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微控制器（（101392）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | i/o的数量 | 核心处理器 | 核心大小 | 速度 | 连接性 | 外围设备 | 程序内存大小 | 程序内存类型 | EEPROM大小 | ram大小 | 电压 -电源（ -vcc/vdd） | 数据转换器 | 振荡器类型 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CY95F636KNWQN-G-une1 | 2.3400 |  | 4 | 0.00000000 | Infineon技术 | F²MC-8FX MB95630H | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 24-TBGA | 24-bga（8x6） | - | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.31.0001 | 490 | 25 | F²MC-8FX | 8位 | 16.25MHz | I²C，Linbus，Sio，UART/USART | LVD，POR，PWM，WDT | 36KB （36K x 8） | 闪光 | - | 1k x 8 | 2.4V〜5.5V | A/D 8x8/10b | 外部的 | |||
 | MB89637RPF-G-620-BNDE1 | - | | 5424 | 0.00000000 | Infineon技术 | F²MC-8L MB89630R | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 64-BQFP | MB89637 | 64-qfp （14x20） | - | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.31.0001 | 66 | 53 | F²MC-8L | 8位 | 10MHz | ebi/emi，串行i/o，uart/usart | Por，PWM，WDT | 32KB （32K x 8） | 面具rom | - | 1k x 8 | 2.2v〜6V | A/D 8x10b | 外部的 | ||
 | R5F104ADDSP ＃30 | - | | 5616 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | RL78/G14 | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 30-lssop （0.240英寸，6.10mm宽度） | R5F104 | 30-lssop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 559-R5F104ADDSP ＃30 | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 210 | 21 | RL78 | 16位 | 32MHz | CSI，I²C，Linbus，UART/USART | DMA，LVD，POR，PWM，WDT | 48KB （48K x 8） | 闪光 | 4K x 8 | 5.5kx 8 | 1.6V〜5.5V | A/D 8x8/10b | 内部的 | |
 | SPC5606BAMLQ6R | 17.0430 | | 1030 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 568-SPC5606BAMLQ6RTR | 500 | |||||||||||||||||||||||
 | SPC5604BF2VLQ6R | 15.9640 | | 5727 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | MPC56XX Qorivva | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 144-LQFP | SPC5604 | 144-LQFP（20x20） | - | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 935318028528 | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 500 | 123 | E200Z0H | 32位单核 | 64MHz | Canbus，I²C，Linbus，Sci，Spi | DMA，POR，PWM，WDT | 512KB （512K x 8） | 闪光 | 64k x 8 | 32K x 8 | 3v〜5.5V | A/D 36x10b | 内部的 | |
 | MB89193PF-G-317-BND-R | - | | 1900 | 0.00000000 | Infineon技术 | F²MC-8L MB89190 | 管子 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 28-SOIC （0.342“，8.69mm宽度） | MB89193 | 28 SOP | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.31.0001 | 28 | 16 | F²MC-8L | 8位 | 4.2MHz | 串行i/o。 | por，wdt | 8KB （8K x 8） | 面具rom | - | 256 x 8 | 2.2v〜6V | - | 外部的 | ||
 | R7FS5D37A3A01CFM＃ba0 | 7.9200 | | 2064 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | Renesas Synergy™S5 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 64-LQFP | R7FS5D37 | 64-LFQFP（10x10） | - | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 559-R7FS5D37A3A01CFM ＃BA0 | 1,280 | 40 | ARM®Cortex®-M4F | 32位单核 | 120MHz | CANBUS，I²C，IRDA，SCI，SDH，SPI，SSI，UART，USB | 盖感官，DMA，LVD，POR，PWM，RTC，WDT | 512KB （512K x 8） | 闪光 | 8k x 8 | 256K x 8 | 2.7V〜3.6V | A/D 10x12b SAR; D/A 2x12b | 内部的 | |||
