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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
71V3578S133PFI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3578S133PFI -
RFQ
ECAD 9079 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v3578 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 易挥发的 4.5mbit 4.2 ns SRAM 256K x 18 平行线 -
71V416VS15BEGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71v416vs15begi -
RFQ
ECAD 5614 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA 71v416v sram-异步 3v〜3.6V 48-cabga(9x9) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4Mbit 15 ns SRAM 256K x 16 平行线 15ns
71V416VS12PHGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71v416vs12phgi -
RFQ
ECAD 3626 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) 71v416v sram-异步 3v〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4Mbit 12 ns SRAM 256K x 16 平行线 12ns
71V416S15PHI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V416S15PHI -
RFQ
ECAD 3638 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) 71v416s sram-异步 3v〜3.6V 44-TSOP II 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4Mbit 15 ns SRAM 256K x 16 平行线 15ns
71V016SA10PH IDT, Integrated Device Technology Inc 71V016SA10PH 1.2100
RFQ
ECAD 3117 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) 71v016 sram-异步 3.15v〜3.6V 44-TSOP II 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2B 8542.32.0041 1 易挥发的 1Mbit 10 ns SRAM 64k x 16 平行线 10NS
71T75802S100PF IDT, Integrated Device Technology Inc 71T75802S100PF -
RFQ
ECAD 1849年 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71T75802 sram-同步,SDR(ZBT) 2.375V〜2.625V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 易挥发的 18mbit 5 ns SRAM 1m x 18 平行线 -
71V016SA12Y IDT, Integrated Device Technology Inc 71V016SA12Y -
RFQ
ECAD 6232 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) 71v016 sram-异步 3v〜3.6V 44-SOJ 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2B 8542.32.0041 1 易挥发的 1Mbit 12 ns SRAM 64k x 16 平行线 12ns
71V124SA15PH IDT, Integrated Device Technology Inc 71V124SA15PH -
RFQ
ECAD 3137 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 32-SOIC(0.400英寸,10.16毫米宽) 71v124 sram-异步 3v〜3.6V 32-TSOP II 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2B 8542.32.0041 1 易挥发的 1Mbit 15 ns SRAM 128K x 8 平行线 15ns
71V016SA20PH IDT, Integrated Device Technology Inc 71V016SA20PH 1.0700
RFQ
ECAD 314 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) 71v016 sram-异步 3v〜3.6V 44-TSOP II 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2B 8542.32.0041 1 易挥发的 1Mbit 20 ns SRAM 64k x 16 平行线 20NS
71V124SA15Y IDT, Integrated Device Technology Inc 71V124SA15Y -
RFQ
ECAD 2241 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 32-bsoj(0.400英寸,10.16毫米宽) 71v124 sram-异步 3v〜3.6V 32-soj 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2B 8542.32.0041 1 易挥发的 1Mbit 15 ns SRAM 128K x 8 平行线 15ns
71T75702S85BGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71T75702S85BGI -
RFQ
ECAD 9186 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 119-BGA 71T75702 sram-同步,SDR(ZBT) 2.375V〜2.625V 119-PBGA(14x22) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 18mbit 8.5 ns SRAM 512k x 36 平行线 -
71V256SA12Y IDT, Integrated Device Technology Inc 71V256SA12Y -
RFQ
ECAD 9920 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 28-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) 71v256 sram-异步 3v〜3.6V 28-soj 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 Ear99 8542.32.0041 1 易挥发的 256kbit 12 ns SRAM 32K x 8 平行线 12ns
71V124SA20PHG IDT, Integrated Device Technology Inc 71v124sa20phg 1.6600
RFQ
ECAD 231 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 32-SOIC(0.400英寸,10.16毫米宽) 71v124 sram-异步 3v〜3.6V 32-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 供应商不确定 3A991B2B 8542.32.0041 1 易挥发的 1Mbit 20 ns SRAM 128K x 8 平行线 20NS
71V416YFS15BEI IDT, Integrated Device Technology Inc 71v416yfs15bei -
RFQ
ECAD 2605 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA 71v416y sram-异步 3v〜3.6V 48-cabga(9x9) 下载 Rohs不合规 4 (72小时) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4Mbit 15 ns SRAM 256K x 16 平行线 15ns
71V416VL15PHG IDT, Integrated Device Technology Inc 71v416vl15phg 4.3400
RFQ
ECAD 130 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) 71v416v sram-异步 3v〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4Mbit 15 ns SRAM 256K x 16 平行线 15ns
