电话: +86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PY7C1041CV33-20ZI | 1.9700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | CY7C1513KV18-333BZXC | 157.6000 | ![]() | 141 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1513 | Sram-同步,QDR II | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | 2 | 333 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 4m x 18 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||
![]() | CY7C25652KV18-400BZI | 222.0000 | ![]() | 415 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C25652 | sram-同步,QDR II+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | Rohs不合规 | 不适用 | 供应商不确定 | 3A991A2 | 8542.32.0040 | 1 | 400 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 2m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||
![]() | CY62147EV30LL-45BVXA | 7.3500 | ![]() | 752 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | CY62147 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 48-VFBGA(6x8) | 下载 | 41 | 易挥发的 | 4Mbit | 45 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 45ns | 未行业行业经验证 | ||||||||
![]() | S34ML01G200TFB003 | - | ![]() | 1335 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-2 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S34ML01 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | 25ns | |||||
![]() | CG6720am | - | ![]() | 4408 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1472BV33-200BZC | 138.6700 | ![]() | 42 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | NOBL™ | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1472 | sram-同步,sdr | 3.135v〜3.6V | 165-fbga(15x17) | 下载 | Rohs不合规 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 200 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | 3 ns | SRAM | 4m x 18 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||
![]() | CY62256VLL-70SNC | 1.6500 | ![]() | 13 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 28-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | CY62256 | sram-异步 | 2.7V〜3.6V | 28-Soic | 下载 | Rohs不合规 | Ear99 | 8542.32.0041 | 182 | 易挥发的 | 256kbit | 70 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 70NS | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | S25FL256SAGBHI310 | - | ![]() | 7146 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | fl-s | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | S25FL256 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 24-BGA(6x8) | 下载 | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2832-S25FL256SAGBHI310 | 1 | 133 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | CY7C2565XV18-633BZC | 493.7500 | ![]() | 125 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C2565 | sram-同步,QDR II+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | 1 | 633 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 2m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||
CY7C1345G-100AXI | 6.0500 | ![]() | 840 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C1345 | sram-同步,sdr | 3.15v〜3.6V | 100-TQFP(14x20) | 下载 | 50 | 100 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 8 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||
![]() | FM28V020-SGTR | 11.9900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | F-RAM™ | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 28-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | FM28V020 | fram (铁电 ram) | 2v〜3.6V | 28-Soic | 下载 | 1 | 非易失性 | 256kbit | 140 ns | 框架 | 32K x 8 | 平行线 | 140ns | 未行业行业经验证 | ||||||||
![]() | CY7C1041CV33-12BAI | 5.0400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 供应商不确定 | 到达受影响 | 2156-CY7C1041CV33-12BAI-428 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | S29GL064N90TFI020 | 11.3500 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | GL-N | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S29GL064 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | 下载 | rohs3符合条件 | 2832-S29GL064N90TFI020 | 45 | 非易失性 | 64mbit | 90 ns | 闪光 | 8m x 8,4m x 16 | 平行线 | 90NS | 经过验证 | ||||||
![]() | CY7C1387B-150BGC | 48.0700 | ![]() | 145 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 119-BGA | CY7C1387 | sram-同步,sdr | 3.135v〜3.6V | 119-PBGA(14x22) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 150 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 3.8 ns | SRAM | 1m x 18 | 平行线 | - | |||
![]() | S34MS02G200GHV000 | - | ![]() | 9092 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MS-2 | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 67-VFBGA | S34MS02 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 67-BGA (8x6.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 260 | 非易失性 | 2Gbit | 45 ns | 闪光 | 256m x 8 | 平行线 | 45ns | ||||
![]() | S34MS04G204TFB013 | - | ![]() | 6640 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 汽车,AEC-Q100,MS-2 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S34MS04 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 48-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 4Gbit | 45 ns | 闪光 | 256m x 16 | 平行线 | 45ns | ||||
![]() | CY7C245A-45PC | 7.3300 | ![]() | 680 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | CY7C245 | EPROM -OTP | 4.5V〜5.5V | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 非易失性 | 16kbit | 45 ns | EPROM | 2k x 8 | 平行线 | - | |||||||
![]() | CY62128BNLL-70ZAXI | 1.1100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-tfsop (0.465英寸,11.80mm((11.80mm)) | CY62128 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 32-tsop | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 1Mbit | 70 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 70NS | ||||
![]() | CY7C1414KV18-300BZXI | 46.4900 | ![]() | 87 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1414 | Sram-同步,QDR II | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | 7 | 300 MHz | 易挥发的 | 36mbit | SRAM | 1m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||
![]() | STK11C88-SF25I | 25.0000 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 28-SOIC (0.342“,8.69mm宽度) | STK11C88 | NVSRAM(SRAM) | 4.5V〜5.5V | 28-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 2832-STK11C88-SF25I | Ear99 | 8542.32.0041 | 20 | 非易失性 | 256kbit | 25 ns | NVSRAM | 32K x 8 | 平行线 | 25ns | |||||
![]() | CY7C1520LV18-250BZC | 129.5200 | ![]() | 740 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1520 | Sram-同步,DDR II | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | - | 不适用 | 3A991B2A | 136 | 250 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 2m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||
![]() | S99ML04G10040 | - | ![]() | 7942 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 在sic中停产 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | CY62128DV30LL-70SXI | 4.4800 | ![]() | 601 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-SOIC (0.445“,11.30mm宽度) | CY62128 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 32-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.32.0041 | 67 | 易挥发的 | 1Mbit | 70 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 70NS | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | CY7C2565KV18-500BZC | 688.2700 | ![]() | 67 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C2565 | sram-同步,QDR II+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | Rohs不合规 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 500 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 2m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | CY7C1440AV33-250AXCT | 52.9300 | ![]() | 220 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-CY7C1440AV33-250AXCT-428 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | CY14B101L-SZ45XI | - | ![]() | 1226 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-SOIC(0.295(7.50mm) | CY14B101 | NVSRAM(SRAM) | 2.7V〜3.6V | 32-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.32.0041 | 2 | 非易失性 | 1Mbit | 45 ns | NVSRAM | 128K x 8 | 平行线 | 45ns | 未行业行业经验证 | |||||
S70GL02GP11FAIR20 | 52.8700 | ![]() | 19 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | gl-p | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-LBGA | S70GL02 | 闪光灯 -也不 | 3v〜3.6V | 64-FBGA(11x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 2832-S70GL02GP11FAIR20 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 10 | 非易失性 | 2Gbit | 110 ns | 闪光 | 256m x 8,128m x 16 | 平行线 | - | ||||||
![]() | S34MS01G104BHI910 | - | ![]() | 4672 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MS-1 | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34MS01 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 63-BGA(11x9) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | 非易失性 | 1Gbit | 45 ns | 闪光 | 64m x 16 | 平行线 | 45ns | ||||
![]() | CY62167DV30LL-55ZXI | 17.6700 | ![]() | 63 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | CY62167 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 48-tsop i | 下载 | 17 | 易挥发的 | 16mbit | 55 ns | SRAM | 1m x 16 | 平行线 | 55ns | 未行业行业经验证 |
每日平均RFQ量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库