 | AVR128DA32T-I/PT | 2.4000 | | 9071 | 0.00000000 | 微芯片技术 | avr®da | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 32-TQFP | AVR128DA32 | 32-TQFP （7x7） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.31.0001 | 1,600 | 27 | avr | 8位 | 24MHz | i²c，spi，uart/usart | 褐色检测/重置，Por，PWM，WDT | 128KB （128K x 8） | 闪光 | 512 x 8 | 16k x 8 | 1.8V〜5.5V | A/D 14x12b; D/A 1x10b | 内部的 | ||
| NANO120SD3AN | - | | 5647 | 0.00000000 | Nuvoton Technology Corporation | Numicro™Nano100 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 64-LQFP | Nano120 | 64-LQFP（7x7） | - | rohs3符合条件 | 3（168）） | 816-NANO120SD3AN | 过时的 | 250 | 48 | ARM®Cortex®-M0 | 32位单核 | 42MHz | i²c，spi，uart/usart，USB | 褐色检测/重置，DMA，I²S，POR，PWM，WDT | 64KB （64K x 8） | 闪光 | - | 16k x 8 | 1.8v〜3.6V | A/D 7x12b SAR; D/A 2x12b | 外部，内部 | |||
 | EFM8BB52F32I-C-QFN32 | 1.6200 | | 20 | 0.00000000 | 硅实验室 | 忙碌的蜜蜂 | 条 | 积极的 | -40°C〜125°C（TA） | 表面安装 | 32-WFQFN暴露垫 | EFM8BB52 | 32-qfn （5x5） | - | rohs3符合条件 | 2（1年） | 336-EFM8BB52F32I-C-QFN32 | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 200 | 29 | CIP-51 8051 | 8位 | 50MHz | I²C，Smbus，Spi，uart/usart | 褐色检测/重置，Por，PWM，WDT | 32KB （32K x 8） | 闪光 | - | 2.25kx 8 | 1.8V〜5.5V | A/D 16x12b SAR; D/A 1x10b | 内部的 | ||
| CY91F524KHEPMC-GS-F4E1 | - | | 4537 | 0.00000000 | Infineon技术 | FR CY91520 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 144-LQFP | CY91F524 | 144-LQFP（20x20） | - | rohs3符合条件 | 3（168）） | 过时的 | 1 | 120 | FR81 | 32位单核 | 80MHz | CANBUS，CSIO，EBI/EMI，I²C，LINBUS，SPI，UART/USART | DMA，LVD，POR，PWM，WDT | 576KB （576K x 8） | 闪光 | 64k x 8 | 72k x 8 | 2.7V〜5.5V | A/D 48X12B SAR; D/A 2x8b | 外部的 | ||||
| CY91F467BAPMC-GS-W022 | - | | 9425 | 0.00000000 | Infineon技术 | FR CY91460B | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -40°C〜125°C（TA） | 表面安装 | 144-LQFP | CY91F467 | 144-LQFP（20x20） | - | rohs3符合条件 | 3（168）） | 过时的 | 500 | 108 | FR60 RISC | 32位单核 | 96MHz | CANBUS，EBI/EMI，I²C，LINBUS，UART/USART | DMA，LVD，PWM，WDT | 1.0625MB（1.0625MX 8） | 闪光 | - | 40k x 8 | 3v〜5.5V | A/D 32x10b | 外部的 | ||||
 | R5F52205BDFK＃V0 | - | | 4959 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | RX200 | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 64-LQFP | R5F52205 | 64-LQFP（14x14） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 559-R5F52205BDFK＃V0 | 过时的 | 1 | 48 | Rx | 32位单核 | 32MHz | I²C，Irda，Sci，Spi | DMA，LVD，POR，PWM，WDT | 128KB （128K x 8） | 闪光 | 8k x 8 | 8k x 8 | 1.62V〜5.5V | A/D 12x12b | 内部的 | |||
 | R5F2122AJ501FP＃U0 | - | | 9578 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | R8C/2X/22 | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 48-LQFP | R5F2122 | 48-LQFP （7x7） | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 559-R5F2122AJ501FP＃U0 | 过时的 | 1 | 41 | R8C | 16位 | 20MHz | Canbus，I²C，Linbus，Sio，Ssu，Uart/Usart | por，电压检测，wdt | 96KB（96k x 8） | 闪光 | - | 5k x 8 | 3v〜5.5V | A/D 12x10b | 外部，内部 | |||
