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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CS40D | 1.7165 | ![]() | 1 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 管子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-Edip(0.300英寸,7.62mm) | 肖特基 | DFM | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2721-CS40D | 8541.10.0000 | 250 | 790 mv @ 1 a | 500 µA @ 80 V | 1 a | 单相 | 80 V | |||||||||||||||||||
![]() | KBPC2504I | 3.2932 | ![]() | 9664 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,KBPC25 | 标准 | KBPC25 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2721-KBPC2504I | 8541.10.0000 | 240 | 1.2 V @ 12.5 A | 10 µA @ 400 V | 25 a | 单相 | 400 v | |||||||||||||||||||
![]() | GBI25G | 0.9312 | ![]() | 24 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBI | 标准 | GBI | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-GBI25G | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 V @ 12.5 A | 5 µA @ 400 V | 4.2 a | 单相 | 400 v | |||||||||||||||||||
![]() | DB35-02 | 4.3940 | ![]() | 100 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 5平方英尺,DB-35 | 标准 | DB-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-DB35-02 | 8541.10.0000 | 50 | 1.05 V @ 17.5 A | 5 µA @ 200 V | 35 a | 三期 | 200 v | |||||||||||||||||||
![]() | KBPC2502I | 3.2932 | ![]() | 1097 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,KBPC25 | 标准 | KBPC25 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2721-KBPC2502I | 8541.10.0000 | 240 | 1.2 V @ 12.5 A | 10 µA @ 200 V | 25 a | 单相 | 200 v | |||||||||||||||||||
![]() | B380C7000A | 1.7263 | ![]() | 1 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip | 标准 | 4-sip | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-B380C7000A | 8541.10.0000 | 500 | 1 V @ 5 A | 5 µA @ 800 V | 4.8 a | 单相 | 800 v | |||||||||||||||||||
![]() | KBPC3508FP | 2.5794 | ![]() | 720 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 4平方英尺,KBPC35 | 标准 | KBPC35 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2721-KBPC3508FP | 8541.10.0000 | 240 | 1.1 V @ 17.5 A | 10 µA @ 800 V | 35 a | 单相 | 800 v | |||||||||||||||||||
![]() | GBV15K | 0.4599 | ![]() | 2 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-GBV15K | 8541.10.0000 | 1,000 | 1.1 V @ 7.5 A | 5 µA @ 800 V | 10.5 a | 单相 | 800 v | |||||||||||||||||||
![]() | DIT100N10 | 1.3366 | ![]() | 2030 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-DIT100N10 | 8541.21.0000 | 50 | n通道 | 100 v | 100A(TC) | 10V | 13mohm @ 40a,10v | 4V @ 250µA | 85 NC @ 10 V | ±20V | 4800 PF @ 50 V | - | 200W(TC) | |||||||||||||
![]() | GBI20A | 0.7848 | ![]() | 5530 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBI | 标准 | GBI | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-GBI20A | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 V @ 10 A | 5 µA @ 50 V | 3.6 a | 单相 | 50 V | |||||||||||||||||||
![]() | B80C5000A | 1.4577 | ![]() | 6 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip | 标准 | 4-sip | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-B80C5000A | 8541.10.0000 | 500 | 1 V @ 5 A | 5 µA @ 160 V | 4 a | 单相 | 160 v | |||||||||||||||||||
![]() | DB35-06 | 4.3940 | ![]() | 300 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 5平方英尺,DB-35 | 标准 | DB | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-DB35-06 | 8541.10.0000 | 50 | 1.05 V @ 17.5 A | 10 µA @ 600 V | 35 a | 三期 | 600 v | |||||||||||||||||||
![]() | B80C3700A | 1.3425 | ![]() | 6 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip | 标准 | 4-sip | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-B80C3700A | 8541.10.0000 | 500 | 1 V @ 3 A | 5 µA @ 160 V | 2.7 a | 单相 | 160 v | |||||||||||||||||||
![]() | GBI20B | 0.8035 | ![]() | 8139 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBI | 标准 | GBI | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-GBI20B | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 V @ 10 A | 5 µA @ 100 V | 3.6 a | 单相 | 100 v | |||||||||||||||||||
![]() | BY251 | 0.0745 | ![]() | 156 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | 标准 | DO-201-201 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-BY251TR | 8541.10.0000 | 1,700 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1.1 V @ 3 A | 1.5 µs | 5 µA @ 200 V | -50°C〜150°C | 3a | - | |||||||||||||||||
