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（648）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
71T75602S150BGI	44.0900	RFQ	42	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	119-BGA	71T75602	sram-同步，SDR（ZBT）	2.375V〜2.625V	119-PBGA（14x22）	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1	150 MHz	易挥发的	18mbit	3.8 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
71v546xs133pf	1.6600	RFQ	388	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v546	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	4.5mbit	4.2 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71v65603zs133pf	6.0000	RFQ	234	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v65603	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	不适用	3（168））	供应商不确定	3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	9Mbit	4.2 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
71024S20Y	-	RFQ	3845	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.400英寸，10.16毫米宽）	71024	sram-异步	4.5V〜5.5V	32-soj	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	20 ns	SRAM	128K x 8	平行线	20NS
6116LA45DB	22.3600	RFQ	58	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	24-CDIP （0.600英寸，15.24毫米）	6116LA	sram-异步	4.5V〜5.5V	24-CDIP	下载				3A001A2C	8542.32.0041	1		易挥发的	16kbit	45 ns	SRAM	2k x 8	平行线	45ns
6116LA15TPG	2.8000	RFQ	470	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	24- 浸（0.300英寸，7.62mm）	6116LA	sram-异步	4.5V〜5.5V	24-PDIP	下载				Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	16kbit	15 ns	SRAM	2k x 8	平行线	15ns
71256SA12Y	-	RFQ	9587	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	28-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	71256SA	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-soj	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	256kbit	12 ns	SRAM	32K x 8	平行线	12ns
71P79804S250BQI	-	RFQ	5469	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	71p79	Sram-同步，DDR II	1.7V〜1.9V	165-CABGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1	250 MHz	易挥发的	18mbit	6.3 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
71v416l15beg	8.0900	RFQ	345	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	71v416l	sram-异步	3v〜3.6V	48-cabga（9x9）	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	15 ns	SRAM	256K x 16	平行线	15ns
7164L70TDB	30.3800	RFQ	177	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	28-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	7164L	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-CDIP	下载				3A001A2C	8542.32.0041	1		易挥发的	64kbit	70 ns	SRAM	8k x 8	平行线	70NS
71v416l12beg	8.0900	RFQ	49	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	71v416l	sram-异步	3v〜3.6V	48-cabga（9x9）	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	12 ns	SRAM	256K x 16	平行线	12ns
71V67603S166BQG	32.9200	RFQ	15	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	71v67603	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1	166 MHz	易挥发的	9Mbit	3.5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
71v2576ys150pf	-	RFQ	8897	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v2576	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1	150 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.8 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71v424ys12ph	-	RFQ	8570	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	71v424	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	12 ns	SRAM	512k x 8	平行线	12ns
71V65602S133BQ	-	RFQ	9908	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	119-BGA	71v65602	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	9Mbit	4.2 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
71V65903S80BQG	-	RFQ	9934	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	71v65903	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	9Mbit	8 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
71P74604S200BQG	6.6800	RFQ	45	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	71p74	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-CABGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定	3A991B2A	8542.32.0041	1	200 MHz	易挥发的	18mbit	8.4 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
71v546x5s133pfgi	-	RFQ	4304	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v546	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x20）	-	不适用	3（168））	供应商不确定			1	133 MHz	易挥发的	4.5mbit	4.2 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71v424l12ygi	-	RFQ	7383	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	36-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	71v424	sram-异步	3v〜3.6V	36-SOJ	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	12 ns	SRAM	512k x 8	平行线	12ns
71256L35Y	-	RFQ	8336	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	28-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	71256L	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-soj	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	256kbit	35 ns	SRAM	32K x 8	平行线	35ns
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71T75802S100BG	42.2200	RFQ	159	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	119-BGA	71T75802	sram-同步，SDR（ZBT）	2.375V〜2.625V	119-PBGA（14x22）	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	18mbit	5 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
71V3577S80BGI	10.8200	RFQ	192	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	119-BGA	71v3577	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	4.5mbit	8 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71V67903S85BQ	-	RFQ	9964	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	71v67903	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1	87 MHz	易挥发的	9Mbit	8.5 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
71V65703S85PF	-	RFQ	7100	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v65703	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	9Mbit	8.5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
6116SA120TDB	22.3600	RFQ	45	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	24-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	6116SA	sram-异步	4.5V〜5.5V	24-CDIP	下载				3A001A2C	8542.32.0041	1		易挥发的	16kbit	120 ns	SRAM	2k x 8	平行线	120ns
71256SA20PZG	5.2200	RFQ	113	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	28-tssop （0.465英寸，11.80mm宽度）	71256SA	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-tsop	下载				3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	256kbit	20 ns	SRAM	32K x 8	平行线	20NS
71v632s7pfg	3.8500	RFQ	140	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v632	sram-同步，sdr	3.135V〜3.63V	100-TQFP（14x14）	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1	66 MHz	易挥发的	2Mbit	7 ns	SRAM	64k x 32	平行线	-
71T75702S85BGI	-	RFQ	9186	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	119-BGA	71T75702	sram-同步，SDR（ZBT）	2.375V〜2.625V	119-PBGA（14x22）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	18mbit	8.5 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
71V124SA12Y	1.6000	RFQ	5956	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.400英寸，10.16毫米宽）	71v124	sram-异步	3v〜3.6V	32-soj	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	128K x 8	平行线	12ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（648）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²