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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | htsus | 标准包 | 速度 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SA160 | 0.0721 | ![]() | 7761 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-213ab,Melf | 标准 | Melf DO-213AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2796-SA160TR | 8541.10.0000 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 1.3 V @ 1 A | 300 ns | 5 µA @ 1000 V | -50°C〜175°C | 1a | - | ||||||||||||||||
![]() | MBR10100 | 0.5501 | ![]() | 6077 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | MBR1010 | 肖特基 | TO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 2796-MBR10100 | 8541.10.0000 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 800 mv @ 10 a | 5 µA @ 100 V | -50°C〜175°C | 10a | - | ||||||||||||||||
![]() | MMBTA42 | 0.0491 | ![]() | 2 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 250兆 | SOT-23-3(TO-236) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2796-MMBTA42TR | 8541.21.0000 | 3,000 | 300 v | 500 MA | 100NA(ICBO) | NPN | 500mv @ 2mA,20mA | 80 @ 10mA,10v | 50MHz | ||||||||||||||||
![]() | GBU10A | 1.4049 | ![]() | 7741 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 2796-GBU10A | 8541.10.0000 | 1,000 | 1 V @ 5 A | 5 µA @ 50 V | 7 a | 单相 | 50 V | ||||||||||||||||||
![]() | 1N5373B | 0.2073 | ![]() | 7477 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | 5 w | DO-201-201 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 2796-1N5373BTR | 8541.10.0000 | 1,700 | 500 NA @ 51.7 V | 68 v | 44欧姆 | |||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5239B | 0.0304 | ![]() | 18 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123F | 500兆 | SOD-123F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2796-MMSZ5239BTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 3 µA @ 7 V | 9.1 v | 10欧姆 | ||||||||||||||||||
![]() | gbu8b | 0.4087 | ![]() | 6 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 2796-GBU8B | 8541.10.0000 | 1,000 | 1 V @ 8 A | 5 µA @ 100 V | 5.6 a | 单相 | 100 v | ||||||||||||||||||
![]() | ES1F | 0.1339 | ![]() | 5022 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 标准 | do-214ac,SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2796-es1ftr | 8541.10.0000 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 300 v | 1.3 V @ 1 A | 25 ns | 5 µA @ 300 V | -50°C〜150°C | 1a | - | ||||||||||||||||
![]() | 1N5351B | 0.2073 | ![]() | 6764 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | 5 w | DO-201-201 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 2796-1N5351BTR | 8541.10.0000 | 1,700 | 1 µA @ 10.6 V | 14 V | 2.5欧姆 | |||||||||||||||||||
![]() | Mur420 | 0.4604 | ![]() | 1883年 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | 标准 | DO-201-201 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 2796-MUR420TR | 8541.10.0000 | 1,700 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 890 mv @ 4 a | 35 ns | 5 µA @ 200 V | -50°C〜175°C | 4a | 100pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||
![]() | 1N5352B | 0.2073 | ![]() | 1562 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | 5 w | DO-201-201 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 2796-1N5352BTR | 8541.10.0000 | 1,700 | 1 µA @ 11.5 V | 15 v | 2.5欧姆 | |||||||||||||||||||
![]() | BC848A | 0.0182 | ![]() | 2429 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 250兆 | SOT-23-3(TO-236) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2796-BC848ATR | 8541.21.0000 | 3,000 | 30 V | 100 ma | 15NA(icbo) | NPN | 600mv @ 5mA,100mA | 110 @ 2mA,5V | 300MHz | ||||||||||||||||
![]() | GL34D | 0.0472 | ![]() | 70 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-213aa | 标准 | do-213aa,迷你甲 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2796-GL34DTR | 8541.10.0000 | 2,500 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1.2 V @ 500 mA | 1.5 µs | 5 µA @ 200 V | -50°C〜175°C | 500mA | - | ||||||||||||||||
![]() | GBU10K | 1.4049 | ![]() | 4553 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 2796-GBU10K | 8541.10.0000 | 1,000 | 1 V @ 5 A | 5 µA @ 800 V | 7 a | 单相 | 800 v | ||||||||||||||||||
![]() | 1N5387B | 0.2073 | ![]() | 3865 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | 5 w | DO-201-201 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 2796-1N5387BTR | 8541.10.0000 | 1,700 | 500 NA @ 144 V | 190 v | 450欧姆 | |||||||||||||||||||
