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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
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![]() | CY7C1041BV33L-12ZXC | 11.7300 | ![]() | 351 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | CY7C1041 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4Mbit | 12 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 12ns | ||||
![]() | S34ML08G201TFI003 | - | ![]() | 6224 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-2 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S34ML08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-TSOP | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 8Gbit | 闪光 | 1G x 8 | 平行线 | 25ns | |||||
![]() | S29GL128S10TFI020 | 50.0000 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | GL-S | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S29GL128 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | 下载 | Rohs不合规 | 不适用 | 供应商不确定 | 2832-S29GL128S10TFI020 | 3A991B1A | 8542.32.0050 | 22 | 非易失性 | 128mbit | 100 ns | 闪光 | 8m x 16 | 平行线 | 60ns | 经过验证 | ||
![]() | CY14B256Q1A-SXI | 6.7900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | CY14B256 | NVSRAM(SRAM) | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 45 | 40 MHz | 非易失性 | 256kbit | NVSRAM | 32K x 8 | spi | - | 未行业行业经验证 | |||
![]() | CY7C2565KV18-500BZI | 757.0900 | ![]() | 16 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C2565 | sram-同步,QDR II+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | Rohs不合规 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 500 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 2m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | S34MS08G201BHA000 | - | ![]() | 3026 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 汽车,AEC-Q100,MS-2 | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34MS08 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 63-BGA(11x9) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | 非易失性 | 8Gbit | 45 ns | 闪光 | 1G x 8 | 平行线 | 45ns | ||||
![]() | CY7C1460AV25-167BZXI | - | ![]() | 6916 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | NOBL™ | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1460 | sram-同步,sdr | 2.375V〜2.625V | 165-fbga(15x17) | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 167 MHz | 易挥发的 | 36mbit | 3.4 ns | SRAM | 1m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||
![]() | CG7079AM | - | ![]() | 8552 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | CY7C0850AV-167BBC | 137.2800 | ![]() | 374 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 172-LBGA | CY7C0850 | sram-双端口 | 3.135V〜3.465V | 172-FBGA(15x15) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 167 MHz | 易挥发的 | 1Mbit | 4 ns | SRAM | 32k x 36 | 平行线 | - | |||
![]() | S34MS01G200GHI003 | - | ![]() | 1404 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MS-2 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 67-VFBGA | S34MS01 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 67-BGA (8x6.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 非易失性 | 1Gbit | 45 ns | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | 45ns | ||||
![]() | CY7C0853V-100BBI | - | ![]() | 6509 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 172-LBGA | CY7C0853 | sram-双端口,同步 | 3.135V〜3.465V | 172-FBGA(15x15) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | ||||
![]() | CY7C12501KV18-400BZC | 57.7800 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C12501 | sram-同步,DDR II+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | Rohs不合规 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 400 MHz | 易挥发的 | 36mbit | SRAM | 1m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | CY7C109V33-15VC | 2.0100 | ![]() | 28 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 32-bsoj(0.400英寸,10.16毫米宽) | CY7C109 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 32-soj | 下载 | Rohs不合规 | 2(1年) | 到达受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 1Mbit | 15 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 15ns | ||||
![]() | S25FS512SDSMFI011 | 9.1800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | FS-S | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | S25FS512 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜2V | 16-Soic | 下载 | Rohs不合规 | 不适用 | 供应商不确定 | 2832-S25FS512SDSMFI011 | 3A991B1A | 8542.32.0070 | 55 | 80 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | - | 未行业行业经验证 | ||
![]() | CYDC128B16-55AXI | - | ![]() | 6456 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CYDC | sram-双端口,莫布 | 1.7V〜1.9V,2.4V〜2.6V,3V〜3.6V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 2832-CYDC128B16-55AXI | 90 | 易挥发的 | 128kbit | 55 ns | SRAM | 8k x 16 | 平行线 | 55ns | 未行业行业经验证 | ||||||
