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离散半导体产品（（41）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （amp） 当前 -测试 功率 -输出 获得 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 噪音图 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电压 -测试
DE475-102N21A IXYS-RF DE475-102N21A -
RFQ
 ECAD 3029 0.00000000 ixys-rf de 管子 过时的 1000 v 6-SMD，平坦的铅裸垫 DE475 - MOSFET DE475 下载 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 20 n通道 24a 1800W - -
SS150TC60110 IXYS-RF SS150TC60110 -
RFQ
 ECAD 4711 0.00000000 ixys-rf - 管子 过时的 表面安装 6-SMD，平坦的铅裸垫 SS150 SIC （碳化硅） DE150 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 40 没有恢复t> 500mA（IO） 3个普通阴极 600 v 10a 1.8 V @ 5 A 0 ns 50 µA @ 600 V -55°C 〜175°C
IXZ308N120 IXYS-RF IXZ308N120 -
RFQ
 ECAD 6358 0.00000000 ixys-rf Z-MOS™ 管子 过时的 1200 v 6-SMD，平坦的铅裸垫 65MHz MOSFET DE375 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 25 n通道 8a 880W 23dB - 100 v
IXZH10N50L2B IXYS-RF IXZH10N50L2B -
RFQ
 ECAD 5022 0.00000000 ixys-rf Z-MOS™ 管子 过时的 500 v TO-247-3 70MHz MOSFET TO-247（IXFH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 10a 200W 17dB - 100 v
IXZ2210N50L2 IXYS-RF IXZ2210N50L2 -
RFQ
 ECAD 3521 0.00000000 ixys-rf Z-MOS™ 管子 过时的 500 v 8-SMD，平坦的铅裸垫 IXZ2210 70MHz MOSFET - 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 2 n 通道（双） 10a 270W 17dB - 100 v
150-201N09A-00 IXYS-RF 150-201N09A-00 -
RFQ
 ECAD 7476 0.00000000 ixys-rf de 管子 过时的 200 v 6-SMD，平坦的铅裸垫 150-201 - MOSFET DE150 下载 （1 （无限） 到达受影响 DE150-201N09A-00 Ear99 8541.29.0095 40 n通道 9a 200W - -
275-501N16A-00 IXYS-RF 275-501N16A-00 -
RFQ
 ECAD 6436 0.00000000 ixys-rf de 管子 过时的 500 v 6-SMD，平坦的铅裸垫 275-501 - MOSFET DE275 下载 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 16a 590W - -
275X2-102N06A-00 IXYS-RF 275x2-102n06a-00 -
RFQ
 ECAD 4279 0.00000000 ixys-rf de 管子 过时的 1000 v 8-SMD，平坦的铅裸垫 275x2-102 - MOSFET DE275 下载 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 20 2 n 通道（双） 8a 1180W - -
SS275TC12205 IXYS-RF SS275TC12205 -
RFQ
 ECAD 8110 0.00000000 ixys-rf - 管子 过时的 表面安装 6-SMD，平坦的铅裸垫 SS275 SIC （碳化硅） DE275 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA（IO） 3个普通阴极 1200 v 5a 1.8 V @ 5 A 0 ns 200 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
IXZR08N120B-00 IXYS-RF IXZR08N120B-00 -
RFQ
 ECAD 4397 0.00000000 ixys-rf Z-MOS™ 管子 过时的 1200 v TO-247-3 65MHz MOSFET 加上247™-3 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 8a 250W 23dB - 100 v
DE150-501N04A IXYS-RF DE150-501N04A -
RFQ
 ECAD 2682 0.00000000 ixys-rf de 管子 过时的 500 v 6-SMD，平坦的铅裸垫 DE150 - MOSFET DE150 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 40 n通道 4.5a 25 µA 200W - -
IXZR18N50A-00 IXYS-RF IXZR18N50A-00 -
RFQ
 ECAD 2333 0.00000000 ixys-rf Z-MOS™ 管子 过时的 500 v TO-247-3 IXZR18 65MHz MOSFET 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 19a 350W 23dB - 100 v
275X2-501N16A-00 IXYS-RF 275x2-501N16A-00 -
RFQ
 ECAD 8481 0.00000000 ixys-rf de 管子 过时的 500 v 8-SMD，平坦的铅裸垫 275x2-501 - MOSFET DE275 下载 （1 （无限） 到达受影响 DE275X2-501N16A-00 Ear99 8541.29.0095 20 2 n 通道（双） 16a 1180W - -
SS150TA60110 IXYS-RF SS150TA60110 -
RFQ
 ECAD 2555 0.00000000 ixys-rf - 管子 过时的 表面安装 6-SMD，平坦的铅裸垫 SS150 SIC （碳化硅） DE150 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 40 没有恢复t> 500mA（IO） 3个常见阳极 600 v 10a 1.8 V @ 5 A 0 ns 50 µA @ 600 V -55°C 〜175°C
IXZR18N50B-00 IXYS-RF IXZR18N50B-00 -
RFQ
