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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
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![]() | CY27C256A-1220pc | - | ![]() | 6179 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 通过洞 | 28- 浸(0.600英寸,15.24毫米) | CY27C256 | EPROM -OTP | 4.5V〜5.5V | 28-pdip | - | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 非易失性 | 256kbit | 120 ns | EPROM | 32K x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | S25FL128P0XNFI011 | 12.0000 | ![]() | 9278 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | fl-p | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | S25FL128 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-wson(6x8) | 下载 | Rohs不合规 | 2832-S25FL128P0XNFI011 | 82 | 104 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | spi | 3ms | 未行业行业经验证 | ||||||
![]() | CY62147DV30LL-55BVXI | 2.1700 | ![]() | 518 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | CY62147 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 48-VFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4Mbit | 55 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 55ns | ||||
![]() | CY62256NLL-70ZRXI | 1.7500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 28-tssop (0.465英寸,11.80mm宽度) | CY62256 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.32.0041 | 172 | 易挥发的 | 256kbit | 70 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 70NS | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | CG7481AA | - | ![]() | 8133 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1020B-12VC | 2.2700 | ![]() | 254 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 44-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) | CY7C1020 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 44-SOJ | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 512kbit | 12 ns | SRAM | 32k x 16 | 平行线 | 12ns | ||||
![]() | CY7C0833V-100BBI | 187.2700 | ![]() | 157 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 144-LBGA | CY7C0833 | sram-双端口,同步 | 3.135V〜3.465V | 144-FBGA(13x13) | - | Rohs不合规 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | SRAM | 512k x 18 | 平行线 | - | ||||||
![]() | S25FL132K0XMFIQ10 | 9.3070 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | fl1-k | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | S25FL132 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | 不适用 | 供应商不确定 | 3A991B1A | 8542.32.0070 | 54 | 108 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 3ms | 未行业行业经验证 | |||
![]() | S29GL032N90BFI030 | 14.0000 | ![]() | 9639 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | GL-N | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | S29GL032 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 48-FBGA(8.15x6.15) | 下载 | Rohs不合规 | 不适用 | 供应商不确定 | 2832-S29GL032N90BFI030 | 3A991B1A | 8542.32.0050 | 5 | 非易失性 | 32Mbit | 90 ns | 闪光 | 4m x 8,2m x 16 | 平行线 | 90NS | 未行业行业经验证 | ||
![]() | CY62138EV30LL-45BVXI | - | ![]() | 3053 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 36-vfbga | CY62138 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 36-vfbga(6x8) | 下载 | 3 | 易挥发的 | 2Mbit | 45 ns | SRAM | 256K x 8 | 平行线 | 45ns | 未行业行业经验证 | ||||||||
![]() | CY7C1360C166AXI | 9.2600 | ![]() | 9736 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C1360 | sram-同步,sdr | 3.135v〜3.6V | 100-TQFP(14x20) | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 3.5 ns | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | ||||||
![]() | CY62136ESL-45ZSXI | - | ![]() | 4739 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | CY62136 | sram-异步 | 2.2v〜5.5V | 44-TSOP II | 下载 | 20 | 易挥发的 | 2Mbit | 45 ns | SRAM | 128K x 16 | 平行线 | 45ns | 未行业行业经验证 | ||||||||
![]() | CY7C0832AV-133AXC | 213.7800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 120-LQFP | CY7C0832 | sram-双端口,同步 | 3.135V〜3.465V | 120-TQFP(14x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 90 | 133 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | SRAM | 256K x 18 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | CY7C199CNL-15VXC | - | ![]() | 2790 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 28-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) | CY7C199 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-soj | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1,350 | 易挥发的 | 256kbit | 15 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 15ns | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | S34ML08G101BHA000 | 16.0000 | ![]() | 161 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-1 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34ML08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 63-BGA(11x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 32 | 非易失性 | 8Gbit | 闪光 | 1G x 8 | 平行线 | 25ns | |||||||
