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68）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词，页面，页面 | 控制器类型 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 4720BDC | 19.8300 |  | 89 | 0.00000000 | 国家半导体 | 4720b | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C（TA） | 表面安装 | 16-WFQFN暴露垫 | 内存 | 4.5V〜12.5V | 16-WQFN （4x4） | 下载 | Rohs不合规 | 2a （4周） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 易挥发的 | 256位 | 内存 | 256 x 1 | 平行线 | - | |||||
 | 9030dc | 2000年年1月13日 | | 7 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
 | DM77S184J-MIL | 15.0000 | | 269 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜125°C（TA） | 通过洞 | 18-CDIP （0.300英寸，7.62mm） | - | 4.5V〜5.5V | 18-CDIP | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 非易失性 | 8kbit | 70 ns | 舞会 | 2k x 4 | 平行线 | - | ||||
 | 93Z451LMQB | 19.6700 | | 177 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜125°C（TC） | 表面安装 | 28-lcc（j-lead） | - | 4.75V〜5.25V | 28-PLCC （11.43x11.43） | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A001A2C | 8542.32.0071 | 1 | 非易失性 | 8kbit | 55 ns | 舞会 | 1k x 8 | 平行线 | - | ||||
 | 54F189FLQB | 9.6500 | | 976 | 0.00000000 | 国家半导体 | 54f | 大部分 | 积极的 | -55°C〜125°C（TA） | 表面安装 | 16-clatpack | 内存 | 4.5V〜5.5V | 16-clatpack | 下载 | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 易挥发的 | 64位 | 32 ns | 内存 | 16 x 4 | 平行线 | 37.5ns | ||||
| DP8429D-MSP | 230.6500 | | 689 | 0.00000000 | 国家半导体 | DP8429 | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C（TA） | 通过洞 | 52-CDIP （0.600英寸，15.24毫米） | 4.5V〜5.5V | 52-CDIP | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 动态ram（dram） | |||||||||||
| PAL16H2AJ/883 | 8.3400 | | 226 | 0.00000000 | 国家半导体 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
 | DP8440VLJ-25 | 44.0000 | | 213 | 0.00000000 | 国家半导体 | DP8440-25 | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C（TA） | 表面安装 | 100-BQFP | 4.75V〜5.25V | 100-qfp （14x20） | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 动态ram（dram） | |||||||||||
 | DP8422VX-33 | 61.6600 | | 2 | 0.00000000 | 国家半导体 | DP8422V | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C（TA） | 表面安装 | 84-LCC（j-lead） | 4.5V〜5.5V | 84-PLCC （29.31x29.31） | 下载 | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 动态ram（dram） | |||||||||||
 | 100142DC | 9.4500 | | 148 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜85°C（TC） | 通过洞 | 24-CDIP （0.600英寸，15.24毫米） | 100142 | 凸轮 | - | 24-CDIP | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 非易失性 | 16位 | 4.5 ns | 凸轮 | 4 x 4 | 平行线 | - | |||
| DP8422AVX-25 | 52.0000 | | 750 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C | 表面安装 | 84-LCC（j-lead） | 4.5V〜5.5V | 84-PLCC （29.31x29.31） | 下载 | Rohs不合规 | Ear99 | 8542.31.0001 | 250 | 动态ram（dram） | |||||||||||||
 | PAL16R8AJ/883 | 8.6600 | | 198 | 0.00000000 | 国家半导体 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | 3A001A2C | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||
 | DP8409AVX-2 | - | | 8411 | 0.00000000 | 国家半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 供应商不确定 | 到达受影响 | 2156-DP8409AVX-2-14 | 1 | |||||||||||||||||||
 | 54F189LLQB | 12.5800 | | 451 | 0.00000000 | 国家半导体 | 54f | 大部分 | 积极的 | -55°C〜125°C（TA） | 表面安装 | 20-CLCC | 内存 | 4.5V〜5.5V | 20-LCCC（8.89x8.89） | 下载 | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 易挥发的 | 64位 | 32 ns | 内存 | 16 x 4 | 平行线 | 37.5ns | ||||
 | PAL16R6AJ/883 | 8.6600 | | 196 | 0.00000000 | 国家半导体 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | 3A001A2C | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||
