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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 场效应管类型 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F | 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 集电极电流(Ic)(最大) | 分布类型 | 电压 - 逆势高峰(最大) | 电流 - 电极电极电流(最大) | 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) | 阻抗(最大)(Zzt) | 晶体管类型 | Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic | 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce | 频率-开头 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZT52C20 | - | ![]() | 第1341章 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -50°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | SOD-123F | 500毫W | SOD-123F | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-BZT52C20TR | 8541.10.0000 | 3,000 | 100nA@15V | 20V | 50欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBU4D-T | 0.3087 | ![]() | 3883 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 管子 | 的积极 | -50°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、GBU | 标准 | GBU | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2796-GBU4D-T | 8541.10.0000 | 1,000 | 1V@4A | 5μA@200V | 2.8安 | 单相 | 200V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B250D | 0.2241 | ![]() | 第254章 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 管子 | 的积极 | -50°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-EDIP(0.300英寸,7.62毫米) | 标准 | 直接制造 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2721-B250D | 8541.10.0000 | 50 | 1.1V@1A | 5μA@600V | 1A | 单相 | 600伏 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S1K | 0.0317 | ![]() | 135 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | 标准 | DO-214AC、SMA | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 2796-S1KTR | 8541.10.0000 | 7,500 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 800V | 1.1V@1A | 1.5微秒 | 800V时为5μA | -50℃~150℃ | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ22 | 0.0995 | ![]() | 第1782章 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -50°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | DO-204AC、DO-15、极性 | 3W | DO15/DO204AC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2796-3EZ22TR | 8541.10.0000 | 4,000 | 1μA@12V | 22V | 6欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B125C7000A | 1.5729 | ![]() | 25 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 盒子 | 的积极 | -50°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP | 标准 | 4-SIP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2796-B125C7000A | 8541.10.0000 | 500 | 1V@5A | 5μA@250V | 4.8安 | 单相 | 250伏 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DB25-06 | 4.3940 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 盒子 | 的积极 | -50°C ~ 150°C(太焦) | 安装结构 | 5方,DB-35 | 标准 | DB-35 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2796-DB25-06 | 8541.10.0000 | 50 | 1.05V@12.5A | 600V时为10μA | 25A | 土耳其 | 600伏 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ER1M | 0.0740 | ![]() | 2186 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | 标准 | DO-214AC、SMA | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-ER1MTR | 8541.10.0000 | 7,500 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1000伏 | 1.7V@1A | 75纳秒 | 1000V时为5μA | -50℃~150℃ | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4150 | 0.2672 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 盒子 | 的积极 | 通孔 | DO-204AH、DO-35、宗教 | 标准 | DO-35 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2721-1N4150 | 5,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 50V | 1.2V@200mA | 4纳秒 | 50V时为100nA | -50℃~175℃ | 300毫安 | 4pF@0V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| S2D | 0.0450 | ![]() | 108 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AA、SMB | 标准 | DO-214AA (SMB) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 2796-S2DTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 200V | 1.15V@2A | 1.5微秒 | 5μA@200V | -50℃~150℃ | 2A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZMD11B | 0.1011 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±2% | -50°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | DO-213AA | 1W | DO-213AA,迷你-MELF | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-ZMD11BTR | 8541.10.0000 | 2,500人 | 500nA@7V | 11伏 | 6欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZMY24 | 0.0764 | ![]() | 4805 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -50°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | DO-213AB,梅尔夫 | 1.3W | 梅尔夫DO-213AB | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-ZMY24TR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1μA@12V | 24V | 7欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SKL35 | 0.1322 | ![]() | 8194 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SOD-123F | 肖特基 | SOD-123F(单模) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 2796-SKL35TR | 8541.10.0000 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 50V | 700毫伏@3安 | 50V时为200μA | -50℃~150℃ | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 短信1100 | 0.1263 | ![]() | 6104 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-213AB,梅尔夫 | 肖特基 | 梅尔夫DO-213AB | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-SMS1100TR | 8541.10.0000 | 5,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100V | 790 毫伏 @ 1 安 | 100V时为500μA | -50℃~150℃ | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZMD5.1 | 0.1260 