SIC
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离散半导体产品（（41）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （amp） 功率 -输出 获得 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 噪音图 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电压 -测试
IXFK44N50F IXYS-RF IXFK44N50F -
RFQ
 ECAD 6527 0.00000000 ixys-rf Hiperrf™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFK44 MOSFET （金属 o化物） TO-264AA 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 25 n通道 500 v 44A（TC） 10V 120mohm @ 22a，10v 5.5V @ 4mA 156 NC @ 10 V ±20V 5500 PF @ 25 V - 500W（TC）
SS275TI12205 IXYS-RF SS275TI12205 -
RFQ
 ECAD 5189 0.00000000 ixys-rf - 管子 过时的 表面安装 6-SMD，平坦的铅裸垫 SS275 SIC （碳化硅） DE275 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA（IO） 3独立 1200 v 5a 1.8 V @ 5 A 0 ns 200 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
475-501N44A-00 IXYS-RF 475-501N44A-00 -
RFQ
 ECAD 2270 0.00000000 ixys-rf de 管子 过时的 500 v 6-SMD，平坦的铅裸垫 475-501N - MOSFET DE475 下载 （1 （无限） 到达受影响 DE475-501N44A-00 Ear99 8541.29.0095 20 n通道 48a 1800W - -
SS150TI60110 IXYS-RF SS150TI60110 -
RFQ
 ECAD 1132 0.00000000 ixys-rf - 管子 过时的 表面安装 6-SMD，平坦的铅裸垫 SS150 SIC （碳化硅） DE150 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 40 没有恢复t> 500mA（IO） 3独立 600 v 10a 1.8 V @ 5 A 0 ns 50 µA @ 600 V -55°C 〜175°C
IXZR08N120A-00 IXYS-RF IXZR08NNN120A-00 -
RFQ
 ECAD 5349 0.00000000 ixys-rf Z-MOS™ 管子 过时的 1200 v TO-247-3 65MHz MOSFET 加上247™-3 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 8a 250W 23dB - 100 v
275-201N25A-00 IXYS-RF 275-201N25A-00 -
RFQ
 ECAD 6984 0.00000000 ixys-rf de 管子 过时的 200 v 6-SMD，平坦的铅裸垫 275-201 - MOSFET DE275 下载 （1 （无限） 到达受影响 DE275-201N25A-00 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 25a 590W - -
SS275TA12205 IXYS-RF SS275TA12205 -
RFQ
 ECAD 3662 0.00000000 ixys-rf - 管子 过时的 表面安装 6-SMD，平坦的铅裸垫 SS275 SIC （碳化硅） DE275 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA（IO） 3个常见阳极 1200 v 5a 1.8 V @ 5 A 0 ns 200 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
275-101N30A-00 IXYS-RF 275-101N30A-00 -
RFQ
 ECAD 8946 0.00000000 ixys-rf de 管子 过时的 100 v 6-SMD，平坦的铅裸垫 275-101 - MOSFET DE275 下载 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 30a 550W - -
375-102N15A-00 IXYS-RF 375-102N15A-00 -
RFQ
 ECAD 3354 0.00000000 ixys-rf de 管子 过时的 1000 v 6-SMD，平坦的铅裸垫 375-102 - MOSFET DE375 下载 （1 （无限） 到达受影响 DE375-102N15A-00 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 15a 940W - -
IXZR16N60 IXYS-RF IXZR16N60 -
RFQ
 ECAD 6904 0.00000000 ixys-rf Z-MOS™ 管子 过时的 600 v TO-247-3 65MHz MOSFET 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 18a 350W 23dB -
475-102N20A-00 IXYS-RF 475-102N20A-00 -
RFQ
 ECAD 2181 0.00000000 ixys-rf de 管子 过时的 1000 v 6-SMD，平坦的铅裸垫 475-102n - MOSFET DE475 下载 （1 （无限） 到达受影响 DE475-102N20A-00 Ear99 8541.29.0095 20 n通道 20a 1800W - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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