![]() | CY62256NLL-55ZI | - | ![]() | 1743年 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 28-tssop (0.465英寸,11.80mm宽度) | CY62256 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-tsop i | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 256kbit | 55 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 55ns | ||||
S25FL256SDPBHVC00 | 2.8100 | ![]() | 5025 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | fl-s | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | S25FL256 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 24-bga(8x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 2832-S25FL256SDPBHVC00 | 338 | 66 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | 未行业行业经验证 | |||||||
CY7C1380D-167AXCB | 21.3800 | ![]() | 239 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C1380 | sram-同步,sdr | 3.135v〜3.6V | 100-TQFP(14x20) | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 167 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 3.4 ns | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | ||||
![]() | S34ML01G200GHI003 | - | ![]() | 8205 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-2 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 67-VFBGA | S34ML01 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 67-BGA (8x6.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | 25ns | |||||
S25FL128SDPMFV000 | 4.2700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | fl-s | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | S25FL128 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 16-Soic | 下载 | Rohs不合规 | 不适用 | 供应商不确定 | 2832-S25FL128SDPMFV000 | 3A991A2 | 8542.32.0050 | 118 | 66 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | 未行业行业经验证 | |||
![]() | CY7C09279V-6AXC | 32.9000 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C09279 | sram-双端口,同步 | 3v〜3.6V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 100 MHz | 易挥发的 | 512kbit | 6.5 ns | SRAM | 32k x 16 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||
![]() | S25FL164K0XMFIQ13 | 11.8800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | fl1-k | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | S25FL164 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 2832-S25FL164K0XMFIQ13-Tr | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 43 | 108 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 3ms | |||||
![]() | CY14B256K-SP35XC | 11.6100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 48-bessop(0.295英寸,7.50mm宽度) | CY14B256 | NVSRAM(SRAM) | 2.7V〜3.45V | 48-SSOP | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.32.0041 | 26 | 非易失性 | 256kbit | 35 ns | NVSRAM | 32K x 8 | 平行线 | 35ns | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | CY62128VL-70SCT | 3.0700 | ![]() | 71 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 32-SOIC (0.445“,11.30mm宽度) | CY62128 | sram-异步 | 2.7V〜3.6V | 32-Soic | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 1Mbit | 70 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 70NS | ||||
![]() | CY7C1380D-167BZC | 23.6800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1380 | sram-同步,sdr | 3.135v〜3.6V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 13 | 167 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 3.4 ns | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||
![]() | 5962-8961415QXA | 120.0000 | ![]() | 109 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜125°C(TA) | 通过洞 | 32-CDIP (0.600“,15.24毫米) | 5962-8961415 | EPROM -UV | 4.5V〜5.5V | 32-CDIP | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A001A2C | 8542.32.0061 | 1 | 非易失性 | 1Mbit | 45 ns | EPROM | 128K x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | CY7C1425KV18-250BZXI | - | ![]() | 3760 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1425 | Sram-同步,QDR II | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | 6 | 250 MHz | 易挥发的 | 36mbit | SRAM | 4m x 9 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||
![]() | CY62157EV30LL-45BVI | - | ![]() | 9827 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | CY62157 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 48-VFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 163 | 易挥发的 | 8mbit | 45 ns | SRAM | 512k x 16 | 平行线 | 45ns | 未行业行业经验证 | |||||||
![]() | CY7C1425KV18-300BZC | 48.5900 | ![]() | 364 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1425 | Sram-同步,QDR II | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | Rohs不合规 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 300 MHz | 易挥发的 | 36mbit | SRAM | 4m x 9 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | S34MS01G104BHB080 | - | ![]() | 2037 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MS-1 | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34MS01 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 63-BGA(11x9) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | 非易失性 | 1Gbit | 45 ns | 闪光 | 64m x 16 | 平行线 | 45ns |
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