ONSEMI MMBF170LT1G

MMBF170LT1G

这大约是SOT -23包装中的N -N渠道MOSFET。它可以处理500 mA电流，电压额定值为60V。型号为MMBF170L和NVBF170L。关键功能包括NVBF前缀，该前缀适用于具有唯一站点和控制更改要求的汽车和其他应用程序，AEC -Q101合格和PPAP能够。而且，这些设备不含铅且符合ROHS。

Onsemi MMBF170LT1G的应用程序

·放大器电路：由于其高输入阻抗，适合在放大器电路中使用。

·开关应用程序：适用于需要低泄漏电流的开关应用程序。

·电压控制的电阻：可以在各种电子电路中充当电压控制的电阻。

功能

MMBF170LT1G是一个N通道JFET晶体管，具有高输入阻抗和低泄漏电流，可用于放大器电路，开关应用程序和电压控制的电阻器。

用法指南

·门（G）：连接到输入信号或控制电压。

·排水（D）：连接到输出或负载。

·来源：连接到参考或接地。

Onsemi MMBF170LT1G的属性

类型	描述
类别	离散的半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单胎，MOSFET
MFR	Onmi
包装	胶带和卷轴（TR）切胶带（CT）
零件状态	积极的
FET类型	N通道
技术	MOSFET（金属O化物）
排出源电压（VDSS）	60 V
电流 - 连续排水（ID） @ 25°C	500mA（TA）
驱动电压（最大RDS，最小RDS打开）	10V
rds on（max） @ id，vgs	5ohm @ 200mA，10v
VGS（th）（Max） @ ID	3V @ 1mA
VGS（最大）	±20V
输入电容（CISS）（最大） @ vds	60 pf @ 10 V
功率耗散（最大）	225MW（TA）
工作温度	-55°C〜150°C（TJ）
安装类型	表面安装
供应商设备包	SOT-23-3（TO-236）
包装 /案例	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号	MMBF170

Onsemi MMBF170LT1G的数据表

Onsemi MMBF170LT1G的类别-FETS，MOSFET

金属 - O化物 - 半导体场 - 效应晶体管（简短的MOSFET）是一种在数字和模拟电路中通常使用的半导体，它们也是有用的功率设备。作为原始的紧凑型晶体管，MOSFET适用于广泛的电气应用。

长期以来，人们普遍认为，如果没有MOSFET，那么21世纪的许多技术进步将是不可能的。 MOSFET比双极连接晶体管（BJT）更广泛地使用，因为它们几乎不需要负载电流的控制电流。在“正常情况下”状态下，增强模式MOSFET的电导率可以增加。通过门施加的电压可以最大程度地降低“正常在”状态的电导率。 MOSFET的微型化过程相对简单，并且可以有效地减小紧凑型应用的大小。

MOSFET的其他优点包括快速开关（尤其是对于数字信号），最低功耗和高密度电容，这使其成为大规模集成的理想选择。

MOSFET是集成电路的核心组成部分。由于它们的小型化，它们可以单芯片设计和制造。集成电路芯片上的MOSFET是四个端子元件，即源（S），栅极（G），排水口（d）和身体（b）。物体通常连接到源，使MOSFET能够充当场效应晶体管的功能。主要有两种类型的晶体管。一个是双极连接晶体管（BJT），另一个是磁场 - 效应晶体管（FET）。 MOSFET属于现场效应晶体管类型。 BJT通常用于低于1安培的电流； MOSFET通常用于具有较大电流的应用。

MOSFET有两种类型：耗竭 - 模式和增强模式。耗尽模式MOSFET就像封闭开关一样工作。正电压会产生工作电流，负电压会停止工作电流。增强模式MOSFET是一种在现代应用中常用的类型。如前所述，MOSFET是用于切换或放大电信号的设备。这些可以通过改变电导率来实现，这可以通过改变施加的电压来改变。

MOSFET是数字电路中最常用的晶体管，可以在记忆芯片或微处理器中实现数百万级的集成。另外，MOSFET晶体管通常用作电压控制电路中的开关。人们认为，MOSFET的出现有助于开发一系列技术设备，例如口袋计算器和数字手表。

MMBF170LT1G的制造商 - Onemi

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