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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | htsus | 标准包 | 速度 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PT800J-CT | 1.2230 | ![]() | 7370 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | PT800J | 标准 | TO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2721-PT800J-CT | 8541.10.0000 | 50 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.1 V @ 8 A | 5 µA @ 600 V | -50°C〜150°C | 8a | - | ||
![]() | GL34K-CT | 0.2420 | ![]() | 2 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 条 | 积极的 | 表面安装 | do-213aa | GL34K | 标准 | do-213aa,迷你甲 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2721-GL34K-CT | 8541.10.0000 | 30 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.3 V @ 500 mA | 1.5 µs | 5 µA @ 800 V | -50°C〜175°C | 500mA | - | |
![]() | S3A-CT | 0.3972 | ![]() | 54 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 条 | 积极的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | S3A | 标准 | SMC(do-214ab) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2721-S3A-CT | 8541.10.0000 | 15 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 50 V | 1.15 V @ 3 A | 1.5 µs | 5 µA @ 50 V | -50°C〜150°C | 3a | - | |
![]() | GL34D-CT | 0.3860 | ![]() | 4706 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 条 | 积极的 | 表面安装 | do-213aa | GL34D | 标准 | do-213aa,迷你甲 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2721-GL34D-CT | 8541.10.0000 | 30 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1.2 V @ 500 mA | 1.5 µs | 5 µA @ 200 V | -50°C〜175°C | 500mA | - | |
![]() | AL1D-CT | 0.4485 | ![]() | 5397 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 条 | 积极的 | 表面安装 | do-213aa | 雪崩 | do-213aa,迷你甲 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2721-al1d-ct | 8541.10.0000 | 30 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1.2 V @ 1 A | 1.5 µs | 3 µA @ 200 V | -50°C〜175°C | 1a | - | ||
![]() | BY880-600-CT | 0.5768 | ![]() | 1 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 条 | 积极的 | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | BY880 | 标准 | DO-201-201 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2721-BY880-600-CT | 8541.10.0000 | 12 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.1 V @ 8 A | 1.5 µs | 5 µA @ 600 V | -50°C〜175°C | 8a | - | |
![]() | GL1D-CT | 0.2420 | ![]() | 2 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 条 | 积极的 | 表面安装 | do-213aa | 标准 | do-213aa,迷你甲 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2721-GL1D-CT | 8541.10.0000 | 30 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1.2 V @ 1 A | 1.5 µs | 5 µA @ 200 V | -50°C〜175°C | 1a | - | ||
![]() | S3MSMB-CT | 0.3627 | ![]() | 3339 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 条 | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | S3M | 标准 | SMB(do-214AA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2721-S3MSMB-CT | 8541.10.0000 | 15 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.1 V @ 3 A | 1.5 µs | 5 µA @ 1 V | -50°C〜150°C | 3a | - | |
![]() | P1000K-CT | 1.9680 | ![]() | 1 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 条 | 积极的 | 通过洞 | P600,轴向 | P1000K | 标准 | P600 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2721-P1000K-CT | 8541.10.0000 | 12 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.05 V @ 10 A | 1.5 µs | 10 µA @ 800 V | -50°C〜175°C | 10a | - | |
![]() | BY550-1000-CT | 1.1528 | ![]() | 106 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 条 | 积极的 | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | 到550 | 标准 | DO-201-201 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2721-BY550-1000-CT | 8541.10.0000 | 12 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1 V @ 5 A | 1.5 µs | 5 µA @ 1 V | -50°C〜175°C | 5a | - | |
![]() | S5Y-CT | 1.4343 | ![]() | 60 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 条 | 积极的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 标准 | SMC(do-214ab) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2721-S5Y-CT | 8541.10.0000 | 15 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 2000 v | 1.1 V @ 5 A | 1.5 µs | 10 µA @ 2 V | -50°C〜150°C | 5a | - | ||
![]() | AL1M-CT | 0.4700 | ![]() | 1882年 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 条 | 积极的 | 表面安装 | do-213aa | 雪崩 | do-213aa,迷你甲 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2721-al1m-ct | 8541.10.0000 | 30 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.3 V @ 1 A | 1.5 µs | 3 µA @ 1 V | -50°C〜175°C | 1a | - | ||
![]() | P1000A-CT | 1.5790 | ![]() | 542 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 条 | 积极的 | 通过洞 | P600,轴向 | P1000a | 标准 | P600 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2721-P1000A-CT | 8541.10.0000 | 12 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 50 V | 1.05 V @ 10 A | 1.5 µs | 10 µA @ 50 V | -50°C〜175°C | 10a | - | |
![]() | S1X-CT | 0.3668 | ![]() | 22 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 条 | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 标准 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2721-S1X-CT | 8541.10.0000 | 30 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1800 v | 1.1 V @ 1 A | 1.5 µs | 5 µA @ 1.8 V | -50°C〜150°C | 1a | - | ||
![]() | BY2000-CT | 1.1341 | ![]() | 7828 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 条 | 积极的 | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | BY2000 | 标准 | DO-201-201 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2721-BY2000-CT | 8541.10.0000 | 25 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 2000 v | 1.1 V @ 3 A | 1.5 µs | 5 µA @ 2 V | -50°C〜150°C | 3a | - | |
