Renesas Electronics UPD43256BGU-70LL-E2-A

UPD43256BGU-70LL-E2-A RENESAS Electronics Electronics America Inc

Renesas Electronics的UPD43256BGU-70LL-E2-A是标准SRAM集成电路，提供32K的内存空间。该设备专为各种应用而设计，包括但不限于嵌入式系统，汽车电子设备和消费者设备。它具有快速访QT，低功耗和高质量的内存性能。

Renesas Electronics UPD43256BGU-70LL-E2-A的功能

32KX8标准SRAM
快速访QT：70NS

低功耗以进行有效运行

Renesas Electronics UPD43256BGU-70LL-E2-A应用程序

嵌入式系统
汽车电子产品
消费者设备
工业控制系统

Renesas Electronics UPD43256BGU-70LL-E2-A的属性

类型	描述
类别	综合电路（ICS）记忆记忆
MFR	Renesas电子公司
包装	大部分
零件状态	积极的
数字可编程	未行业经验证
内存类型	易挥发的
内存格式	SRAM
技术	SRAM-单端口，异步
内存大小	256kbit
内存组织	32K x 8
内存界面	平行线
写周期T - 单词，页面	70NS
访QT	70 ns
电压 - 电源	4.5V〜5.5V
工作温度	0°C〜70°C（TA）
安装类型	表面安装
包装 /案例	28-SOIC（0.330英寸，8.40mm宽度）
供应商设备包	28 sop

Renesas Electronics UPD43256BGU-70LL-E2-A数据表

Renesas Electronics UPD43256BGU-70LL-E2-A类别 - 内存

存储芯片是用于将数据存储在集成电路中的芯片。它们可以保留数字信号，包括二进制代码，字符，参考图片，声音等。内存芯片的主要功能是提供数据存储解决方案，并确保在需要时可以准确读取和编写数据。根据数据保留特性，可以将内存芯片分为非易失性存储芯片（例如闪存闪存）和挥发性内存芯片（例如动态随机访Q存储器DRAM）。非挥发记忆芯片可以在电源故障后保留数据而不会损失，而挥发性存储芯片则需要连续供电以保留数据。

存储芯片广泛用于电子产品，例如计算机，手机，数码相机，音频设备，电视等。其主要性能要求包括存储容量，读/写速，功耗和可靠性。随着电子产品的持续开发，记忆芯片的性能要求也越来越高。例如，在数据中心和服务器应用程序中，需要大容量存储芯片来支持大量数据的存储和访Q；在移动设备中，需要低功率内存芯片来延长设备的电池寿命。

UPD43256BGU-70LL-E2-A制造商-Renesas Electronics

Tronics成立于1997年，是一首页国际MEMS制造商，针对具有高额价值的不断增长的市场。该公司依靠25首页专利首页族的强大投资组合，将基于定制的MEMS产品设计，制造和出售给工业，航空，安全和医疗市场。 Tronics的MEMS惯性产品将所有关键的好处结合在单个芯片上，在超紧凑型设计中提供一流的性能和准确性。它们是针对对高度稳定，高性能惯性传感器的高需求的系统制造商量身定制的。 Tronics的高性能惯性传感器在法国的Fab中制造，包装和校准，对比汽车更高的应用具有显着的价值和差异化，同时不需要“战术级”传感器。在截至2017年1月的招标要约之后，TDK集团公司Epcos AG现在持有Tronics股票的74％。