![]() | 1N5380B | 0.2073 | ![]() | 5 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | 5 w | DO-201-201 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 2796-1N5380BTR | 8541.10.0000 | 1,700 | 500 NA @ 91.2 V | 120 v | 170欧姆 | |||||||||||||||||||
![]() | 1N4448W | 0.0236 | ![]() | 2 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123F | 1N4448 | 标准 | SOD-123F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 8541.10.0000 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 75 v | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 100 na @ 75 V | -55°C〜150°C | 150mA | 2pf @ 0v,1MHz | ||||||||||||||||
![]() | GBU10M | 1.4049 | ![]() | 5452 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 2796-GBU10M | 8541.10.0000 | 1,000 | 1 V @ 5 A | 5 µA @ 1000 V | 7 a | 单相 | 1 kV | ||||||||||||||||||
![]() | PB1008 | 1.2279 | ![]() | 2 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,PB | 标准 | pb | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 8541.10.0000 | 200 | 1.2 V @ 5 A | 5 µA @ 800 V | 7 a | 单相 | 800 v | |||||||||||||||||||
![]() | UF4003 | 0.0385 | ![]() | 5 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | do-204ac,do-41,轴向 | UF400 | 标准 | DO-41/DO-204AC | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 2796-UF4003TR | 8541.10.0000 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 200 V | -50°C〜175°C | 1a | - | |||||||||||||||
![]() | MMSZ5232B | 0.0304 | ![]() | 909 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123F | 500兆 | SOD-123F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2796-MMSZ5232BTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 5 µA @ 3 V | 5.6 v | 11欧姆 | ||||||||||||||||||
![]() | KBPC606 | 1.0840 | ![]() | 4760 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,KBPC-6 | 标准 | KBPC6 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 8541.10.0000 | 200 | 1.2 V @ 3 A | 5 µA @ 600 V | 3.8 a | 单相 | 600 v | |||||||||||||||||||
![]() | gbu6d | 0.3371 | ![]() | 17 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 2796-GBU6D | 8541.10.0000 | 1,000 | 1 V @ 6 A | 5 µA @ 200 V | 4.2 a | 单相 | 200 v | ||||||||||||||||||
![]() | MPSA92 | 0.0436 | ![]() | 8974 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | 625兆 | 到92 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 2796-MPSA92TR | 8541.21.0000 | 4,000 | 300 v | 500 MA | 250NA(ICBO) | PNP | 500mv @ 2mA,20mA | 40 @ 10mA,10v | 70MHz | ||||||||||||||||
![]() | KBP210G | 0.1477 | ![]() | 1 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBP | KBP210 | 标准 | KBP | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 2796-KBP210G | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 V @ 2 A | 5 µA @ 1000 V | 1.2 a | 单相 | 1 kV | |||||||||||||||||
![]() | S3B | 0.0705 | ![]() | 369 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 标准 | SMC(do-214ab) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2796-S3BTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 100 v | 1.15 V @ 3 A | 1.5 µs | 5 µA @ 100 V | -50°C〜150°C | 3a | - | ||||||||||||||||
![]() | 1N5371B | 0.2073 | ![]() | 5698 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | 5 w | DO-201-201 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 2796-1N5371BTR | 8541.10.0000 | 1,700 | 500 NA @ 45.5 V | 60 V | 40欧姆 | |||||||||||||||||||
![]() | 1N4936 | 0.0312 | ![]() | 15 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | do-204ac,do-41,轴向 | 标准 | DO-41/DO-204AC | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 2796-1N4936TR | 8541.10.0000 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.2 V @ 1 A | 200 ns | 5 µA @ 1700 V | -50°C〜150°C | 1a | - | ||||||||||||||||
![]() | PB1000 | 1.2279 | ![]() | 1 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,PB | 标准 | pb | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 8541.10.0000 | 200 | 1.2 V @ 5 A | 5 µA @ 50 V | 7 a | 单相 | 50 V | |||||||||||||||||||
![]() | UF5404 | 0.1274 | ![]() | 158 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | 标准 | DO-201-201 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 2796-UF5404TR | 8541.10.0000 | 1,700 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.25 V @ 3 A | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -50°C〜175°C | 3a | - |
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