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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 场效应管类型 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F | 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 集电极电流(Ic)(最大) | 分布类型 | 电压 - 逆势高峰(最大) | 电流 - 电极电极电流(最大) | 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) | 阻抗(最大)(Zzt) | 晶体管类型 | Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic | 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce | 频率-开头 | 电阻器 - 基极 (R1) | 电阻器 - 发射极基极 (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BAS40-04 | 0.0377 | ![]() | 7468 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | BAS40 | 肖特基 | SOT-23-3 (TO-236) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 2796-BAS40-04TR | 8541.10.0000 | 3,000 | 小信号=< 200mA (Io),任意速度 | 2 对中央 | 40V | 200毫安 | 1V@40mA | 5纳秒 | 40V时为10μA | -50℃~150℃ | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM5Z47 | 0.0333 | ![]() | 7529 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -65°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-79、SOD-523 | 200毫W | SOD-523 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 2796-MM5Z47TR | 8541.10.0000 | 4,000 | 32.9V时为50nA | 47V | 170欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KT20K150 | 0.9247 | ![]() | 5520 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | 标准 | TO-220AC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2796-KT20K150 | 8541.10.0000 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 150伏 | 980毫伏@20安 | 300纳秒 | 150V时为5μA | -50℃~175℃ | 20A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMFTN3404A-AQ | 0.1989 | ![]() | 9347 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | MOSFET(金属O化物) | SOT-23-3 (TO-236) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 2796-MMFTN3404A-AQTR | 8541.21.0000 | 3,000 | N沟道 | 30V | 5.6A(塔) | 4.5V、10V | 23毫欧@5.6A,10V | 2.1V@250μA | ±20V | 744pF@0V | - | 1.25W(塔) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK36 | 0.1138 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AB、SMC | SK36 | 肖特基 | SMC (DO-214AB) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 2796-SK36TR | 8541.10.0000 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 60V | 750 毫伏 @ 3 安 | 60V时为30μA | -50℃~150℃ | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBI25B | 0.8946 | ![]() | 1411 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 盒子 | 的积极 | -50°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、GBI | 标准 | GBI | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2796-GBI25B | 8541.10.0000 | 500 | 1.1V@12.5A | 100V时为5μA | 4.2A | 单相 | 100V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SGL1-60 | 0.0905 | ![]() | 5105 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-213AA | 肖特基 | DO-213AA,迷你-MELF | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-SGL1-60TR | 8541.10.0000 | 2,500人 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 60V | 670 毫伏 @ 1 安 | 500μA@60V | -50℃~150℃ | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK4050CD2-3G | 0.9848 | ![]() | 2898 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 管子 | 的积极 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | SK4050 | 肖特基 | TO-263AB | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 8541.10.0000 | 5,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 50V | 20A | 620 毫伏 @ 20 安 | 50V时为100μA | -50℃~150℃ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZMM3B9 | 0.0312 | ![]() | 7593 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±2% | -50°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | DO-213AC、迷你-MELF、SOD-80 | 500毫W | SOD-80C | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-ZMM3B9TR | 8541.10.0000 | 2,500人 | 1V时为2μA | 3V | 85欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZPD27B | 0.0225 | ![]() | 5307 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±2% | -50°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | DO-204AH、DO-35、宗教 | 500毫W | DO-35 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2796-ZPD27BTR | 8541.10.0000 | 10,000 | 100nA@20V | 27V | 30欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC856B-AQ | 0.3399 | ![]() | 4649 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 条 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | BC856 | 250毫W | SOT-23-3 (TO-236) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2721-BC856B-AQ | 30 | 65V | 100毫安 | 15nA(ICBO) | 国民党 | 650mV@5mA、100mA | 220@2mA,5V | 100兆赫兹 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC338-16 | 0.2865 | ![]() | 5634 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 条 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) | 625毫W | TO-92 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2721-BC338-16 | 30 | 25V | 800毫安 | 100纳安 | NPN | 700毫伏@50毫安,500毫安 | 100@100mA,1V | 100兆赫兹 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM3Z33 | 0.0304 | ![]() | 9673 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -50°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-90、SOD-323F | 300毫W | SOD-323 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-MM3Z33TR | 8541.10.0000 | 3,000 | 1V@10mA | 100nA@25V | 33V | 80欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SM513-CT | 0.2965 | ![]() | 6216 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 条 | 的积极 | 表面贴装 | DO-213AB,梅尔夫 | SM513 | 标准 | 梅尔夫DO-213AB | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 可根据要求提供REACH信息 | 2721-SM513-CT | 8541.10.0000 | 30 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1300伏 | 1.1V@1A | 1.5微秒 | 1.3V时为5μA | -50℃~175℃ | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 穆尔夫2060CT | 