![]() | CY7C244-45WC | 8.0000 | ![]() | 145 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | CY7C244 | EPROM -UV | 4.5V〜5.5V | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0061 | 1 | 非易失性 | 32kbit | 45 ns | EPROM | 4K x 8 | 平行线 | - | |||||||
![]() | CG7398AM | - | ![]() | 8292 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 1 | ||||||||||||||||||||
S26KS128SDABHM030 | 8.6900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 汽车,AEC-Q100,HyperFlash™KS | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 24-vbga | S26KS128 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜1.95V | 24-fbga(6x8) | 下载 | 35 | 100 MHz | 非易失性 | 128mbit | 96 ns | 闪光 | 16m x 8 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||
![]() | CY7C1550KV18-400BZC | 202.6000 | ![]() | 572 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1550 | sram-同步,DDR II+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | 1 | 400 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 2m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||
![]() | CY62256LL-70SNCT | - | ![]() | 8596 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 28-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | CY62256 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-Soic | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 256kbit | 70 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 70NS | ||||
![]() | CY7C1021CV33-12ZSXE | - | ![]() | 9372 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | CY7C1021 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | 56 | 易挥发的 | 1Mbit | 12 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 12ns | 未行业行业经验证 | ||||||||
![]() | CY7C1420BV18-200BZC | 44.8600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1420 | Sram-同步,DDR II | 1.7V〜1.9V | 165-fbga(15x17) | 下载 | Rohs不合规 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 7 | 200 MHz | 易挥发的 | 36mbit | SRAM | 1m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | CY27C256A-70WI | - | ![]() | 6369 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 28-CDIP (0.600英寸,15.24毫米) | CY27C256 | EPROM -UV | 4.5V〜5.5V | 28-Cerdip | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.32.0061 | 1 | 非易失性 | 256kbit | 70 ns | EPROM | 32K x 8 | 平行线 | - | ||||
S25FS256SAGBHI200 | 7.2800 | ![]() | 600 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | FS-S | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | S25FS256 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜2V | 24-bga(8x6) | 下载 | Rohs不合规 | 2832-S25FS256SAGBHI200 | 70 | 133 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | - | 未行业行业经验证 | |||||||
![]() | CY7C1515KV18-300BZI | - | ![]() | 5910 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1515 | Sram-同步,QDR II | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | 1 | 300 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 2m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||
![]() | CY7C1414KV18-300BZI | 54.9500 | ![]() | 312 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1414 | Sram-同步,QDR II | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | Rohs不合规 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 300 MHz | 易挥发的 | 36mbit | SRAM | 1m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | S34ML04G200BHA003 | - | ![]() | 9209 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-2 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34ML04 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 63-BGA(11x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,300 | 非易失性 | 2Gbit | 闪光 | 256m x 8 | 平行线 | 25ns | |||||
![]() | S29GL01GP11TFIR20 | 18.6000 | ![]() | 60 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | gl-p | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S29GL01 | 闪光灯 -也不 | 3v〜3.6V | 56-tsop | 下载 | rohs3符合条件 | 2832-S29GL01GP11TFIR20 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 30 | 非易失性 | 1Gbit | 110 ns | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | 110NS | |||||
![]() | FM25V20A-DGTR | 18.6000 | ![]() | 3100 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | F-RAM™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | FM25V20 | fram (铁电 ram) | 2v〜3.6V | 8-DFN(5x6) | 下载 | Rohs不合规 | 不适用 | 供应商不确定 | 2832-FM25V20A-DGTR | Ear99 | 8542.32.0070 | 15 | 40 MHz | 非易失性 | 2Mbit | 框架 | 256K x 8 | spi | - | 未行业行业经验证 | ||
![]() | CY7C1346H-166AXCT | 5.9200 | ![]() | 118 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C1346 | sram-同步,sdr | 3.15v〜3.6V | 100-TQFP(14x20) | 下载 | 不适用 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 51 | 166 MHz | 易挥发的 | 2Mbit | 3.5 ns | SRAM | 64k x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 |
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