 ECAD 3689 0.00000000 ixys-rf Z-MOS™ 管子 过时的 500 v TO-247-3 65MHz MOSFET 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 19a 350W 23dB - 100 v
IXRFSM18N50 IXYS-RF IXRFSM18N50 -
RFQ
 ECAD 5944 0.00000000 ixys-rf SMPD 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 16-Besop （0.790英寸，20.11mm宽），15个铅，裸露的垫子，裸露的垫子 IXRFSM18 MOSFET （金属 o化物） 16-smpd - （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 19a（tc） 20V 340MOHM @ 9.5A，20V 6.5V @ 250µA 42 NC @ 10 V ±20V 2250 PF @ 400 V - 835W
IXRFSM12N100 IXYS-RF IXRFSM12N100 -
RFQ
 ECAD 7509 0.00000000 ixys-rf SMPD 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 16-Besop （0.790英寸，20.11mm宽），15个铅，裸露的垫子，裸露的垫子 IXRFSM12 MOSFET （金属 o化物） 16-smpd - （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1000 v 12A（TC） 15V 1.05Ohm @ 6a，15v 5.5V @ 250µA 77 NC @ 10 V ±20V 2875 PF @ 800 V - 940W
IXZH10N50L2A IXYS-RF IXZH10N50L2A -
RFQ
 ECAD 2779 0.00000000 ixys-rf Z-MOS™ 管子 过时的 500 v TO-247-3 70MHz MOSFET TO-247（IXFH） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 10a 200W 17dB - 100 v
IXZ210N50L2 IXYS-RF IXZ210N50L2 -
RFQ
 ECAD 1775年 0.00000000 ixys-rf Z-MOS™ 管子 过时的 500 v 6-SMD，平坦的铅裸垫 IXZ210 70MHz MOSFET DE275 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 10a 390W 17dB - 100 v
IXZ318N50 IXYS-RF IXZ318N50 -
RFQ
 ECAD 8163 0.00000000 ixys-rf Z-MOS™ 管子 过时的 500 v 6-SMD，平坦的铅裸垫 65MHz MOSFET DE375 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 25 n通道 19a 880W 23dB - 100 v
375-0001 IXYS-RF 375-0001 -
RFQ
 ECAD 7194 0.00000000 ixys-rf - 管子 过时的 通过洞 TO-247-3 375-000 - - TO-247AD - （1 （无限） 到达受影响 过时的 0000.00.0000 1 - - - - -
IXZR08N120 IXYS-RF IXZR08N120 -
RFQ
 ECAD 7770 0.00000000 ixys-rf Z-MOS™ 管子 过时的 1200 v TO-247-3 65MHz MOSFET 加上247™-3 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 8a 250W 23dB - 100 v
IXZH16N60 IXYS-RF IXZH16N60 -
RFQ
 ECAD 7625 0.00000000 ixys-rf - 管子 过时的 600 v TO-247-3 - MOSFET TO-247AD 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1ma 350W - -
DE375-102N12A IXYS-RF DE375-102N12A -
RFQ
 ECAD 6829 0.00000000 ixys-rf de 管子 过时的 1000 v 6-SMD，平坦的铅裸垫 DE375 - MOSFET DE375 下载 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 12a 940W - -
150-101N09A-00 IXYS-RF 150-101N09A-00 -
RFQ
 ECAD 4176 0.00000000 ixys-rf de 管子 过时的 100 v 6-SMD，平坦的铅裸垫 150-101 - MOSFET DE150 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 DE150-101N09A-00 Ear99 8541.29.0095 40 n通道 9a 200W - -
IXZR18N50 IXYS-RF IXZR18N50 -
RFQ
 ECAD 5296 0.00000000 ixys-rf Z-MOS™ 管子 过时的 500 v TO-247-3 65MHz MOSFET 加上247™-3 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 19a 350W 23dB -
DE275-102N06A IXYS-RF DE275-102N06A -
RFQ
 ECAD 3265 0.00000000 ixys-rf de 管子 过时的 1000 v 6-SMD，平坦的铅裸垫 DE275 - MOSFET DE275 下载 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 8a 590W - -
DE375-501N21A IXYS-RF DE375-501N21A -
RFQ
 ECAD 4835 0.00000000 ixys-rf de 管子 过时的 500 v 6-SMD，平坦的铅裸垫 DE475 50MHz MOSFET DE375 下载 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 25a 940W - -
IXZ316N60 IXYS-RF IXZ316N60 -
RFQ
 ECAD 2656 0.00000000 ixys-rf Z-MOS™ 管子 过时的 600 v 6-SMD，平坦的铅裸垫 65MHz MOSFET DE375 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 25 n通道 18a 880W 23dB - 100 v
DE150-102N02A IXYS-RF DE150-102N02A -
RFQ
 ECAD 6942 0.00000000 ixys-rf de 管子 过时的 1000 v 6-SMD，平坦的铅裸垫 DE150 - MOSFET DE150 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 40 n通道 2a 200W - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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