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68）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词，页面，页面 | 控制器类型 | sic可编程 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PAL16H42AJ/883 | 8.3400 |  | 94 | 0.00000000 | 国家半导体 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
| JM38510/23106BEA | 24.9400 | | 210 | 0.00000000 | 国家半导体 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
 | 93425DMQB30 | 24.3400 | | 35 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜125°C（TC） | 通过洞 | 16-CDIP （0.300英寸，7.62mm） | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 16-CDIP | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 1kbit | 30 ns | SRAM | 1k x 1 | 平行线 | 20NS | |||||
| 4721BDC | 11.8700 | | 2484 | 0.00000000 | 国家半导体 | 4721b | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C（TA） | 通过洞 | 22-CDIP | 内存 | 4.5V〜5.5V | 22-CDIP | 下载 | Rohs不合规 | 2a （4周） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 易挥发的 | 1kbit | 内存 | 256 x 4 | 平行线 | - | ||||||
 | NMC27C256BN150 | 3.9300 | | 1 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C（TA） | 通过洞 | 28- 浸（0.600英寸，15.24毫米） | EPROM -UV | 4.5V〜5.5V | 28-pdip | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 非易失性 | 256kbit | 150 ns | EPROM | 32K x 8 | 平行线 | - | |||||
 | 10415FC10 | 15.0000 | | 1 | 0.00000000 | 国家半导体 | 10415 | 大部分 | 积极的 | - | 表面安装 | 16-WFQFN暴露垫 | sram-异步 | - | 16-WQFN （4x4） | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 1kbit | 10 ns | SRAM | 1k x 1 | 平行线 | - | |||||
 | DP8420AV-2 | - | | 3514 | 0.00000000 | 国家半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 供应商不确定 | 到达受影响 | 2156-DP8420AV-2-14 | 1 | ||||||||||||||||||||
 | DP8431VX-33 | 23.4000 | | 1 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C（TA） | 表面安装 | 68-LCC（j-lead） | 4.5V〜5.5V | 68-PLCC （25.13x25.13） | 下载 | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 动态ram（dram） | ||||||||||||
 | DP8430V-33 | 30.1400 | | 1 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C（TA） | 表面安装 | 68-LCC（j-lead） | 4.5V〜5.5V | 68-PLCC （25.13x25.13） | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 动态ram（dram） | ||||||||||||
| 93L425DM | - | | 1791年 | 0.00000000 | 国家半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 供应商不确定 | 到达受影响 | 2156-93L425DM-14 | 1 | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||
| DP8521AV-25 | 20.5400 | | 237 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C（TA） | 表面安装 | 68-LCC（j-lead） | 4.5V〜5.5V | 68-PLCC （25.13x25.13） | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | ||||||||||||
 | DP84T22V-25 | 59.0000 | | 451 | 0.00000000 | 国家半导体 | DP84T22 | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C（TA） | 表面安装 | 84-LCC（j-lead） | 4.5V〜5.5V | 84-PLCC （29.31x29.31） | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 动态ram（dram） | ||||||||||||
| DP8419V-70 | 46.6600 | | 683 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C（TA） | 表面安装 | 68-LCC（j-lead） | 4.5V〜5.5V | 68-PLCC （25.13x25.13） | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 动态ram（dram） | ||||||||||||
| 27C512AE200/883C | 44.0000 | | 130 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C（TA） | 27C512A | EPROM -OTP | 4.5V〜5.5V | 下载 | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 非易失性 | 512kbit | 200 ns | EPROM | 64k x 8 | 平行线 | - | |||||||
| 93415FMQB | 27.8400 | | 3 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
| 54F189DC | 5.9900 | | 238 | 0.00000000 | 国家半导体 | 54f | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C（TA） | 通过洞 | 16-CDIP （0.300英寸，7.62mm） | 内存 | 4.5V〜5.5V | 16-CDIP | 下载 | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 1 | 易挥发的 | 64位 | 8.5 ns | 内存 | 16 x 4 | 平行线 | 15.5ns | ||||||
