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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
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![]() | S29GL512P12TFIV20 | 12.6700 | ![]() | 8657 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | gl-p | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S29GL512 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜3.6V | 56-tsop | 下载 | rohs3符合条件 | 2832-S29GL512P12TFIV20 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 91 | 非易失性 | 512Mbit | 120 ns | 闪光 | 32m x 16 | 平行线 | 120ns | |||||
![]() | S29GL256P10FFI012 | 6.6000 | ![]() | 2886 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | gl-p | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-LBGA | S29GL256 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | 下载 | rohs3符合条件 | 2832-S29GL256P10FFI012-Tr | 49 | 非易失性 | 256Mbit | 100 ns | 闪光 | 32m x 8 | 平行线 | 100ns | 未行业行业经验证 | ||||||
![]() | CY7C09579V-100BBC | 56.0000 | ![]() | 480 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 172-LBGA | CY7C09579 | sram-双端口,同步 | 3v〜3.6V | 172-FBGA(15x15) | 下载 | Rohs不合规 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 9 | 100 MHz | 易挥发的 | 1.152Mbit | 5 ns | SRAM | 32k x 36 | 平行线 | - | |||||
S25FL256SAGBHIC00 | 3.2256 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | fl-s | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | S25FL256 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 24-bga(8x6) | 下载 | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 1 | 133 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | 未行业行业经验证 | |||||||
![]() | CY7C1049DV33-10VXI | 13.3400 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 36-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) | CY7C1049 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 36-SOJ | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 38 | 易挥发的 | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 512k x 8 | 平行线 | 10NS | ||||||
![]() | CY7C1049DV33-10ZSXIT | - | ![]() | 2079 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | CY7C1049 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 2832-CY7C1049DV33-10ZSXIT-TR | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 66 | 易挥发的 | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 512k x 8 | 平行线 | 10NS | |||||
![]() | CY7C024E-55AXCT | 31.6700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C024 | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 2832-CY7C024E-55AXCT-TR | Ear99 | 8542.32.0041 | 16 | 易挥发的 | 64kbit | 55 ns | SRAM | 4K x 16 | 平行线 | 55ns | |||||
![]() | S34ML04G100TFI900 | 4.2700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-1 | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S34ML04 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-TSOP | - | rohs3符合条件 | 2832-S34ML04G100TFI900 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 非易失性 | 4Gbit | 闪光 | 512m x 8 | 平行线 | 25ns | ||||||
![]() | CY7C028V-20AI | 375.0000 | ![]() | 4969 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C028 | sram-双端口,异步 | 3v〜3.6V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | Rohs不合规 | 2832-CY7C028V-20AI-Tr | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | 易挥发的 | 1Mbit | 20 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 20NS | |||||
![]() | STK15C88-SF25ITR | - | ![]() | 3527 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 28-SOIC (0.342“,8.69mm宽度) | STK15C88 | NVSRAM(SRAM) | 4.5V〜5.5V | 28-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 2832-STK15C88-SF25ITR | Ear99 | 8542.32.0041 | 9 | 非易失性 | 256kbit | 25 ns | NVSRAM | 32K x 8 | 平行线 | 25ns | |||||
![]() | FM25V02-G | 4.5600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | F-RAM™ | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | FM25V02 | fram (铁电 ram) | 2v〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 2832-FM25V02-G | Ear99 | 8542.32.0071 | 110 | 40 MHz | 非易失性 | 256kbit | 框架 | 32K x 8 | spi | - | |||||
S29GL01GP11FAIR20 | 26.6700 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | gl-p | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-LBGA | S29GL01 | 闪光灯 -也不 | 3v〜3.6V | 64-FBGA(11x13) | 下载 | Rohs不合规 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 19 | 非易失性 | 1Gbit | 110 ns | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | 110NS | |||||||
![]() | S29GL256S90TFI020 | - | ![]() | 8807 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | GL-S | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S29GL256 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1 | 非易失性 | 256Mbit | 90 ns | 闪光 | 16m x 16 | 平行线 | 60ns | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | S29GL512P11TFI020 | - | ![]() | 9488 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | gl-p | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S29GL512 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 91 | 非易失性 | 512Mbit | 110 ns | 闪光 | 32m x 16 | 平行线 | 110NS | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | S34ML04G100TFV000 | 4.3400 | ![]() | 891 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-1 | 大部分 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S34ML04 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 非易失性 | 4Gbit | 闪光 | 512m x 8 | 平行线 | 25ns | |||||||