0.5320 | ![]() | 6847 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-3全封装,隔离片 | 标准 | ITO-220AB | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2796-MURF2060CT | 8541.10.0000 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 600伏 | 10A | 2V@10A | 50纳秒 | 600V时为1μA | -50℃~175℃ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZMC22 | 0.0442 | ![]() | 2395 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -50°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | DO-213AC、迷你-MELF、SOD-80 | 500毫W | SOD-80C | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-ZMC22TR | 8541.10.0000 | 2,500人 | 16V时为100nA | 22V | 55欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC337-25 | 0.0328 | ![]() | 第420章 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) | 625毫W | TO-92 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | REACH 不出行 | 2796-BC337-25TR | 8541.21.0000 | 4,000 | 45V | 800毫安 | 100纳安 | NPN | 700毫伏@50毫安,500毫安 | 160@100mA,1V | 100兆赫兹 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZMY160 | 0.0764 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -50°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | DO-213AB,梅尔夫 | 1.3W | 梅尔夫DO-213AB | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-ZMY160TR | 8541.10.0000 | 5,000 | 75V时为1μA | 160伏 | 110欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZMM4.3R13 | 0.0304 | ![]() | 6217 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -50°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | DO-213AC、迷你-MELF、SOD-80 | 500毫W | SOD-80C | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-ZMM4.3R13TR | 8541.10.0000 | 10,000 | 1μA@1V | 4.3V | 75欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK56SMC | 0.1431 | ![]() | 3820 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AB、SMC | 肖特基 | SMC (DO-214AB) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-SK56SMCTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 60V | 680 毫伏 @ 5 安 | 60V时为150μA | -50℃~150℃ | 5A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC546步步高 | 0.0306 | ![]() | 第435章 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 盒子 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) | 500毫W | TO-92 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2796-BC546步步高 | 8541.21.0000 | 5,000 | 65V | 100毫安 | 15纳安 | NPN | 600毫伏@5毫安、100毫安 | 200@2mA,5V | 300兆赫 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM1Z4753A | 0.1033 | ![]() | 8551 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -50°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | SOD-123F | 1W | SOD-123F(单模) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-MM1Z4753ATR | 8541.10.0000 | 3,000 | 1.2V@200mA | 27V时为5μA | 36V | 50欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBTRC104SS-AQ | 0.0371 | ![]() | 2431 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 200毫W | SOT-23 (TO-236) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 2796-MMBTRC104SS-AQTR | 8541.21.0000 | 3,000 | - | 100毫安 | 500纳安 | NPN - 预偏置 | 300mV@500μA,10mA | 80@10mA,5V | 200兆赫 | 47k欧姆 | 47k欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 短信260 | 0.1493 | ![]() | 6964 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-213AB,梅尔夫 | 肖特基 | 梅尔夫DO-213AB | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-SMS260TR | 8541.10.0000 | 5,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 60V | 700毫伏@2安 | 500μA@60V | -50℃~150℃ | 2A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZMY130B | 0.0913 | ![]() | 5219 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±2% | -50°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | DO-213AB,梅尔夫 | 1.3W | 梅尔夫DO-213AB | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 2796-ZMY130BTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 60V时为1μA | 130伏 | 90欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBU12D-T | 1.5875 | ![]() | 1026 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 管子 | 的积极 | -50°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、GBU | 标准 | GBU | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2796-GBU12D-T | 8541.10.0000 | 1,000 | 1V@12A | 5μA@200V | 8.4A | 单相 | 200V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ES1F | 0.1339 | ![]() | 5022 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | 标准 | DO-214AC、SMA | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 分段阅读_第2796章 | 8541.10.0000 | 7,500 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 300伏 | 1.3V@1A | 25纳秒 | 300V时为5μA | -50℃~150℃ | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DI040N03PT | 0.2062 | ![]() | 7621 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-PowerVDFN | MOSFET(金属O化物) | 8-QFN (3x3) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 2796-DI040N03PTTR | 8541.29.0000 | 5,000 | N沟道 | 30V | 40A(温度) | 4.5V、10V | 7毫欧@15A、10V | 2.5V@250μA | 12nC@4.5V | ±20V | 1120pF@15V | - | 25W(温度) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZPD2B7 | 0.0225 | ![]() | 1844年 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±2% | -50°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | DO-204AH、DO-35、宗教 | 500毫W | DO-35 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 分段阅读_第2796章 | 8541.10.0000 | 10,000 | 2.7V | 75欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT4401 | 0.0230 | ![]() | 6593 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 300毫W | SOT-23-3 (TO-236) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 2796-MMBT4401TR | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 40V | 600毫安 | 100nA(ICBO) | NPN | 750mV@50mA、500mA | 100@150mA,1V | 250兆赫 |

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