| 93L415FMQB | 16.2300 | | 949 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 到达不受影响 | 8542.32.0041 | 1 | |||||||||||||||||||
| 93L425DMQB40 | 17.0000 | | 27 | 0.00000000 | 国家半导体 | 93L425 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜125°C（TC） | 通过洞 | 16-CDIP （0.300英寸，7.62mm） | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 16-CDIP | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 1kbit | 70 ns | SRAM | 1k x 1 | 平行线 | 55ns | |||||
 | 93Z667DMQB65 | 109.6300 | | 103 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜125°C（TA） | 通过洞 | 24-CDIP （0.300英寸，7.62mm） | - | 4.5V〜5.5V | 24-CDIP | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A001A2C | 8542.32.0071 | 1 | 非易失性 | 64kbit | 65 ns | 舞会 | 8k x 8 | 平行线 | - | |||||
| MM54C200D/883 | 30.8000 | | 129 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜125°C（TA） | 通过洞 | 16-CDIP （0.300英寸，7.62mm） | 内存 | 3v〜15v | 16-CDIP | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A001A2C | 8542.32.0071 | 1 | 易挥发的 | 256位 | 520 ns | 内存 | 32 x 8 | 平行线 | - | |||||
 | NM27C040Q170 | 4.5600 | | 824 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C（TA） | 通过洞 | 32-CDIP （0.685“，17.40mm） | NM27C040 | EPROM -UV | 4.5V〜5.5V | 32-CDIP | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.32.0061 | 1 | 非易失性 | 4Mbit | 170 ns | EPROM | 512k x 8 | 平行线 | - | ||||
| DP8429D-70 | 76.6700 | | 1 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C（TA） | 通过洞 | 52-CDIP （0.600英寸，15.24毫米） | 4.5V〜5.5V | 52-CDIP | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 动态ram（dram） | ||||||||||||
| DP8429D-80 | 76.6700 | | 419 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C（TA） | 通过洞 | 52-CDIP （0.600英寸，15.24毫米） | 4.5V〜5.5V | 52-CDIP | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 动态ram（dram） | ||||||||||||
| JM38510/23104BFA | 34.6600 | | 351 | 0.00000000 | 国家半导体 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
| DP8421AV-25 | 21.7900 | | 926 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C | 表面安装 | 68-LCC（j-lead） | 4.5V〜5.5V | 68-PLCC （25.13x25.13） | 下载 | Rohs不合规 | Ear99 | 8542.31.0001 | 18 | 动态ram（dram） | ||||||||||||||
| NM27C010N200 | - | | 7769 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C（TA） | 通过洞 | 32 滴（0.600英寸，15.24毫米） | NM27C010 | EPROM -OTP | 4.5V〜5.5V | 32浸 | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 非易失性 | 1Mbit | 200 ns | EPROM | 128K x 8 | 平行线 | - | ||||
 | 93Z451FMQB | 13.3300 | | 1 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜125°C（TC） | 表面安装 | 24-clatpack | - | 4.75V〜5.25V | 24-clatpack | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A001A2C | 8542.32.0071 | 1 | 非易失性 | 8kbit | 55 ns | 舞会 | 1k x 8 | 平行线 | - | |||||
| DP8429TD-70 | 86.6600 | | 57 | 0.00000000 | 国家半导体 | DP8429 | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C（TA） | 通过洞 | 52-CDIP （0.600英寸，15.24毫米） | 4.5V〜5.5V | 52-CDIP | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 动态ram（dram） | ||||||||||||
 | NMC2148HJ-2 | 8.9000 | | 3 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C（TA） | 通过洞 | 18-CDIP （0.300英寸，7.62mm） | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 18-CDIP | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4Kbit | 45 ns | SRAM | 1k x 4 | 平行线 | - | |||||
 | 93L422DM | 12.0000 | | 200 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 |
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