71V416VS12BEG IDT, Integrated Device Technology Inc 71v416vs12beg 5.0000
RFQ
ECAD 1331 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-TFBGA 71v416v sram-异步 3v〜3.6V 48-cabga(9x9) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4Mbit 12 ns SRAM 256K x 16 平行线 12ns
71V124SA12Y IDT, Integrated Device Technology Inc 71V124SA12Y 1.6000
RFQ
ECAD 5956 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 32-bsoj(0.400英寸,10.16毫米宽) 71v124 sram-异步 3v〜3.6V 32-soj 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2B 8542.32.0041 1 易挥发的 1Mbit 12 ns SRAM 128K x 8 平行线 12ns
71V416S15YI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V416S15YI -
RFQ
ECAD 3921 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) 71v416s sram-异步 3v〜3.6V 44-SOJ 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4Mbit 15 ns SRAM 256K x 16 平行线 15ns
71P79804S250BQI IDT, Integrated Device Technology Inc 71P79804S250BQI -
RFQ
ECAD 5469 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-TBGA 71p79 Sram-同步,DDR II 1.7V〜1.9V 165-CABGA(13x15) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 250 MHz 易挥发的 18mbit 6.3 ns SRAM 1m x 18 平行线 -
6116LA25TBD IDT, Integrated Device Technology Inc 6116LA25TBD 12.0000
RFQ
ECAD 28 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -55°C〜125°C(TA) 通过洞 24-CDIP (0.300英寸,7.62mm) 6116LA sram-异步 4.5V〜5.5V 24-CDIP 下载 不适用 3(168)) 供应商不确定 3A001A2C 8542.32.0041 1 易挥发的 16kbit 25 ns SRAM 2k x 8 平行线 25ns
6116LA35SO IDT, Integrated Device Technology Inc 6116LA35SO 2.8000
RFQ
ECAD 184 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 24-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) 6116LA sram-异步 4.5V〜5.5V 24-Soic 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8542.32.0041 1 易挥发的 16kbit 35 ns SRAM 2k x 8 平行线 35ns
6116SA45TPI IDT, Integrated Device Technology Inc 6116SA45TPI 2.9400
RFQ
ECAD 377 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 通过洞 24- 浸(0.300英寸,7.62mm) 6116SA sram-异步 4.5V〜5.5V 24-PDIP 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 Ear99 8542.32.0041 1 易挥发的 16kbit 45 ns SRAM 2k x 8 平行线 45ns
71P74604S200BQG IDT, Integrated Device Technology Inc 71P74604S200BQG 6.6800
RFQ
ECAD 45 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-TBGA 71p74 Sram-同步,QDR II 1.7V〜1.9V 165-CABGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 1 200 MHz 易挥发的 18mbit 8.4 ns SRAM 512k x 36 平行线 -
71V416S12Y IDT, Integrated Device Technology Inc 71V416S12Y -
RFQ
ECAD 1189 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) 71v416s sram-异步 3v〜3.6V 44-SOJ 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4Mbit 12 ns SRAM 256K x 16 平行线 12ns
71V416L12YI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V416L12YI -
RFQ
ECAD 3261 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) 71v416l sram-异步 3v〜3.6V 44-SOJ 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4Mbit 12 ns SRAM 256K x 16 平行线 12ns
71V632ZS5PF IDT, Integrated Device Technology Inc 71v632zs5pf -
RFQ
ECAD 7694 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v632 sram-同步,sdr 3.135V〜3.63V 100-TQFP(14x20) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 易挥发的 2Mbit 5 ns SRAM 64k x 32 平行线 -
71V3558S133BG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3558S133BG 3.3300
RFQ
ECAD 129 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 119-BGA 71v3558 sram-同步,SDR(ZBT) 3.135V〜3.465V 119-PBGA(14x22) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 易挥发的 4.5mbit 4.2 ns SRAM 256K x 18 平行线 -
71V3558XS133PF IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3558XS133PF 2.0100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v3558 sram-同步,SDR(ZBT) 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 易挥发的 4.5mbit 4.2 ns SRAM 256K x 18 平行线 -
71256SA25TPI IDT, Integrated Device Technology Inc 71256SA25TPI -
RFQ
ECAD 9360 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 通过洞 28- 浸(0.300英寸,7.62mm) 71256SA sram-异步 4.5V〜5.5V 28-pdip 下载 不适用 3(168)) 供应商不确定 Ear99 8542.32.0041 1 易挥发的 256kbit 25 ns SRAM 32K x 8 平行线 25ns
71024S20TYI IDT, Integrated Device Technology Inc 71024S20TYI -
RFQ
ECAD 2383 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 32-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) 71024 sram-异步 4.5V〜5.5V 32-soj 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2B 8542.32.0041 1 易挥发的 1Mbit 20 ns SRAM 128K x 8 平行线 20NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库