![]() | KBPC10/15/2504FP | 2.4357 | ![]() | 5 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 4平方,KBPC | 标准 | KBPC | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | Ear99 | 8541.10.0080 | 240 | 1.2 V @ 12.5 A | 10 µA @ 400 V | 25 a | 单相 | 400 v | |||||||||||||||||||
![]() | DB25-02 | 4.3940 | ![]() | 150 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 5平方英尺,DB-35 | 标准 | DB | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-DB25-02 | 8541.10.0000 | 50 | 1.05 V @ 12.5 A | 10 µA @ 200 V | 25 a | 三期 | 200 v | |||||||||||||||||||
![]() | DB35-16 | 5.0182 | ![]() | 7843 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 5平方英尺,DB-35 | 标准 | DB | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-DB35-16 | 8541.10.0000 | 50 | 1.05 V @ 17.5 A | 10 µA @ 1600 V | 35 a | 三期 | 1.6 kV | |||||||||||||||||||
![]() | gbu4k-t | 0.3087 | ![]() | 3546 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 管子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-GBU4K-T | 8541.10.0000 | 1,000 | 1 V @ 4 A | 5 µA @ 800 V | 2.8 a | 单相 | 800 v | |||||||||||||||||||
![]() | KBPC3514FP | - | ![]() | 4454 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 4平方英尺,KBPC35 | 标准 | KBPC35 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2721-KBPC3514FP | 8541.10.0000 | 240 | 1.1 V @ 17.5 A | 10 µA @ 1400 V | 35 a | 单相 | 1.4 kV | |||||||||||||||||||
![]() | KBPC10/15/2512FP | 2.5658 | ![]() | 1 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 4平方英尺,kbpc fp | 标准 | KBPC FP | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2721-KBPC10/15/2512FP | 8541.10.0000 | 240 | 1.2 V @ 12.5 A | 10 µA @ 1200 V | 25 a | 单相 | 1.2 kV | |||||||||||||||||||
![]() | DB25-04 | 4.3940 | ![]() | 200 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 5平方英尺,DB-35 | 标准 | DB-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-DB25-04 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.05 V @ 12.5 A | 10 µA @ 400 V | 25 a | 三期 | 400 v | ||||||||||||||||||
![]() | DB15-005 | 4.0632 | ![]() | 5352 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 5平方英尺,DB-35 | 标准 | DB-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-DB15-005 | 8541.10.0000 | 50 | 1.05 V @ 12.5 A | 10 µA @ 50 V | 25 a | 三期 | 50 V | |||||||||||||||||||
![]() | BYP60A6 | 1.2263 | ![]() | 9535 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | DO-208AA | 标准 | DO-208 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-BYP60A6TR | 8541.10.0000 | 12,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.1 V @ 60 A | 1.5 µs | 100 µA @ 600 V | -50°C 200°C | 60a | - | |||||||||||||||||
![]() | KBPC10/15/2516fp | 2.8829 | ![]() | 720 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 4平方英尺,kbpc fp | 标准 | KBPC FP | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2721-KBPC10/15/2516fp | 8541.10.0000 | 240 | 1.2 V @ 12.5 A | 10 µA @ 1600 V | 25 a | 单相 | 1.6 kV | |||||||||||||||||||
![]() | KYZ35A1 | 1.8047 | ![]() | 500 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | 通过洞 | DO-208AA | 标准 | DO-208 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-KYZ35A1 | 8541.10.0000 | 500 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 100 v | 1.1 V @ 35 A | 1.5 µs | 100 µA @ 100 V | -50°C〜175°C | 35a | - | |||||||||||||||||
![]() | DIT150N03 | 1.0233 | ![]() | 9907 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-DIT150N03 | 8541.21.0000 | 50 | n通道 | 30 V | 150a(TC) | 4.5V,10V | 3mohm @ 20a,10v | 2.5V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ±20V | 5000 pf @ 25 V | - | 130W(TC) | |||||||||||||
![]() | B125C1500B | 0.9390 | ![]() | 8487 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip | 标准 | 4-sip | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2721-B125C1500B | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 V @ 2 A | 5 µA @ 250 V | 1.8 a | 单相 | 250 v | |||||||||||||||||||
![]() | gbu6a | 0.3371 | ![]() | 10 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 2796-GBU6A | 8541.10.0000 | 1,000 | 1 V @ 6 A | 5 µA @ 50 V | 4.2 a | 单相 | 50 V | ||||||||||||||||||
![]() | GBU4M | 0.3087 | ![]() | 217 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 2796-GBU4M | 8541.10.0000 | 1,000 | 1 V @ 4 A | 5 µA @ 1000 V | 2.8 a | 单相 | 1 kV |
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