 | CY9BF566RPMC-GNE2 | 11.3050 | | 8943 | 0.00000000 | Infineon技术 | FM4 MB9B560R | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 120-LQFP | CY9BF566 | 120-LQFP（16x16） | - | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 840 | 100 | ARM®Cortex®-M4F | 32位单核 | 160MHz | CANBUS，CSIO，EBI/EMI，I²C，LINBUS，SD，SPI，UART/USART，USB | DMA，LVD，POR，PWM，WDT | 544KB （544K x 8） | 闪光 | - | 64k x 8 | 2.7V〜5.5V | A/D 24X12B SAR; D/A 2x12b | 外部，内部 | ||||
 | CY9AF112NAPMC-GNE2 | 8.0400 | | 7293 | 0.00000000 | Infineon技术 | FM3 MB9A110A | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 100-LQFP | CY9AF112 | 100-LQFP（14x14） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 90 | 83 | ARM®Cortex®-M3 | 32位单核 | 40MHz | CSIO，EBI/EMI，I²C，LINBUS，SPI，UART/USART | DMA，LVD，POR，PWM，WDT | 128KB （128K x 8） | 闪光 | - | 16k x 8 | 2.7V〜5.5V | A/D 16x12b SAR | 外部，内部 | ||||
 | CY9AF312NAPMC-GNE2 | 3.4744 | | 9036 | 0.00000000 | Infineon技术 | FM3 MB9A310A | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 100-LQFP | CY9AF312 | 100-LQFP（14x14） | - | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 900 | 83 | ARM®Cortex®-M3 | 32位单核 | 40MHz | CSIO，EBI/EMI，I²C，LINBUS，SPI，UART/USART，USB | DMA，LVD，POR，PWM，WDT | 128KB （128K x 8） | 闪光 | - | 16k x 8 | 2.7V〜5.5V | A/D 16x12b SAR | 外部，内部 | ||||
| CY9BF466RPMC-GNE2 | 11.2700 | | 5324 | 0.00000000 | Infineon技术 | FM4 MB9B460R | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C（TJ） | 表面安装 | 120-LQFP | CY9BF466 | 120-LQFP（16x16） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 840 | 100 | ARM®Cortex®-M4F | 32位单核 | 160MHz | CANBUS，CSIO，EBI/EMI，I²C，LINBUS，SD，SPI，UART/USART | DMA，LVD，POR，PWM，WDT | 544KB （544K x 8） | 闪光 | - | 64k x 8 | 2.7V〜5.5V | A/D 24X12B SAR; D/A 2x12b | 外部，内部 | ||||
| CY9AF316NAPMC-GNE2 | 6.5418 | | 2502 | 0.00000000 | Infineon技术 | FM3 MB9A310A | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 100-LQFP | CY9AF316 | 100-LQFP（14x14） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 900 | 83 | ARM®Cortex®-M3 | 32位单核 | 40MHz | CSIO，EBI/EMI，I²C，LINBUS，SPI，UART/USART，USB | DMA，LVD，POR，PWM，WDT | 512KB （512K x 8） | 闪光 | - | 32K x 8 | 2.7V〜5.5V | A/D 16x12b SAR | 外部，内部 | ||||
| Z88C0020VEG1977TR | - | | 2648 | 0.00000000 | Zilog | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 68-LCC（j-lead） | Z88C0020 | 68-PLCC （24.23x24.23） | - | rohs3符合条件 | 3（168）） | 269-Z88C0020VEG1977TR | 过时的 | 250 | 32 | Z8 | 8位 | 20MHz | UART/USART | DMA | - | 无rom | - | 128K x 8 | 4.5V〜5.5V | - | 外部，内部 | |||
 | R5F51403AGNE ＃30 | 3.0000 | | 933 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | RX140 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 48-WFQFN暴露垫 | R5F51403 | 48-HWQFN（7x7） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 416 | 39 | Rx | 32位单核 | 48MHz | I²C，Sci，Spi | DMA，LVD，POR，PWM，WDT | 64KB （64K x 8） | 闪光 | 4K x 8 | 16k x 8 | 1.8V〜5.5V | A/D 11x12b | 内部的 | ||
 | R5F566TEEGFF ＃30 | 9.6100 | | 9656 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | RX66T | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 80-LQFP | R5F566 | 80-LQFP（14x14） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 90 | 52 | RXV3 | 32位单核 | 160MHz | CANBUS，EBI/EMI，以太网，I²C，Linbus，MMC/SD，Sci，Sci，Sci，Spi，SSI，SSI，UART/USART | DMA，LVD，POR，PWM，WDT | 512KB （512K x 8） | 闪光 | 32K x 8 | 64k x 8 | 2.7V〜5.5V | A/D 19x12b; D/A 2x12b | 内部的 | ||
