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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
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![]() | CY62137CV30LL-70BVXI | 1.3700 | ![]() | 463 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | CY62137 | sram-异步 | 2.7V〜3.3V | 48-VFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 2Mbit | 70 ns | SRAM | 128K x 16 | 平行线 | 70NS | ||||
![]() | S34ML04G100TFI000 | 2.9543 | ![]() | 3904 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-1 | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S34ML04 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 非易失性 | 4Gbit | 闪光 | 512m x 8 | 平行线 | 25ns | 未行业行业经验证 | ||||
![]() | CY15B064Q-SXA | 8.5400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 汽车,AEC-Q100,F-RAM™ | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | CY15B064 | fram (铁电 ram) | 2.7V〜3.65V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | 不适用 | 供应商不确定 | 2832-CY15B064Q-SXA | Ear99 | 8542.32.0070 | 59 | 20 MHz | 非易失性 | 64kbit | 框架 | 8k x 8 | spi | - | 未行业行业经验证 | ||
S26KS128SDGBHN030 | - | ![]() | 3832 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | HyperFlash™KS | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 24-vbga | S26KS128 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜1.95V | 24-fbga(6x8) | 下载 | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2832-S26KS128SDGBHN030 | 1 | 133 MHz | 非易失性 | 128mbit | 96 ns | 闪光 | 16m x 8 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | CY14B256L-SZ35XC | 10.5500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 32-SOIC(0.295(7.50mm) | CY14B256 | NVSRAM(SRAM) | 2.7V〜3.6V | 32-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.32.0041 | 29 | 非易失性 | 256kbit | 35 ns | NVSRAM | 32K x 8 | 平行线 | 35ns | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | CY7C1480BV33-167AXC | 129.4200 | ![]() | 229 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C1480 | sram-同步,sdr | 3.135v〜3.6V | 100-TQFP(14x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 167 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | 3.4 ns | SRAM | 2m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||
![]() | CY7C10202020202 ZXC | - | ![]() | 1265 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | CY7C1020 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 135 | 易挥发的 | 512kbit | 12 ns | SRAM | 32k x 16 | 平行线 | 12ns | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | CY62127DV30LL-70BVXI | 0.8700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | CY62127 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 48-VFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 1Mbit | 70 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 70NS | ||||
![]() | CYDMX064A16-90BVXI | 6.9400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-VFBGA | cydmx | sram-双端口,莫布 | 1.8V〜3.3V | 100-vfbga(6x6) | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.32.0041 | 44 | 易挥发的 | 64kbit | 90 ns | SRAM | 4K x 16 | 平行线 | 90NS | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | S34ML04G104BHV013 | 8.4700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-1 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34ML04 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 63-BGA(11x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 2832-S34ML04G104BHV013 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,300 | 非易失性 | 4Gbit | 闪光 | 256m x 16 | 平行线 | 25ns | ||||
![]() | CY62128DV30LL-70ZAXI | 2.1700 | ![]() | 269 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-tfsop (0.465英寸,11.80mm((11.80mm)) | CY62128 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 32-tsop | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 1Mbit | 70 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 70NS | ||||
![]() | CG7442AF | - | ![]() | 8604 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | CG6059ATT | - | ![]() | 3615 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | CY62137FV30LL-45ZSXIT | 5.6500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | CY62137 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | 54 | 易挥发的 | 2Mbit | 45 ns | SRAM | 128K x 16 | 平行线 | 45ns | 未行业行业经验证 | ||||||||
![]() | CY7C1460SV25-250BZCKB | 50.1700 | ![]() | 105 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 供应商不确定 | 到达受影响 | 2156-CY7C1460SV25-250BZCKB-428 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | CY62147DV30LL-55BVIT | 2.1900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | CY62147 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 48-VFBGA(6x8) | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 200 | 易挥发的 | 4Mbit | 55 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 55ns | ||||
![]() | FM25V20-G | 12.4000 | ![]() | 8189 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | F-RAM™ | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | FM25V20 | fram (铁电 ram) | 2v〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 2156-FM25V20-G-CY | 94 | 40 MHz | 非易失性 | 2Mbit | 框架 | 256K x 8 | spi | - | 未行业行业经验证 | ||||||
![]() | CY7C1462AV25-167BZI | - | ![]() | 5851 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | NOBL™ | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1462 | sram-同步,sdr | 2.375V〜2.625V | 165-fbga(15x17) | 下载 | Rohs不合规 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 167 MHz | 易挥发的 | 36mbit | 3.4 ns | SRAM | 2m x 18 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||
![]() | C64898AAT | - | ![]() | 3905 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | S34SL04G200BHV003 | - | ![]() | 1376 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | SL-2 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34SL04 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 63-BGA(11x9) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,300 | 非易失性 | 4Gbit | 25 ns | 闪光 | 512m x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | S29GL256P10TFI010 | 6.4700 | ![]() | 1872年 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | gl-p | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S29GL256 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | 下载 | rohs3符合条件 | 2832-S29GL256P10TFI010 | 91 | 非易失性 | 256Mbit | 100 ns | 闪光 | 32m x 8 | 平行线 | 100ns | 未行业行业经验证 | ||||||
![]() | CY7C1518KV18-300BZXC | 148.6800 | ![]() | 154 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1518 | Sram-同步,DDR II | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | 3 | 300 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 4m x 18 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||
![]() | S34ML02G204TFI010 | - | ![]() | 1868年 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-2 | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S34ML02 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 非易失性 | 2Gbit | 闪光 | 128m x 16 | 平行线 | 25ns | |||||
![]() | CY7C1399-15VC | 1.3800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 28-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) | CY7C1399 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 28-soj | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 256kbit | 15 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 15ns | ||||
![]() | CY7C1514V18-250BZC | 136.3600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1514 | Sram-同步,QDR II | 1.7V〜1.9V | 165-fbga(15x17) | 下载 | Rohs不合规 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 2m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | CYD18S72V-100BBI | 184.0000 | ![]() | 13 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 484-BGA | CYD18S72 | sram-双端口,同步 | 3.135V〜3.465V | 484-fbga(23x23) | 下载 | Rohs不合规 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 60 | 100 MHz | 易挥发的 | 18mbit | SRAM | 256K x 72 | 平行线 | - | ||||||
![]() | CY7C1318BV18-250BZC | 35.1300 | ![]() | 572 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1318 | Sram-同步,DDR II | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | Rohs不合规 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 9 | 250 MHz | 易挥发的 | 18mbit | SRAM | 1m x 18 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | CY62128BLL-70ZAXE | 2.1400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 32-tfsop (0.465英寸,11.80mm((11.80mm)) | CY62128 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 32-tsop | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 1Mbit | 70 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 70NS | ||||
![]() | CY7C1418JV18-300BZXC | 58.4000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1418 | Sram-同步,DDR II | 1.7V〜1.9V | 165-fbga(15x17) | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 300 MHz | 易挥发的 | 36mbit | SRAM | 2m x 18 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | STK17TA8-RF45 | 19.5000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 48-bessop(0.295英寸,7.50mm宽度) | STK17TA8 | NVSRAM(SRAM) | 2.7V〜3.6V | 48-SSOP | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.32.0041 | 16 | 非易失性 | 1Mbit | 45 ns | NVSRAM | 128K x 8 | 平行线 | 45ns | 未行业行业经验证 |
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