![]() | P2000G-CT | 2.2979 | ![]() | 1 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 条 | 积极的 | 通过洞 | P600,轴向 | P2000G | 标准 | P600 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2721-P2000G-CT | 8541.10.0000 | 12 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.1 V @ 20 A | 1.5 µs | 10 µA @ 400 V | -50°C〜150°C | 20a | - | |
![]() | AL1A-CT | 0.4385 | ![]() | 6448 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 条 | 积极的 | 表面安装 | do-213aa | 雪崩 | do-213aa,迷你甲 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2721-al1a-ct | 8541.10.0000 | 30 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 50 V | 1.2 V @ 1 A | 1.5 µs | 3 µA @ 50 V | -50°C〜175°C | 1a | - | ||
![]() | GL1J-CT | 0.3955 | ![]() | 1929年 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 条 | 积极的 | 表面安装 | do-213aa | 标准 | do-213aa,迷你甲 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2721-GL1J-CT | 8541.10.0000 | 30 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.3 V @ 1 A | 1.5 µs | 5 µA @ 600 V | -50°C〜175°C | 1a | - | ||
![]() | SM5063-CT | 0.3070 | ![]() | 1867年 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 条 | 积极的 | 表面安装 | do-213ab,Melf | SM5063 | 标准 | Melf DO-213AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2721-SM5063-CT | 8541.10.0000 | 30 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.1 V @ 2 A | 1.5 µs | 5 µA @ 1 V | -50°C〜175°C | 2a | - | |
![]() | P2000DTL-CT | 3.0438 | ![]() | 2289 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 条 | 积极的 | 通过洞 | P600,轴向 | P2000D | 标准 | P600 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2721-P2000DTL-CT | 8541.10.0000 | 12 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1.1 V @ 20 A | 1.5 µs | 10 µA @ 200 V | -50°C〜175°C | 20a | - | |
![]() | S2B-CT | 0.3449 | ![]() | 30 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 条 | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | S2B | 标准 | SMB(do-214AA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2721-S2B-CT | 8541.10.0000 | 15 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 100 v | 1.15 V @ 2 A | 1.5 µs | 5 µA @ 100 V | -50°C〜150°C | 2a | - | |
![]() | BY1800-CT | 0.9650 | ![]() | 5 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 条 | 积极的 | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | BY1800 | 标准 | DO-201-201 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2721-1800-CT | 8541.10.0000 | 25 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1800 v | 1.1 V @ 3 A | 1.5 µs | 5 µA @ 1.8 V | -50°C〜150°C | 3a | - | |
![]() | S1M-CT | 0.2412 | ![]() | 5 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 条 | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | S1M | 标准 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2721-S1M-CT | 8541.10.0000 | 30 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.1 V @ 1 A | 1.5 µs | 5 µA @ 1 V | -50°C〜150°C | 1a | - | |
![]() | S3K-CT | 0.2897 | ![]() | 2 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 条 | 积极的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | S3K | 标准 | SMC(do-214ab) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2721-S3K-CT | 8541.10.0000 | 15 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.15 V @ 3 A | 1.5 µs | 5 µA @ 800 V | -50°C〜150°C | 3a | - | |
![]() | sl1b-ct | 0.2007 | ![]() | 2 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 条 | 积极的 | 表面安装 | SOD-123F | Sl1b | 标准 | SOD-123F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2721-SL1B-CT | 8541.10.0000 | 30 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 100 v | 1.1 V @ 1 A | 1 µs | 1 µA @ 100 V | -50°C〜150°C | 1a | - | |
![]() | SM4001-CT | 0.2412 | ![]() | 252 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 条 | 积极的 | 表面安装 | do-213ab,Melf | SM4001 | 标准 | Melf DO-213AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2721-SM4001-CT | 8541.10.0000 | 30 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 50 V | 1.1 V @ 1 A | 1.5 µs | 5 µA @ 50 V | -50°C〜175°C | 1a | - | |
![]() | PT800B-CT | 1.2563 | ![]() | 1934年 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | PT800B | 标准 | TO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2721-PT800B-CT | 8541.10.0000 | 50 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 100 v | 1.1 V @ 8 A | 5 µA @ 100 V | -50°C〜150°C | 8a | - | ||
![]() | AL1J-CT | 0.3588 | ![]() | 2 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 条 | 积极的 | 表面安装 | do-213aa | 雪崩 | do-213aa,迷你甲 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2721-al1j-ct | 8541.10.0000 | 30 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.3 V @ 1 A | 1.5 µs | 3 µA @ 600 V | -50°C〜175°C | 1a | - | ||
![]() | SM5061-CT | 0.2920 | ![]() | 5906 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 条 | 积极的 | 表面安装 | do-213ab,Melf | SM5061 | 标准 | Melf DO-213AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2721-SM5061-CT | 8541.10.0000 | 30 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.1 V @ 2 A | 1.5 µs | 5 µA @ 600 V | -50°C〜175°C | 2a | - | |
![]() | S3KSMB-CT | 0.4037 | ![]() | 8644 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 条 | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | S3KSMB | 标准 | SMB(do-214AA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2721-S3KSMB-CT | 8541.10.0000 | 15 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.1 V @ 3 A | 1.5 µs | 5 µA @ 800 V | -50°C〜150°C | 3a | - |
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