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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存接口 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CY7C1041B-20ZXC | 4.6100 | ![]() | 215 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | CY7C1041 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4Mbit | 20 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 20NS | ||||
![]() | CY7C199-20ZI | 1.1600 | ![]() | 19 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 28-tssop (0.465英寸,11.80mm宽度) | CY7C199 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-tsop i | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 256kbit | 20 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 20NS | ||||
![]() | CY27C512-150ZC | 2.1700 | ![]() | 305 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 32-tfsop (0.724英寸,宽度18.40mm) | CY27C512 | EPROM -OTP | 4.5V〜5.5V | 32-tsop i | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 非易失性 | 512kbit | 150 ns | EPROM | 64k x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | CY7C1515V18-250BZC | 85.2300 | ![]() | 216 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1515 | Sram-同步,QDR II | 1.7V〜1.9V | 165-fbga(15x17) | 下载 | Rohs不合规 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 2m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | CY14B256L-SP45XI | 11.1200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-bessop(0.295英寸,7.50mm宽度) | CY14B256 | NVSRAM(SRAM) | 2.7V〜3.6V | 48-SSOP | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.32.0041 | 27 | 非易失性 | 256kbit | 45 ns | NVSRAM | 32K x 8 | 平行线 | 45ns | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | S25FL032P0XMFV000 | 1.1800 | ![]() | 16 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | fl-p | 托盘 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | S25FL032 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 2832-S25FL032P0XMFV000 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 424 | 104 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 5µs,3ms | |||||
![]() | CY100E422-5KCQ | 12.2600 | ![]() | 2845 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | S25FL128SAGMFI000 | 5.0700 | ![]() | 81 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | fl-s | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | S25FL128 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 2832-S25FL128SAGMFI000 | 100 | 133 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | 经过验证 | ||||||
![]() | FM25VN10-G | - | ![]() | 6794 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | F-RAM™ | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | FM25VN10 | fram (铁电 ram) | 2v〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 1 | 40 MHz | 非易失性 | 1Mbit | 框架 | 128K x 8 | spi | - | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | CY7C167A-25VC | - | ![]() | 6479 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 20-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) | CY7C167 | sram-标准 | 4.5V〜5.5V | 20-SOJ | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 16kbit | 25 ns | SRAM | 16k x 1 | 平行线 | 25ns | ||||
![]() | S34MS01G200TFI000 | 1.2100 | ![]() | 8476 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MS-2 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S34MS01 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 48-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 非易失性 | 1Gbit | 45 ns | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | 45ns | ||||
![]() | S34ML02G104BHA010 | 3.7400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-1 | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34ML02 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 63-BGA(11x9) | 下载 | Rohs不合规 | 2832-S34ML02G104BHA010-TR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 非易失性 | 2Gbit | 闪光 | 128m x 16 | 平行线 | 25ns | ||||||
![]() | CG6833AMT | - | ![]() | 3617 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | S25FS064SAGMFN010 | - | ![]() | 5603 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | FS-S | 大部分 | 过时的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | S25FS064 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜2V | 8-SOIC | 下载 | 129 | 133 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | - | 经过验证 | ||||||||
S26KS128SDPBHN020 | 7.4200 | ![]() | 658 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | HyperFlash™KS | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 24-vbga | S26KS128 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜1.95V | 24-fbga(6x8) | 下载 | 100 | 166 MHz | 非易失性 | 128mbit | 96 ns | 闪光 | 16m x 8 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||
![]() | CY7C1354A-166AC | 7.6900 | ![]() | 2270 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C1354 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x20) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 3.6 ns | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | |||
![]() | CY7C1062AV25-10BGC | 17.6600 | ![]() | 21 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 119-BGA | CY7C1062 | sram-异步 | 2.4v〜2.6V | 119-PBGA(14x22) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 16mbit | 10 ns | SRAM | 512K x 32 | 平行线 | 10NS | ||||
![]() | S34SL02G200BHV000 | - | ![]() | 9854 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | SL-2 | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34SL02 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 63-BGA(11x9) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | 非易失性 | 2Gbit | 25 ns | 闪光 | 256m x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | CY7C1041BNL-15ZXC | 14.9600 | ![]() | 44 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | CY7C1041 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 21 | 易挥发的 | 4Mbit | 15 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 15ns | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | CY7C1021CV33-15VXC | - | ![]() | 9232 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 44-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) | CY7C1021 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 44-SOJ | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 850 | 易挥发的 | 1Mbit | 15 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 15ns | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | CY62136CV30LL-70BAIT | 1.1200 | ![]() | 18 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | CY62136 | sram-异步 | 2.7V〜3.3V | 48-FBGA(7x7) | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 易挥发的 | 2Mbit | 70 ns | SRAM | 128K x 16 | 平行线 | 70NS | ||||
![]() | CY62147EV30LL-45BVXI | - | ![]() | 8316 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | CY62147 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 48-VFBGA(6x8) | 下载 | Rohs不合规 | 2832-CY62147EV30LL-45BVXI | 75 | 易挥发的 | 4Mbit | 45 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 45ns | 未行业行业经验证 | ||||||
![]() | CY7C25702KV18-500BZC | 318.6600 | ![]() | 298 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C25702 | sram-同步,DDR II+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | Rohs不合规 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 500 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 2m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | CY27H256-55JC | - | ![]() | 7903 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 32-lcc(j-lead) | CY27H256 | EPROM -UV | 4.5V〜5.5V | 32-PLCC (13.97x11.43) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 非易失性 | 256kbit | 55 ns | EPROM | 32K x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | CY7C1021BNL-15ZSXA | 3.9900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | CY7C1021 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 76 | 易挥发的 | 1Mbit | 15 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 15ns | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | CY7C271-30JC | - | ![]() | 8620 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | CY7C271 | EPROM -OTP | 4.5V〜5.5V | - | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 非易失性 | 256kbit | 30 ns | EPROM | 32K x 8 | 平行线 | - | |||||||
![]() | CY7C1520KV18-333BZXI | 157.6000 | ![]() | 49 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1520 | Sram-同步,DDR II | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | 2 | 333 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 2m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||
![]() | CY7C1021CV33-12VXE | - | ![]() | 4357 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 44-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) | CY7C1021 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 44-SOJ | 下载 | Rohs不合规 | 不适用 | 供应商不确定 | 2832-CY7C1021CV33-12VXE | 1 | 易挥发的 | 1Mbit | 12 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 12ns | 未行业行业经验证 | ||||
![]() | CY7C1019D-10VXIKJ | 3.9100 | ![]() | 105 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-bsoj(0.400英寸,10.16毫米宽) | CY7C1019 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 32-soj | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 2156-CY7C1019D-10VXIKJ | 3A991 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 1Mbit | 10 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 10NS | ||||
![]() | S34ML01G100BHB000 | - | ![]() | 9989 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-1 | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34ML01 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 63-BGA(11x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | 25ns |
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