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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
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![]() | S34MS01G200TFA003 | - | ![]() | 2431 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MS-2 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S34MS01 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 48-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 1Gbit | 45 ns | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | 45ns | ||||
![]() | S34MS02G200GHI000 | - | ![]() | 5668 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MS-2 | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 67-VFBGA | S34MS02 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 67-BGA (8x6.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 260 | 非易失性 | 2Gbit | 45 ns | 闪光 | 256m x 8 | 平行线 | 45ns | ||||
![]() | CG7382AM | - | ![]() | 9667 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | CY14B108N-BA25XI | 66.3200 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | CY14B108 | NVSRAM(SRAM) | 2.7V〜3.6V | 48-fbga(6x10) | 下载 | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 5 | 非易失性 | 8mbit | 25 ns | NVSRAM | 512k x 16 | 平行线 | 25ns | 未行业行业经验证 | ||||||
![]() | CY14ME064J2-SXI | 4.1600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | CY14ME064 | NVSRAM(SRAM) | 4.5V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 73 | 3.4 MHz | 非易失性 | 64kbit | NVSRAM | 8k x 8 | i²c | - | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | CY7C1413KV18-333BZXI | - | ![]() | 2560 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1413 | Sram-同步,QDR II | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | 6 | 333 MHz | 易挥发的 | 36mbit | SRAM | 2m x 18 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||
![]() | CY7C025AV-25ACKJ | 18.7200 | ![]() | 682 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 供应商不确定 | 到达受影响 | 2156-CY7C025AV-25ACKJ-428 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | CY62137CV30LL-70BAI | 1.7400 | ![]() | 204 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | CY62137 | sram-异步 | 2.7V〜3.3V | 48-FBGA(7x7) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 2Mbit | 70 ns | SRAM | 128K x 16 | 平行线 | 70NS | ||||
![]() | CY7C1199CN-15PC | - | ![]() | 1691年 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 通过洞 | 28- 浸(0.300英寸,7.62mm) | CY7C199 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-pdip | - | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 256kbit | 15 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 15ns | ||||
![]() | CY14E116N-Z30XI | 71.2900 | ![]() | 60 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | CY14E116 | NVSRAM(SRAM) | 4.5V〜5.5V | 48-tsop i | 下载 | 5 | 非易失性 | 16mbit | 30 ns | NVSRAM | 1m x 16 | 平行线 | 30ns | 未行业行业经验证 | ||||||||
![]() | CG6244AAT | - | ![]() | 3138 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | ||||||||||||||||||
![]() | CY7C1462AV25-167BZI | - | ![]() | 5851 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | NOBL™ | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1462 | sram-同步,sdr | 2.375V〜2.625V | 165-fbga(15x17) | 下载 | Rohs不合规 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 167 MHz | 易挥发的 | 36mbit | 3.4 ns | SRAM | 2m x 18 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||
![]() | S34ML01G200BHI003 | - | ![]() | 9663 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-2 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34ML01 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 63-BGA(11x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,300 | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | 25ns | |||||
![]() | S34ML01G200BHI500 | - | ![]() | 8820 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-2 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34ML01 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 63-BGA(11x9) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | 25ns | |||||
![]() | CY7C1021CV33-10ZC | - | ![]() | 1840年 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 包 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | CY7C1021 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | Rohs不合规 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 2 | 易挥发的 | 1Mbit | 10 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 10NS | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | S29GL512P10TFIR10 | - | ![]() | 4296 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | gl-p | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S29GL512 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | 下载 | rohs3符合条件 | 2832-S29GL512P10TFIR10 | 1 | 非易失性 | 512Mbit | 100 ns | 闪光 | 32m x 16 | 平行线 | 100ns | 未行业行业经验证 | ||||||
CY7C1473BV33-133AXC | 1.0000 | ![]() | 3412 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | NOBL™ | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C1473 | sram-同步,sdr | 3.135v〜3.6V | 100-TQFP(14x20) | 下载 | 1 | 133 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | 6.5 ns | SRAM | 4m x 18 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||
![]() | FM28V020-T28G | - | ![]() | 8716 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | F-RAM™ | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 28-tssop (0.465英寸,11.80mm宽度) | FM28V020 | fram (铁电 ram) | 2v〜3.6V | 28-tsop i | 下载 | 1 | 非易失性 | 256kbit | 140 ns | 框架 | 32K x 8 | 平行线 | 140ns | 未行业行业经验证 | ||||||||
![]() | CY7C1423BV18-250BZC | 56.1600 | ![]() | 220 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1423 | Sram-同步,DDR II | 1.7V〜1.9V | 165-fbga(15x17) | 下载 | Rohs不合规 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 MHz | 易挥发的 | 36mbit | SRAM | 2m x 18 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | CY7C1370D-200AXC | 27.5600 | ![]() | 73 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | NOBL™ | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C1370 | sram-同步,sdr | 3.135v〜3.6V | 100-TQFP(14x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 11 | 200 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 3 ns | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||
![]() | CY7C1021CV33-12ZSXEKJ | 4.1400 | ![]() | 957 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-CY7C1021CV33-12ZSXEKJ-428 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1565KV18-450BZXI | 568.8100 | ![]() | 819 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1565 | sram-同步,QDR II+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 450 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 2m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | CY7C1339A-83AC | 3.1400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C1339 | sram-同步,sdr | 3.15v〜3.6V | 100-TQFP(14x20) | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 83 MHz | 易挥发的 | 4Mbit | 6 ns | SRAM | 128K x 32 | 平行线 | - | |||
![]() | CY7C1413KV18-250BZI | 42.8800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1413 | Sram-同步,QDR II | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | 7 | 250 MHz | 易挥发的 | 36mbit | SRAM | 2m x 18 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||
![]() | CY7C4142KV13-933FCXI | 683.3400 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 361-BBGA,FCBGA | CY7C4142 | sram-同步,qdri iv | 1.26V〜1.34V | 361-FCBGA(21x21) | 下载 | rohs3符合条件 | 2832-CY7C4142KV13-933FCXI | 60 | 933 MHz | 易挥发的 | 144Mbit | SRAM | 4m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||
![]() | CY27C512-55JC | - | ![]() | 8681 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 32-lcc(j-lead) | CY27C512 | EPROM -OTP | 4.5V〜5.5V | 32-PLCC (13.97x11.43) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 非易失性 | 512kbit | 55 ns | EPROM | 64k x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | CY7C1046BV33-12VC | 7.0000 | ![]() | 63 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 32-bsoj(0.400英寸,10.16毫米宽) | CY7C1046 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 32-soj | 下载 | Rohs不合规 | 2(1年) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4Mbit | 12 ns | SRAM | 1m x 4 | 平行线 | 12ns | ||||
![]() | C2663KV18-450BZI | 315.5800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | S29CL032J0RFFM010 | 15.3400 | ![]() | 3491 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | cl-j | 托盘 | 过时的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 80-LBGA | S29CL032 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜3.6V | 80-fbga(13x11) | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 180 | 75 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 54 ns | 闪光 | 1m x 32 | 平行线 | 60ns | |||||
![]() | CY7C265-50WMB | 50.2400 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜125°C(TA) | CY7C265 | EPROM -UV | 4.5V〜5.5V | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A001A2C | 8542.32.0061 | 1 | 非易失性 | 64kbit | 50 ns | EPROM | 8k x 8 | 平行线 | - |
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