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![]() | 71V016SA10PH | 1.2100 | ![]() | 3117 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | 71v016 | sram-异步 | 3.15v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 1Mbit | 10 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 10NS | ||
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![]() | 71T75702S85BGI | - | ![]() | 9186 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 119-BGA | 71T75702 | sram-同步,SDR(ZBT) | 2.375V〜2.625V | 119-PBGA(14x22) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 18mbit | 8.5 ns | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | ||
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![]() | 71V124SA12Y | 1.6000 | ![]() | 5956 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 32-bsoj(0.400英寸,10.16毫米宽) | 71v124 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 32-soj | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 1Mbit | 12 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 12ns | ||
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![]() | 6116SA45TPI | 2.9400 | ![]() | 377 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 通过洞 | 24- 浸(0.300英寸,7.62mm) | 6116SA | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 24-PDIP | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 16kbit | 45 ns | SRAM | 2k x 8 | 平行线 | 45ns | ||
![]() | 71P74604S200BQG | 6.6800 | ![]() | 45 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | 71p74 | Sram-同步,QDR II | 1.7V〜1.9V | 165-CABGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 8.4 ns | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | |
![]() | 71V416S12Y | - | ![]() | 1189 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 44-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) | 71v416s | sram-异步 | 3v〜3.6V | 44-SOJ | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4Mbit | 12 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 12ns | ||
![]() | 71V416L12YI | - | ![]() | 3261 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) | 71v416l | sram-异步 | 3v〜3.6V | 44-SOJ | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4Mbit | 12 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 12ns | ||
![]() | 71v632zs5pf | - | ![]() | 7694 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 71v632 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.63V | 100-TQFP(14x20) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | 易挥发的 | 2Mbit | 5 ns | SRAM | 64k x 32 | 平行线 | - | |
![]() | 71V3558S133BG | 3.3300 | ![]() | 129 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 119-BGA | 71v3558 | sram-同步,SDR(ZBT) | 3.135V〜3.465V | 119-PBGA(14x22) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 4.2 ns | SRAM | 256K x 18 | 平行线 | - | |
![]() | 71V3558XS133PF | 2.0100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 71v3558 | sram-同步,SDR(ZBT) | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 4.2 ns | SRAM | 256K x 18 | 平行线 | - | |
![]() | 71256SA25TPI | - | ![]() | 9360 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 28- 浸(0.300英寸,7.62mm) | 71256SA | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-pdip | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 256kbit | 25 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 25ns | ||
![]() | 71024S20TYI | - | ![]() | 2383 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) | 71024 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 32-soj | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 1Mbit | 20 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 20NS |
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