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离散半导体产品（（3563）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
SMZ120	0.0772	RFQ	5186	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	150°C（TJ）	表面安装	do-213ab，Melf			2 w	Melf DO-213AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2796-SMZ120TR		8541.10.0000	5,000																			1 µA @ 60 V									120 v	80欧姆
1N4148WGW	0.0125	RFQ	2087	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装		1N4148			SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	2796-1N4148WGWTR		8541.10.0000	3,000															100 v						150mA
30CTQ200	1.1320	RFQ	6968	diotec半导体	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-3	30ctq	肖特基		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	不适用		2796-30CTQ200		8541.10.0000	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	200 v	15a	860 mv @ 15 A		50 µA @ 200 V	-50°C〜175°C
ZMC15	0.0442	RFQ	387	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-50°C〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80C	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2796-ZMC15TR		8541.10.0000	2,500																			100 na @ 11 V									15 v	30欧姆
BAS316WT	0.0328	RFQ	7242	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装					SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	2796-BAS316WTTR		8541.10.0000	4,000															100 v						150mA
Sl1k	0.0179	RFQ	4945	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-123F		标准		SOD-123F（SMF）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2796-SL1KTR		8541.10.0000	3,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													800 v		1.1 V @ 1 A	1 µs	1 µA @ 800 V	-50°C〜150°C	1a	-
P2500M	0.8387	RFQ	5079	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	P600，轴向	P2500	标准		P600	下载	rohs3符合条件	不适用		2796-P2500MTR		8541.10.0000	1,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													1000 v		1.1 V @ 25 A	1.5 µs	10 µA @ 1000 V	-50°C〜175°C	25a	-
BZX84C16	0.0301	RFQ	4229	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84		300兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2796-BZX84C16TR		8541.10.0000	3,000																			50 NA @ 11.2 V									16 V	40欧姆
BY255-AQ	0.5824	RFQ	35	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-201aa，do-27，轴向		标准		DO-201-201	下载	rohs3符合条件	不适用	根据要求获得可用的信息	2721-BY255-AQTR	Ear99	8541.10.0080	25		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													1300 v		1.1 V @ 3 A	1.5 µs	5 µA @ 1.3 V	-50°C〜150°C	3a	-
ZMM30	0.0257	RFQ	162	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-50°C〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80C	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2796-ZMM30TR		8541.10.0000	2,500																			100 na @ 22 V									30 V	80欧姆
Z3SMC62	0.2393	RFQ	4124	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	DO-214AB，SMC			3 W	SMC（do-214ab）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2796-Z3SMC62TR		8541.10.0000	3,000																			1 µA @ 28 V									62 v	25欧姆
zmm2.7	-	RFQ	1607年	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-50°C〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80C	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2796-ZMM2.7Tr		8541.10.0000	2,500																			10 µA @ 1 V									2.7 v	85欧姆
KBPC10/15/2514WP	2.6534	RFQ	9778	diotec半导体	-	盒子	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，KBPC WP		标准		KBPC WP	下载	rohs3符合条件	不适用		2721-KBPC10/15/2514WP		8541.10.0000	160																	1.2 V @ 12.5 A		10 µA @ 1400 V		25 a				单相	1.4 kV
DIT195N08	2.8404	RFQ	2	diotec半导体	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	不适用		2796-DIT195N08		8541.21.0000	50			n通道	85 v	195a（TC）	10V	4.95Mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±20V	16880 pf @ 25 V	-	300W（TC）
2BZX84C11	0.0363	RFQ	7256	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			300兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2796-2BZX84C11TR		8541.10.0000	3,000	1对公共阳极																		100 na @ 8 V									11 V	20欧姆
BY880-100-CT	1.5377	RFQ	8243	diotec半导体	-	条	积极的			通过洞	do-201aa，do-27，轴向	BY880	标准		DO-201-201	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2721-BY880-100-CT		8541.10.0000	12		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													100 v		1.1 V @ 8 A	1.5 µs	5 µA @ 100 V	-50°C〜175°C	8a	-