| R7FA6M1AD3CLJ ＃AC0 | 10.3700 | | 6836 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 托盘 | 积极的 | R7FA6M1 | - | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 5A992C | 8542.31.0001 | 416 | |||||||||||||||||||
| R7F7010544AFP ＃AA4 | - | | 9323 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 托盘 | 过时的 | R7F7010544 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 559-R7F7010544AFP ＃AA4 | 过时的 | |||||||||||||||||||||
 | R7F7010123AFP-C ＃AA8 | - | | 9133 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | RH850/F1L | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 64-LQFP | R7F7010123 | 64-LFQFP（10x10） | - | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 559-R7F7010123AFP-C ＃AA8 | 49 | RH850G3K | 32位单核 | 80MHz | Canbus，CSI，I²C，Linbus，Spi，Uart/Usart | DMA，LVD，POR，PWM，WDT | 384KB （384K x 8） | 闪光 | 32K x 8 | 48k x 8 | 3v〜5.5V | A/D 11x12b，10x10b | 内部的 | ||||
| R7F7010433333AFP-C ＃AA2 | - | | 8621 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | RH850/F1L | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 80-LQFP | R7F7010433 | 80-LFQFP（12x12） | - | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 559-R7F70104333333AFP-C＃AA2 | 65 | RH850G3K | 32位单核 | 96MHz | Canbus，CSI，I²C，Linbus，Spi，Uart/Usart | DMA，LVD，POR，PWM，WDT | 1MB （1m x 8） | 闪光 | 32K x 8 | 128K x 8 | 3v〜5.5V | A/D 11x12b，14x10b | 内部的 | ||||
| R7F7010513AFP ＃AA4 | - | | 8798 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 托盘 | 过时的 | R7F7010513 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 559-R7F7010513AFP ＃AA4 | 过时的 | |||||||||||||||||||||
| R5F51116AGNE＃UA | - | | 3900 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | RX111 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 48-WFQFN暴露垫 | R5F51116 | 48-HWQFN（7x7） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 559-R5F51116AGNE＃UA | 过时的 | 260 | 30 | Rx | 32位单核 | 32MHz | I²C，Sci，Spi，USB | DMA，LVD，POR，PWM，WDT | 256KB （256K x 8） | 闪光 | 8k x 8 | 32K x 8 | 2.7V〜3.6V | A/D 10x12b | 内部的 | |||
| DSPIC33CK128MC102T-I/M6 | 1.9180 | | 4125 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 28-UFQFN暴露垫 | DSPIC33CK128MC102 | 28-UQFN （4x4） | - | 到达不受影响 | 150-DSPIC33CK128MC102T-I/M6TR | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 3,300 | DSPIC | 16位 | - | - | - | 128KB （128K x 8） | 闪光 | - | - | 3v〜3.6V | - | 内部的 | ||||
| ML620Q132B-NNNGDWANL | - | | 1843年 | 0.00000000 | Rohm半导体 | ML620Q100 | 大部分 | 上次购买 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 16-WFQFN暴露垫 | ML620Q132 | 16-WQFN （4x4） | 下载 | 到达不受影响 | 846-ML620Q132B-NNNGDWANL | 1 | 10 | NX-U16/100 | 16位 | 32MHz | I²C，SSP，UART/USART | LVD，POR，PWM，WDT | 16KB （8K x 16） | 闪光 | 1k x 16 | 2k x 8 | 1.6V〜5.5V | A/D 6X10B SAR | 内部的 |
2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
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