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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | 控制器类型 | sic可编程 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CY62126DV30LL-55ZXI | 1.7300 | ![]() | 178 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | CY62126 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 1Mbit | 55 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 55ns | |||||
![]() | CY7C028V-20AXC | - | ![]() | 1920年 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C028 | sram-双端口,异步 | 3v〜3.6V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 1Mbit | 20 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 20NS | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | CY62128DV30LL-55SI | 1.8700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-SOIC (0.445“,11.30mm宽度) | CY62128 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 32-Soic | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 1Mbit | 55 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 55ns | |||||
![]() | CY7C1011CV33-10ZXCT | 2.1300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 32-SOIC(0.400英寸,10.16毫米宽) | CY7C1011 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 32-TSOP II | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 2Mbit | 10 ns | SRAM | 128K x 16 | 平行线 | 10NS | |||||
![]() | CY14E256L-SZ45XI | - | ![]() | 3358 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-SOIC(0.295(7.50mm) | CY14E256 | NVSRAM(SRAM) | 4.5V〜5.5V | 32-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.32.0041 | 22 | 非易失性 | 256kbit | 45 ns | NVSRAM | 32K x 8 | 平行线 | 45ns | 未行业行业经验证 | ||||||
![]() | CY62147DV30L-55ZSXE | 7.2400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | CY62147 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 42 | 易挥发的 | 4Mbit | 55 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 55ns | 未行业行业经验证 | ||||||
![]() | CY62147DV30LL-55BVI | 4.3400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | CY62147 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 48-VFBGA(6x8) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4Mbit | 55 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 55ns | |||||
S26KL128SDABHA020A | 4.6700 | ![]() | 170 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 汽车,AEC-Q100,HyperFlash™KL | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-vbga | S26KL128 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 24-fbga(6x8) | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 100 MHz | 非易失性 | 128mbit | 96 ns | 闪光 | 16m x 8 | 平行线 | - | |||||
![]() | CY7C166-20VC | 1.4200 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 24-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) | CY7C166 | sram-标准 | 4.5V〜5.5V | 24-SOJ | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 212 | 易挥发的 | 64kbit | 20 ns | SRAM | 16k x 4 | 平行线 | 20NS | 未行业行业经验证 | ||||
![]() | S34ML04G200BHI903 | - | ![]() | 6771 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-2 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34ML04 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 63-BGA(11x9) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,300 | 非易失性 | 4Gbit | 闪光 | 512m x 8 | 平行线 | 25ns | ||||||
![]() | CY62147BV18LL-70BAI | 6.0000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL2™ | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | CY62147 | sram-异步 | 1.65V〜1.95V | 48-fbga(7x8.5) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4Mbit | 70 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 70NS | |||||
![]() | S99ML02G10042 | - | ![]() | 4883 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 在sic中停产 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | CYD18S36V-100BBI | 239.9800 | ![]() | 48 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 256-LBGA | CYD18S36 | sram-双端口 | 1.7V〜1.9V | 256-fbga(23x23) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | 易挥发的 | 18mbit | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | |||||
![]() | CY7C243-55WC | 7.4500 | ![]() | 40 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | CY7C243 | EPROM -UV | 4.5V〜5.5V | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0061 | 1 | 非易失性 | 32kbit | 55 ns | EPROM | 4K x 8 | 平行线 | - | ||||||||
![]() | CY7C68024-56LTXC | 8.0000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 56-VFQFN暴露垫 | 3v〜3.6V | 56 SAWN QFN-EP(8x8) | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.31.0001 | 1 | nand flash -usb | |||||||||||||
![]() | CY7C1041CV33-10VXC | 3.7300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 44-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) | CY7C1041 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 44-SOJ | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 10NS | |||||
![]() | S34MS02G204BHI013 | - | ![]() | 9299 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MS-2 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34MS02 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 63-BGA(11x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,300 | 非易失性 | 2Gbit | 45 ns | 闪光 | 128m x 16 | 平行线 | 45ns | |||||
![]() | CY62128EV30LL-45ZAXA | 3.9200 | ![]() | 452 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-tfsop (0.465英寸,11.80mm((11.80mm)) | CY62128 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 32-Stsop | 下载 | 77 | 易挥发的 | 1Mbit | 45 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 45ns | 未行业行业经验证 | |||||||||
![]() | CY7C1373B-83BZC | 33.3300 | ![]() | 92 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | NOBL™ | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1373 | sram-同步,sdr | 3.135v〜3.6V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 83 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 6 ns | SRAM | 1m x 18 | 平行线 | - | ||||
![]() | S29GL064N90FFIS10 | 6.0300 | ![]() | 315 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | GL-N | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-LBGA | S29GL064 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | - | Rohs不合规 | 不适用 | 供应商不确定 | 2832-S29GL064N90FFIS10 | 3A991B1A | 8542.32.0070 | 83 | 非易失性 | 64mbit | 90 ns | 闪光 | 8m x 8,4m x 16 | 平行线 | 90NS | 未行业行业经验证 | |||
![]() | S34ML04G200TFI903 | - | ![]() | 9668 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-2 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S34ML04 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-TSOP | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 4Gbit | 闪光 | 512m x 8 | 平行线 | 25ns | ||||||
![]() | S25FS256SAGMFI001 | 3.4700 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | FS-S | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | S25FS256 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜2V | 16-Soic | 下载 | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2832-S25FS256SAGMFI001 | 150 | 133 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | - | 未行业行业经验证 | ||||||
![]() | CYD18S36V18-200BBAXI | - | ![]() | 6673 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 256-LBGA | CYD18S36 | sram-双端口,同步 | 1.42V〜1.58V,1.7V〜1.9V | 256-FBGA(17x17) | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 90 | 200 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 3.3 ns | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | CY62157CV33LL-70BAI | 8.1700 | ![]() | 389 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | CY62157 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 48-fbga(6x10) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 8mbit | 70 ns | SRAM | 512k x 16 | 平行线 | 70NS | |||||
![]() | S34ML01G200BHB000 | - | ![]() | 9578 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-2 | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34ML01 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 63-BGA(11x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | 25ns | ||||||
![]() | CY62126DV30LL-70ZXI | 0.9000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | CY62126 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 1Mbit | 70 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 70NS | |||||
![]() | S25FS064SAGNFI030A | - | ![]() | 1840年 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | FS-S | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-wlga | S25FS064 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜2V | 8-LGA(5×6) | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 133 MHz | 非易失性 | 64mbit | 6 ns | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | - | ||||
![]() | S34ML08G201TFA000 | - | ![]() | 7581 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 汽车,AEC-Q100,ML-2 | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S34ML08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 非易失性 | 8Gbit | 闪光 | 1G x 8 | 平行线 | 25ns | ||||||
![]() | S34ML01G200TFV000 | - | ![]() | 5111 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-2 | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S34ML01 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | 25ns | ||||||
![]() | Cy7C113999999999999999999999999999990zxct | - | ![]() | 8460 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 28-tssop (0.465英寸,11.80mm宽度) | CY7C1399 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 28-tsop i | 下载 | 不适用 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1,500 | 易挥发的 | 256kbit | 15 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 15ns | 未行业行业经验证 |
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