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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
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![]() | CG7035am | - | ![]() | 8376 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | CY7C195-25VC | 3.8400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 24-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) | CY7C195 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 24-SOJ | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 256kbit | 25 ns | SRAM | 64k x 4 | 平行线 | 25ns | ||||
![]() | CY62148BLL-70SCT | 2.0100 | ![]() | 2334 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 32-SOIC (0.445“,11.30mm宽度) | CY62148 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 32-Soic | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4Mbit | 70 ns | SRAM | 512k x 8 | 平行线 | 70NS | ||||
![]() | CG5490AA | - | ![]() | 8282 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | CY7C09199V-7AXC | 40.1500 | ![]() | 269 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C09199 | sram-双端口,同步 | 3v〜3.6V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 8 | 83 MHz | 易挥发的 | 1.152Mbit | 7.5 ns | SRAM | 128K x 9 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||
![]() | CY7C0251-25AXC | - | ![]() | 1564年 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C0251 | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.32.0041 | 3 | 易挥发的 | 144kbit | 25 ns | SRAM | 8k x 18 | 平行线 | 25ns | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | CY7C167A-25VC | - | ![]() | 6479 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 20-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) | CY7C167 | sram-标准 | 4.5V〜5.5V | 20-SOJ | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 16kbit | 25 ns | SRAM | 16k x 1 | 平行线 | 25ns | ||||
![]() | FM25VN10-G | - | ![]() | 6794 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | F-RAM™ | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | FM25VN10 | fram (铁电 ram) | 2v〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 1 | 40 MHz | 非易失性 | 1Mbit | 框架 | 128K x 8 | spi | - | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | S25FL128SAGMFI000 | 5.0700 | ![]() | 81 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | fl-s | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | S25FL128 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 2832-S25FL128SAGMFI000 | 100 | 133 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | 经过验证 | ||||||
![]() | CY7C1351B-100BGC | 4.3100 | ![]() | 359 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 119-BGA | CY7C1351 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 119-PBGA(14x22) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 8.5 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | |||
![]() | CY10E484-4DC | 84.0000 | ![]() | 271 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜75°C(TA) | 通过洞 | 28-CDIP (0.400英寸,10.16毫米) | CY10E484 | sram-异步 | 4.94V〜5.46V | 28-CDIP | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 16kbit | 4 ns | SRAM | 4K x 4 | 平行线 | 4NS | ||||
![]() | CY62147G18-55BVXI | 5.4000 | ![]() | 75 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | CY62147 | sram-异步 | 1.65V〜2.2V | 48-VFBGA(6x8) | 下载 | 56 | 易挥发的 | 4Mbit | 55 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 55ns | 未行业行业经验证 | ||||||||
![]() | CY27C512-200pc | - | ![]() | 5196 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 通过洞 | 28- 浸(0.600英寸,15.24毫米) | CY27C512 | EPROM -OTP | 4.5V〜5.5V | 28-pdip | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 非易失性 | 512kbit | 200 ns | EPROM | 64k x 8 | 平行线 | - | ||||
S26KS128SDPBHN020 | 7.4200 | ![]() | 658 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | HyperFlash™KS | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 24-vbga | S26KS128 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜1.95V | 24-fbga(6x8) | 下载 | 100 | 166 MHz | 非易失性 | 128mbit | 96 ns | 闪光 | 16m x 8 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||
![]() | CY62157DV30L-55BVXE | - | ![]() | 8164 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 托盘 | 过时的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | CY62157 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 48-VFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 易挥发的 | 8mbit | 55 ns | SRAM | 512k x 16 | 平行线 | 55ns | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | S25FS064SDSMFN010 | 2.5300 | ![]() | 262 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | FS-S | 大部分 | 过时的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | S25FS064 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜2V | 8-SOIC | 下载 | 119 | 80 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||
![]() | S34ML01G100BHB000 | - | ![]() | 9989 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-1 | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34ML01 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 63-BGA(11x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | 25ns | |||||
![]() | CY7C1319CV18-250BZC | 56.9900 | ![]() | 572 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1319 | Sram-同步,DDR II | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | Rohs不合规 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 250 MHz | 易挥发的 | 18mbit | SRAM | 1m x 18 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | CY7C271-30JC | - | ![]() | 8620 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | CY7C271 | EPROM -OTP | 4.5V〜5.5V | - | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 非易失性 | 256kbit | 30 ns | EPROM | 32K x 8 | 平行线 | - | |||||||
![]() | S26KL128SDABHB020 | 5.9400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | 2156-S26KL128SDABHB020-428 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | 5962-8993502ZA | 27.4700 | ![]() | 43 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 28-CLCC | 5962-8993502 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-CLCC (13.97x8.89) | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 256kbit | 35 ns | SRAM | 64k x 4 | 平行线 | 35ns | ||||
![]() | CY7C1520KV18-333BZXI | 157.6000 | ![]() | 49 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1520 | Sram-同步,DDR II | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | 2 | 333 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 2m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||
![]() | CY7C057V-15AXC | 46.6500 | ![]() | 735 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 144-LQFP | CY7C057 | sram-双端口,异步 | 3v〜3.6V | 144-TQFP(20x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 60 | 易挥发的 | 1.152Mbit | 15 ns | SRAM | 32k x 36 | 平行线 | 15ns | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | CY7C1021BNV33L-15IMG | 2.6500 | ![]() | 736 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 供应商不确定 | 到达受影响 | 2156-CY7C1021BNV33L-15IMG-428 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | CY7C006A-15AC | - | ![]() | 6432 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 64-LQFP | CY7C006 | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 64-TQFP (14x14) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 128kbit | 15 ns | SRAM | 16k x 8 | 平行线 | 15ns | ||||
![]() | CY7C0851AV-133AI | 159.9900 | ![]() | 129 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 176-LQFP | CY7C0851 | sram-双端口,同步 | 3.135V〜3.465V | 176-TQFP(24x24) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 易挥发的 | 2Mbit | SRAM | 64k x 36 | 平行线 | - | ||||
![]() | S29GL064N90FAI040 | 6.8000 | ![]() | 360 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | GL-N | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-LBGA | S29GL064 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | 下载 | Rohs不合规 | 不适用 | 供应商不确定 | 2832-S29GL064N90FAI040 | 3A991B1A | 8542.32.0070 | 74 | 非易失性 | 64mbit | 90 ns | 闪光 | 8m x 8,4m x 16 | 平行线 | 90NS | 未行业行业经验证 | ||
![]() | CG5816AAT | - | ![]() | 8935 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | ||||||||||||||||||
![]() | S34MS02G100BHB000 | - | ![]() | 9592 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 汽车,AEC-Q100,MS-1 | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34MS02 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 63-BGA(11x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | 非易失性 | 2Gbit | 45 ns | 闪光 | 256m x 8 | 平行线 | 45ns | ||||
![]() | CY7C1513JV18-300BZXC | 180.5600 | ![]() | 362 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1513 | Sram-同步,QDR II | 1.7V〜1.9V | 165-fbga(15x17) | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 300 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 4m x 18 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 |
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