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -50°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | DO-213AA | 1W | DO-213AA,迷你-MELF | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-ZMD5.1TR | 8541.10.0000 | 2,500人 | 1 µA @ 500 mV | 5.1V | 30欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK210-AQ | 0.1553 | ![]() | 3487 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AA (SMB) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 2796-SK210-AQTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 100V | 2A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT54SW | 0.0314 | ![]() | 9489 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SC-70、SOT-323 | 电池组54 | 肖特基 | SOT-323 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 2796-BAT54SWTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 小信号=< 200mA (Io),任意速度 | 1对中央 | 30V | 200毫安 | 650 毫伏 @ 100 毫安 | 5纳秒 | 3μA@30V | 125℃(最高) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC846C | 0.0182 | ![]() | 1120 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 250毫W | SOT-23-3 (TO-236) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-BC846CTR | EAR99 | 8541.21.0000 | 3,000 | 65V | 100毫安 | 15nA(ICBO) | NPN | 600毫伏@5毫安、100毫安 | 420@2mA,5V | 300兆赫 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DI110N04PQ | 0.7238 | ![]() | 4184 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-PowerTDFN | DI110N04 | MOSFET(金属O化物) | 8-QFN (5x6) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 2796-DI110N04PQTR | 8541.21.0000 | 5,000 | N沟道 | 40V | 110A(温度) | 4.5V、10V | 2.5毫欧@23A,10V | 2.5V@250μA | 48nC@10V | ±20V | 2980pF@25V | - | 45W(温度) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS16 | 0.2007 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | BAS16 | 标准 | SOT-23-3 (TO-236) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 8541.10.0000 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 75V | 1.25V@150mA | 4纳秒 | 75V时为1μA | -55℃~150℃ | 215毫安 | 2pF@0V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S3A | 0.0705 | ![]() | 45 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AB、SMC | 标准 | SMC (DO-214AB) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 2796-S3ATR | 8541.10.0000 | 3,000 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 50V | 1.15V@3A | 1.5微秒 | 5μA@50V | -50℃~150℃ | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBCT1050 | 0.6450 | ![]() | 7620 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-3 | 肖特基 | TO-220AB | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2796-SBCT1050 | 8541.10.0000 | 5,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 50V | 5A | 700 毫伏 @ 5 安 | 50V时为300μA | -50℃~150℃ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UFT800G | 0.7084 | ![]() | 2746 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | 标准 | TO-220AC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2796-UFT800G | 8541.10.0000 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400V | 1.25V@8A | 35纳秒 | 5μA@400V | -50℃~150℃ | 8A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S5Y | 0.5415 | ![]() | 3720 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AB、SMC | 标准 | SMC (DO-214AB) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-S5YTR | EAR99 | 8541.10.0000 | 3,000 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 2000伏 | 1.1V@5A | 1.5微秒 | 10μA@2000V | -50℃~150℃ | 5A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC849CW | 0.0317 | ![]() | 3268 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-70、SOT-323 | 200毫W | SOT-323 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 2796-BC849CWTR | 8541.21.0000 | 3,000 | 30V | 100毫安 | 15nA(ICBO) | NPN | 600毫伏@5毫安、100毫安 | 420@2mA,5V | 100兆赫兹 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PT800M-CT | 1.2230 | ![]() | 7438 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | PT800M | 标准 | TO-220AC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 可根据要求提供REACH信息 | 2721-PT800M-CT | 8541.10.0000 | 50 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1000伏 | 1.1V@8A | 1V时为5μA | -50℃~150℃ | 8A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK84-AQ | 0.2959 | ![]() | 9038 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AB、SMC | 肖特基 | SMC (DO-214AB) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-SK84-AQTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 550毫伏@8安 | 40V时为200μA | -50℃~150℃ | 8A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CS30D | 1.7165 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 管子 | 的积极 | -50°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-EDIP(0.300英寸,7.62毫米) | 肖特基 | 直接制造 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2721-CS30D | 8541.10.0000 | 250 | 700毫伏@1安 | 500μA@60V | 1A | 单相 | 60V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SGL1-30 | 0.0767 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-213AA | 肖特基 | DO-213AA,迷你-MELF | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-SGL1-30TR | 8541.10.0000 | 2,500人 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 30V | 500毫伏@1安 | 30V时为500μA | -50℃~150℃ | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZMC5B6 | 0.0688 | ![]() | 2425 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±2% | -50°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | 2-SMD,无铅 | 500毫W | 微型MELF | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-ZMC5B6TR | 8541.10.0000 | 2,500人 | 100nA@1V | 5.6V | 25欧姆 |

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