![]() | S34ML02G100TFV000 | 3.0000 | ![]() | 889 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-1 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S34ML02 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 167 | 非易失性 | 2Gbit | 闪光 | 256m x 8 | 平行线 | 25ns | |||||||
![]() | S99GL128S90TFI010 | 3.6700 | ![]() | 141 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2832-S99GL128S90TFI010 | Ear99 | 8542.39.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | S29GL128N11FFI010 | 5.8587 | ![]() | 179 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | GL-N | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-LBGA | S29GL128 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 2832-S29GL128N11FFI010 | 179 | 非易失性 | 128mbit | 110 ns | 闪光 | 16m x 8,8m x 16 | 平行线 | 110NS | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | S29GL128P90FFIR20A | - | ![]() | 3504 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 2832-S29GL128P90FFIR20A | Ear99 | 8542.32.0050 | 1 | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||
![]() | CY7C10612DV33-10ZSXI | 71.6800 | ![]() | 3204 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | CY7C10612 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 2832-CY7C10612DV33-10ZSXI | 3A991B2A | 8542.32.0040 | 108 | 易挥发的 | 16mbit | 10 ns | SRAM | 1m x 16 | 平行线 | 10NS | 未行业行业经验证 | |||
![]() | FM24C16B-G | - | ![]() | 6390 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | F-RAM™ | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | FM24C16 | fram (铁电 ram) | 4.5V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | 1 | 1 MHz | 非易失性 | 16kbit | 550 ns | 框架 | 2k x 8 | i²c | - | 未行业行业经验证 | |||||||
![]() | CY7C1049G30-10ZSXI | 6.8200 | ![]() | 45 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | CY7C1049 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | 45 | 易挥发的 | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 512k x 8 | 平行线 | 10NS | 未行业行业经验证 | ||||||||
![]() | S29GL512T11FHIV20 | - | ![]() | 5843 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | GL-T | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-LBGA | S29GL512 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | 下载 | 1 | 非易失性 | 512Mbit | 110 ns | 闪光 | 64m x 8 | 平行线 | 60ns | 经过验证 | ||||||||
![]() | CY62128ELL-45SXIT | - | ![]() | 9791 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-SOIC (0.445“,11.30mm宽度) | CY62128 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 32-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1 | 易挥发的 | 1Mbit | 45 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 45ns | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | CY62137FV18LL-55BVXI | - | ![]() | 4776 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | CY62137 | sram-异步 | 1.65V〜2.25V | 48-VFBGA(6x8) | 下载 | 1 | 易挥发的 | 2Mbit | 55 ns | SRAM | 128K x 16 | 平行线 | 55ns | 未行业行业经验证 | ||||||||
![]() | CY7C1520KV18-300BZXI | 148.6800 | ![]() | 32 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1520 | Sram-同步,DDR II | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | 3 | 300 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 2m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||
![]() | FM25L16B-DG | - | ![]() | 1801年 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | F-RAM™ | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | FM25L16 | fram (铁电 ram) | 2.7V〜3.6V | 8-DFN(4x4.5) | 下载 | Rohs不合规 | 不适用 | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.32.0070 | 148 | 20 MHz | 非易失性 | 16kbit | 框架 | 2k x 8 | spi | - | 未行业行业经验证 | |||
![]() | CY14B108N-ZSP45XI | - | ![]() | 8343 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | CY14B108 | NVSRAM(SRAM) | 2.7V〜3.6V | 54-TSOP II | 下载 | 8 | 非易失性 | 8mbit | 45 ns | NVSRAM | 512k x 16 | 平行线 | 45ns | 未行业行业经验证 | ||||||||
![]() | CY7C1565KV18-450BZI | 239.7500 | ![]() | 174 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1565 | sram-同步,QDR II+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | 1 | 450 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 2m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||
![]() | CY7C1480BV33-250BZI | 193.3600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1480 | sram-同步,sdr | 3.135v〜3.6V | 165-fbga(15x17) | 下载 | rohs3符合条件 | 6 | 250 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | 3 ns | SRAM | 2m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 |
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