| DP8422AVX-20 | 43.6700 | | 500 | 0.00000000 | 国家半导体 | DP8422A | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C（TA） | 表面安装 | 84-LCC（j-lead） | 4.5V〜5.5V | 84-PLCC （29.31x29.31） | 下载 | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 动态ram（dram） | |||||||||||
| 10422DCQR | 8.0000 | | 557 | 0.00000000 | 国家半导体 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
| JM38510/23113BFA | 39.3300 | | 18 | 0.00000000 | 国家半导体 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
| PAL16R6BJ/883 | 15.3400 | | 93 | 0.00000000 | 国家半导体 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | 3A001A2C | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||
| NMC2147HF-3-mil | 39.1700 | | 264 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜125°C（TA） | 表面安装 | 18-clatpack | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 18-clatpack | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4Kbit | 55 ns | SRAM | 4K x 1 | 平行线 | - | ||||
| DP8422ATV-25 | 68.0100 | | 742 | 0.00000000 | 国家半导体 | DP8422A | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C（TA） | 表面安装 | 84-LCC（j-lead） | 4.5V〜5.5V | 84-PLCC （29.31x29.31） | 下载 | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 动态ram（dram） | |||||||||||
| DP8422AV-25 | 14.1400 | | 1 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C | 表面安装 | 84-LCC（j-lead） | 4.5V〜5.5V | 84-PLCC （29.31x29.31） | 下载 | Rohs不合规 | Ear99 | 8542.31.0001 | 15 | 动态ram（dram） | |||||||||||||
 | DP8420AV-20 | 20.0000 | | 1 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C（TA） | 表面安装 | 68-LCC（j-lead） | 4.5V〜5.5V | 68-PLCC （25.13x25.13） | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 动态ram（dram） | |||||||||||
| 93425DMQB30 | 24.3400 | | 35 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜125°C（TC） | 通过洞 | 16-CDIP （0.300英寸，7.62mm） | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 16-CDIP | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 1kbit | 30 ns | SRAM | 1k x 1 | 平行线 | 20NS | ||||
| DP8430V-33 | 30.1400 | | 1 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C（TA） | 表面安装 | 68-LCC（j-lead） | 4.5V〜5.5V | 68-PLCC （25.13x25.13） | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 动态ram（dram） | |||||||||||
| 93425DMQB40 | 12.6700 | | 209 | 0.00000000 | 国家半导体 | 93425DMQB40 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜125°C（TC） | 通过洞 | 16-CDIP （0.300英寸，7.62mm） | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 16-CDIP | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 1kbit | 30 ns | SRAM | 1k x 1 | 平行线 | 20NS | ||||
| PAL16H42AJ/883 | 8.3400 | | 94 | 0.00000000 | 国家半导体 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
| JM38510/23106BEA | 24.9400 | | 210 | 0.00000000 | 国家半导体 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
 | NM27C020T200 | 1.6600 | | 3 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C（TA） | 表面安装 | 32-tfsop （0.724英寸，宽度18.40mm） | NM27C020 | EPROM -UV | 4.5V〜5.5V | 32-tsop | 下载 | Rohs不合规 | 3（168）） | 供应商不确定 | 3A991B1B1 | 8542.32.0061 | 1 | 非易失性 | 2Mbit | 200 ns | EPROM | 256K x 8 | 平行线 | - | |||
| 4721BDC | 11.8700 | | 2484 | 0.00000000 | 国家半导体 | 4721b | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C（TA） | 通过洞 | 22-CDIP | 内存 | 4.5V〜5.5V | 22-CDIP | 下载 | Rohs不合规 | 2a （4周） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 易挥发的 | 1kbit | 内存 | 256 x 4 | 平行线 | - |
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