DI040P04PT	0.5962	RFQ	2182	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	DI040P04	MOSFET （金属 o化物）		8-qfn （3x3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	2796-DI040P04PTTR		8541.21.0000	5,000			P通道	40 V	40a（TC）	4.5V，10V	15mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	59 NC @ 10 V	±20V	3538 pf @ 20 V	-	22.7W（TC）
BAV70-AQ	0.0287	RFQ	2642	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAV70	标准		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			8541.10.0000	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	75 v	215ma	1.25 V @ 150 mA	4 ns	2.5 µA @ 75 V	-55°C〜150°C
ZMC3B6	0.0688	RFQ	2655	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％		表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	Quadro Micromelf	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	2796-ZMC3B6TR		8541.10.0000	2,500																												3.6 v	85欧姆
mmftp84w	0.0404	RFQ	5724	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323		MOSFET （金属 o化物）		SOT-323	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	2796-MMFTP84WTR		8541.21.0000	3,000			P通道	50 V	130mA	45V	10ohm @ 130mA，10v	2V @ 1mA		±20V	45 pf @ 25 V	-	200MW
MUR460	0.4604	RFQ	1	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-201aa，do-27，轴向		标准		DO-201-201	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2796-MUR460TR		8541.10.0000	1,700		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													600 v		1.28 V @ 4 A	75 ns	5 µA @ 600 V	-50°C〜175°C	4a	50pf @ 4V，1MHz
ZPY110	0.0986	RFQ	8855	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	do-204ac，do-41，轴向			1.3 w	DO-41/DO-204AC	下载	rohs3符合条件	不适用		2796-ZPY110TR		8541.10.0000	5,000																			1 µA @ 50 V									110 v	80欧姆
ZMD68B	0.1011	RFQ	7916	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-50°C〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			1 w	do-213aa，迷你甲	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2796-ZMD68BTR		8541.10.0000	2,500																			500 NA @ 45 V									68 v	90欧姆
UGB8JT	0.6236	RFQ	1022	diotec半导体	-	管子	积极的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		TO-263AB（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2796-ugb8jt		8541.10.0000	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													600 v		1.75 V @ 8 A	45 ns	5 µA @ 600 V	-50°C〜150°C	8a	-
DI048N04PQ2	0.7076	RFQ	2477	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DI048N04	MOSFET （金属 o化物）	27W（TC）	PG-TDSON-8-4	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	2796-DI048N04PQ2TR		8541.21.0000	5,000	2 n 通道（双）			40V	48A（TC）		9.6mohm @ 12a，10v	2.5V @ 250µA	48nc @ 10V		2270pf @ 20V	-
BYW27-600-CT	0.4083	RFQ	5849	diotec半导体	-	条	积极的			通过洞	do-204ac，do-41，轴向	Byw27	标准		DO-41/DO-204AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2721-BYW27-600-CT		8541.10.0000	25		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													600 v		1.3 V @ 1 A	1.5 µs	200 NA @ 600 V	-50°C〜175°C	1a	-
MM5Z6V2	0.0333	RFQ	3133	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523			200兆	SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2796-MM5Z6V2TR		8541.10.0000	4,000																			3 µA @ 4 V									6.2 v	10欧姆
ZMM36	0.0257	RFQ	80	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-50°C〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80C	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2796-ZMM36TR		8541.10.0000	2,500																			100 na @ 27 V									36 V	90欧姆
MMDTC124EE-AQ	0.0404	RFQ	5145	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-523	MMDTC124		150兆	SOT-523	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定			8541.21.0000	3,000																							50 V	30 ma			500NA（ICBO）			npn-预先偏见	-	56 @ 5mA，5V	250 MHz	22 KOHMS	22 KOHMS
BY500-800	0.1363	RFQ	48	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-201aa，do-27，轴向		标准		DO-201-201	下载	rohs3符合条件	不适用		2796-BY500-800TR		8541.10.0000	1,250		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													800 v		1.3 V @ 5 A	200 ns	5 µA @ 800 V	-50°C〜175°C	5a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（3563）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²