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（648）

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71016S12PHG	-	RFQ	5781	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	71016	sram-异步	4.5V〜5.5V	44-TSOP II	下载				3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	64k x 16	平行线	12ns
71256SA12TPG	2.8500	RFQ	139	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	28- 浸（0.300英寸，7.62mm）	71256SA	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-pdip	下载				3A991B2B	8542.32.0041	139		易挥发的	256kbit	12 ns	SRAM	32K x 8	平行线	12ns	未行业行业经验证
71V424S15PHG	7.7000	RFQ	63	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	71v424	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	15 ns	SRAM	512k x 8	平行线	15ns
71V416S12BEG	-	RFQ	6280	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	71v416s	sram-异步	3v〜3.6V	48-cabga（9x9）	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	12 ns	SRAM	256K x 16	平行线	12ns
71V3557S85PFG	8.6800	RFQ	1	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v3557	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载				3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4.5mbit	8.5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71V416L10PH	-	RFQ	8902	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	71v416l	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS
71024S15YI	-	RFQ	1625年	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.400英寸，10.16毫米宽）	71024	sram-异步	4.5V〜5.5V	32-soj	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	15 ns	SRAM	128K x 8	平行线	15ns
71T75702S75BGI	-	RFQ	6897	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	119-BGA	71T75702	sram-同步，SDR（ZBT）	2.375V〜2.625V	119-PBGA（14x22）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	18mbit	7.5 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（648）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²