256kbit	12 ns	SRAM	32K x 8	平行线	12ns
71v416l15beg	8.0900	RFQ	345	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	71v416l	sram-异步	3v〜3.6V	48-cabga（9x9）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	15 ns	SRAM	256K x 16	平行线	15ns
71v416l12beg	8.0900	RFQ	49	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	71v416l	sram-异步	3v〜3.6V	48-cabga（9x9）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	12 ns	SRAM	256K x 16	平行线	12ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（648）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²