BS170是用于优化高速和低压操作的MOSFET。它为模拟和数字信号切换提供了客户高度认可性能。
Onsemi BS170的功能
•低RDS的高密度电池设计(ON)
•电压控制的小信号开关
•坚固而可靠
•高饱和电流能力
•这些是无PB的设备
Onsemi BS170的应用程序
•多功能和可靠:BS170适用于需要具有高速和低压操作的小信号MOSFET的任何任务。无论您是使用模拟还是数字电路,这对于您的需求都是必不可少的。
•非常适合各种情况:此设备在各种设置中都有用,从简单到复杂的应用程序。它的多功能性使其非常适合日常使用。
•适用于任何任务:BS170的高速和低压操作使其适用于广泛的任务,包括模拟和数字信号开关。
•非常适合日常使用:此设备设计为可靠和通用,非常适合在各种应用中日常使用。
Onmi BS170的属性
类型 | 描述 |
类别 | 离散的半导体产品 晶体管 FET,MOSFET 单胎,MOSFET |
MFR | Onmi |
包装 | 大部分 |
零件状态 | 积极的 |
FET类型 | N通道 |
技术 | MOSFET(金属O化物) |
排出源电压(VDSS) | 60 V |
电流 - 连续排水(ID) @ 25°C | 500mA(TA) |
驱动电压(最大RDS,最小RDS打开) | 10V |
rds on(max) @ id,vgs | 5ohm @ 200mA,10v |
VGS(th)(Max) @ ID | 3V @ 1mA |
VGS(最大) | ±20V |
输入电容(CISS)(最大) @ vds | 40 pf @ 10 V |
功率耗散(最大) | 830MW(TA) |
工作温度 | -55°C〜150°C(TJ) |
安装类型 | 通过洞 |
供应商设备包 | TO-92-3 |
包装 /案例 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) |
基本产品编号 | BS170 |
Onsemi BS170类别-MOSFET
MOSFET(金属 - O化物 - 半导体场-EFFECT晶体管)是一种广泛用于开关目的和电子设备中电子信号的半导体设备。由于MOSFET尺寸很小,因此它们可以是核心或集成电路,并且可以单芯片设计和制造。 MOSFET设备的引入为电子开关带来了变化。
MOSFET的类型
主流MOSFET主要分为四类:平面动力MOSFET,沟槽电源MOSFET,超级 - 连接电源MOSFET和屏蔽 - 栅极动力MOSFET(SGT)。
(1)平面功率MOSFET:它们出现在1970年代。它们易于驾驶并且运行频率很高,但是芯片区域相对较大,损失很高。
(2)Trench Power MOSFET:它们在1980年代出现。它们易于驾驶,具有高操作频率,良好的热稳定性和低损耗,但电压电阻较低。
(3)超级 - 连接力MOSFET:它们出现在1990年代。它们易于驾驶,具有高频和极低的损失。它们是最新一代的电力设备。
(4)屏蔽 - 栅极力量MOSFET(SGT):它们出现在21世纪。它们破坏了硅极限,并大大降低了设备的电阻和切换损耗。
MOSFET的常用应用
(1)主要应用领域之一:充电桩
充电桩被列为中国七个“新基础设施”领域之一。公共充电桩由具有公共服务性质(例如政府机构)的机构建立,服务对象都是电动汽车所有者。从2015年到2019年,中国的公共收费桩数量从58,000增加到516,000,复合年增长率为72.9%。
(2)主要应用领域之一:5G基站
关于5G基站的建设量表,在2021年中国信息与通信技术学院(cAICT)ICT + IN-深度观察报告会议会议于2020年12月15日,工业和信息技术部的发言人指出,中国累计建立了718,000个5G基础站,并促进了330,000 5G基本站的建筑和共享。
(3)主要应用领域之一:汽车 - 等级申请
为了实现能源转换和传输,将新组件(例如电动机控制系统,DC/DC模块,高电压辅助驱动器,ON-板充电系统(OBC))和电源管理IC添加到新的能量车中,并且其中的电源半导体的内容大大增加了。就半导体类型而言,可以将汽车半导体大致分为功率半导体(例如IGBT和MOSFET),MCUS,传感器和其他组件。
BS170的制造商-Onmi
Onsemi正在推动节能创新,使客户有能力减少全球能源使用。该公司提供了综合的能源和信号管理,逻辑,离散和自定义解决方案的全面组合,以帮助设计工程师解决其在汽车,通信,计算,消费者,工业,LED照明,医疗/航空/航空和电源应用方面的独特设计挑战。 Onmi运营着一个响应迅速,可靠,世界一流的供应链和质量计划,以及整个北美,欧洲和亚太地区的主要市场的制造设施,销售办公室和设计中心网络。
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