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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BA158 | 0.0314 | ![]() | 3133 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | do-204ac,do-41,轴向 | 标准 | DO-41/DO-204AC | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-BA158TR | 8541.10.0000 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.3 V @ 1 A | 300 ns | 5 µA @ 600 V | -50°C〜150°C | 1a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYP35K4 | 1.0878 | ![]() | 5782 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 按适合 | DO-208AA | 标准 | DO-208 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-BYP35K4TR | 8541.10.0000 | 12,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.1 V @ 35 A | 1.5 µs | 100 µA @ 400 V | -50°C 200°C | 35a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KYW25A2 | 2.0056 | ![]() | 500 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | 通过洞 | DO-208AA | 标准 | DO-208 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-KYW25A2 | 8541.10.0000 | 500 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1.1 V @ 25 A | 1.5 µs | 100 µA @ 200 V | -50°C〜175°C | 25a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UF600G | 0.3439 | ![]() | 32 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | P600,轴向 | 标准 | P600 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-UF600GTR | 8541.10.0000 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.25 V @ 5 A | 75 ns | 10 µA @ 400 V | -50°C〜175°C | 6a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DB15-02 | 4.3940 | ![]() | 4358 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 5平方英尺,DB-35 | 标准 | DB-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-DB15-02 | 8541.10.0000 | 50 | 1.05 V @ 12.5 A | 10 µA @ 200 V | 25 a | 三期 | 200 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYP60K1 | 1.2263 | ![]() | 6653 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 按适合 | DO-208AA | 标准 | DO-208 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-BYP60K1TR | 8541.10.0000 | 12,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 100 v | 1.1 V @ 60 A | 1.5 µs | 100 µA @ 100 V | -50°C 200°C | 60a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SB290 | 0.1051 | ![]() | 1143 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | do-204ac,do-15,轴向 | 肖特基 | DO-15(do-204ac) | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-SB290TR | 8541.10.0000 | 4,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 90 v | 790 mv @ 2 a | 500 µA @ 90 V | -50°C〜150°C | 2a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B500C1500B | 1.1500 | ![]() | 16 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-ESIP | 标准 | 4-sip | 下载 | 不适用 | 不适用 | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 V @ 2 A | 5 µA @ 1000 V | 1.8 a | 单相 | 1 kV | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBP302G | 0.1702 | ![]() | 7384 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBP | 标准 | KBP | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-KBP302G | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 V @ 3 A | 5 µA @ 200 V | 1.8 a | 单相 | 200 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | F11K120 | 0.2732 | ![]() | 8139 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | 标准 | DO-201-201 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-F11K120TR | 8541.10.0000 | 1,250 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 120 v | 1.1 V @ 11 A | 350 ns | 5 µA @ 120 V | -55°C 〜175°C | 11a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZY68 | 0.0986 | ![]() | 10 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | do-204ac,do-41,轴向 | 2 w | DO-41/DO-204AC | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-ZY68TR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1 µA @ 34 V | 68 v | 25欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBT1040 | 0.4829 | ![]() | 5784 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | 肖特基 | TO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-SBT1040 | 8541.10.0000 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 550 mv @ 10 a | 300 µA @ 40 V | -50°C〜150°C | 10a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ11 | 0.0995 | ![]() | 4142 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | do-204ac,do-15,轴向 | 3 W | do15/do204ac | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-3ez11tr | 8541.10.0000 | 4,000 | 1 µA @ 5 V | 11 V | 4欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBJ1845 | 0.5526 | ![]() | 7626 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | 肖特基 | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-SBJ1845 | 8541.10.0000 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 45 v | 580 mv @ 18 a | 500 µA @ 45 V | -50°C〜150°C | 18a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC557BBK | 0.0241 | ![]() | 70 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | 500兆 | 到92 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-BC557BBK | 8541.21.0000 | 5,000 | 45 v | 100 ma | 15NA | PNP | 650mv @ 5mA,100mA | 200 @ 2mA,5v | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBI15K | 0.7848 | ![]() | 9857 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBI | 标准 | GBI | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-GBI15K | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 7.5 A | 5 µA @ 800 V | 3.2 a | 单相 | 800 v | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DIT120N08 | 1.3886 | ![]() | 9 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-DIT120N08 | 8541.21.0000 | 50 | n通道 | 80 V | 120A(TC) | 10V | 6mohm @ 40a,10v | 4V @ 250µA | 163 NC @ 10 V | ±20V | 6500 PF @ 25 V | - | 220W(TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | PX1500B | 0.5905 | ![]() | 3996 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | P600,轴向 | 标准 | P600 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-PX1500BTR | 8541.10.0000 | 1,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 100 v | 1 V @ 15 A | 1.5 µs | 10 µA @ 100 V | -50°C〜175°C | 15a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DBI20-08B | 7.3441 | ![]() | 7061 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 管子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 5-sip | 标准 | DBI-B | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-DBI20-08B | 8541.10.0000 | 15 | 1.3 V @ 20 A | 10 µA @ 800 V | 3 a | 三期 | 800 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC556BBK | 0.0241 | ![]() | 470 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | 500兆 | 到92 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-BC556BBK | 8541.21.0000 | 5,000 | 65 v | 100 ma | 15NA | PNP | 650mv @ 5mA,100mA | 200 @ 2mA,5v | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | gbu6k-t | 0.3371 | ![]() | 5157 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 管子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-GBU6K-T | 8541.10.0000 | 1,000 | 1 V @ 6 A | 5 µA @ 800 V | 4.2 a | 单相 | 800 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FX2000A | 0.7322 | ![]() | 2 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | P600,轴向 | 标准 | P600 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-FX2000ATR | 8541.10.0000 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 940 mv @ 20 a | 200 ns | 5 µA @ 50 V | -50°C〜150°C | 20a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SB250 | 0.1051 | ![]() | 7880 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | do-204ac,do-15,轴向 | 肖特基 | do15/do204ac | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-SB250TR | 8541.10.0000 | 4,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 700 mv @ 2 a | 500 µA @ 50 V | -50°C〜150°C | 2a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | gbuk8d | 2.1428 | ![]() | 1028 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-GBUK8D | 8541.10.0000 | 1,000 | 900 mv @ 8 a | 5 µA @ 190 V | 8 a | 单相 | 190 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SB5200 | - | ![]() | 7039 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | 肖特基 | DO-201-201 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-SB5200TR | 8541.10.0000 | 1,700 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 900 mv @ 5 a | 100 µA @ 200 V | -50°C〜150°C | 5a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBI35A | 1.3377 | ![]() | 500 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBI | 标准 | GBI | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-GBI35A | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 V @ 17.5 A | 5 µA @ 50 V | 5 a | 单相 | 50 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBU12D | 1.5875 | ![]() | 47 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-GBU12D | 8541.10.0000 | 1,000 | 1 V @ 12 A | 5 µA @ 200 V | 8.4 a | 单相 | 200 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBPC10/15/2506fp | 2.4357 | ![]() | 6 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 4平方,KBPC | 标准 | KBPC | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2721-KBPC10/15/2506fp | 8541.10.0000 | 240 | 1.2 V @ 12.5 A | 10 µA @ 600 V | 25 a | 单相 | 600 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | P1000K | 0.4775 | ![]() | 35 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | P600,轴向 | 标准 | P600 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-p1000ktr | 8541.10.0000 | 1,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.05 V @ 10 A | 1.5 µs | 10 µA @ 800 V | -50°C〜175°C | 10a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZPY27 | 0.0986 | ![]() | 9610 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | do-204ac,do-41,轴向 | 1.3 w | DO-41/DO-204AC | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-ZPY27TR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1 µA @ 14 V | 27 V | 7欧姆 |
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